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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]真空装置-CN201710102611.0在审
发明人：山元一生;清水敦;高木阳一;中越英雄;小松了;新开秀树;小田哲也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种真空装置，即使是小型的通信用模块也能以充分地抑制了温度上升的状态来实施溅射处理、等离子处理等表面处理。真空装置(100)包括配置于真空腔室(1)内部的被处理物载放部(2)；以及与真空腔室(1)相连接的真空排气部(9)。被处理物载放部(2)具有载放被处理物(5)的一个主面(2a)、以及与一个主面(2a)相连接的侧面，且设置有多条在一个主面(2a)具有开口的槽(3)。从一个主面(2a)侧观察被处理物载放部(2)时，一个主面上的槽(3)的开口的最短宽度(w1)为被处理物(5)的最短宽度(w2)的一半以下。
真空装置

[发明专利]半导体结构及形成半导体结构的方法-CN201710243903.6在审
发明人：山·D·唐;斯科特·E·西里斯;惠特尼·L·韦斯特;罗布·B·古德温;尼尚特·辛哈 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示形成至少一个导电元件的方法，形成半导体结构的方法，形成存储器单元的方法以及相关的半导体结构。所述方法包括在至少一个开口的一部分中形成第一导电材料和包含银的第二导电材料；以及执行抛光工艺，从而以所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者填充所述至少一个开口。可执行退火工艺以形成银与材料的混合物或合金。所述方法使得能够形成具有减小的尺寸(例如，小于约20nm)的含银导电元件。所得导电元件具有所要的电阻率。举例来说，所述方法可用于形成用于电连接有源装置的互连件且用于形成存储器单元的电极。还揭示包括此导电结构的半导体结构和存储器单元。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710102186.5在审
发明人：八甫谷明彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备导电部、绝缘层、分子接合层和金属镀层。上述绝缘层具有使上述导电部的至少一部分露出的露出部。上述分子接合层至少设置于上述绝缘层的表面上。上述金属镀层通过上述分子接合层与上述绝缘层的表面接合。上述分子接合层的至少一部分与上述绝缘层中包含的绝缘原材料发生了化学键合。上述分子接合层的至少一部分与上述金属镀层中包含的金属发生了化学键合。上述金属镀层通过上述露出部而与上述导电部电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]无源元件封装件和包括该无源元件封装件的半导体模块-CN201710082929.7在审
发明人：金莹宰;李柏雨;姜泰宇;张在权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：提供了一种无源元件封装件和包括该无源元件封装件的半导体模块。所述无源元件封装件包括第一基板；第一无源元件，设置在第一基板上；第二基板，设置在第一无源元件上；第二无源元件，设置在第二基板上；密封件，密封第一无源元件和第二无源元件。无源元件封装件可以减小包括无源元件封装件的半导体模块的尺寸。
无源元件封装包括半导体模块

[发明专利]集成电路芯片的电容器结构及其制造方法-CN201710107656.7在审
发明人：吕南畿;蒋振劼;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：根据本公开的一些实施例，集成电路芯片的电容器结构包括绝缘层、第一电极和第二电极。绝缘层包括绝缘隔板并具有第一沟槽和通过绝缘隔板与第一沟槽分离的第二沟槽。第一电极设置在第一沟槽中。第二电极设置在第二沟槽中。第一电极沿螺旋轨迹布置并环绕螺旋沟道。第二电极设置在螺旋沟道内。本发明的实施例还提供了另一种集成电路芯片的电容器结构以及制造集成电路芯片的电容器结构的方法。
集成电路芯片电容器结构及其制造方法

[发明专利]电感器结构-CN201710177828.8在审
发明人：陈韦廷;林胤藏;陈颉彦;王垂堂;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种电感器结构。电感器结构包括第一表面、与第一表面相交的第二表面、第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案形成在第一表面上。第二导电图案形成在第二表面上。第一导电图案与第二导电图案连接。
电感器结构

[发明专利]具有源极在下配置的晶体管管芯和漏极在下配置的晶体管管芯的半导体封装-CN201710325396.0在审
发明人： D·阿勒斯;M·丁克尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体封装包括衬底、固定到衬底的第一晶体管管芯和固定到衬底的第二晶体管管芯。第一晶体管管芯具有源极端子，位于第一晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及漏极端子和栅极端子，位于第一晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。第二晶体管管芯具有漏极端子，位于第二晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及源极端子和栅极端子，位于第二晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。所述封装还包括在第一晶体管管芯的漏极端子和第二晶体管管芯的源极端子之间的公共电连接。
有源在下配置晶体管管芯半导体封装

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201710207742.5在审
发明人：何信颖;詹勋伟;赖律名 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：半导体封装装置包括电子装置。所述电子装置具有第一载体、第一电子组件、第二载体、第二电子组件、模封体及透镜。所述第一电子组件位于所述第一载体上。所述第二载体定义一孔且位于所述第一载体上。所述孔位于所述第一电子组件上并暴露所述第一电子组件。所述第二电子组件位于所述第二载体上。所述模封体覆盖所述第二电子组件。所述透镜定义一空腔且位于所述第一载体的所述孔上。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201710206364.9在审
发明人：川田靖 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种显示装置，具有柔性基板、配置在上述柔性基板上的第1绝缘膜、配置在上述第1绝缘膜上的开关元件、与上述开关元件电连接的信号布线、配置在上述信号布线上的第1有机膜、配置在上述第1有机膜上的连接布线、配置在上述连接布线上的第2有机膜、和配置在上述第2有机膜上的焊盘电极。上述连接布线位于上述第1有机膜以及上述第2有机膜之间，与上述第1有机膜以及上述第2有机膜接触。
显示装置

[发明专利]可变电阻存储器件和存储结构-CN201710196690.6在审
发明人：李镇宇;朴淳五;朴正熙;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。
可变电阻存储器件结构

[发明专利]显示装置-CN201710178639.2在审
发明人：刘敏钻;李冠锋;许乃方 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明关于一种显示装置，包括一基板；一发光二极管，设置于基板上；一第一晶体管，设置于基板上；以及一第二晶体管，设置于基板上。第一晶体管包括一第一半导体层；一第一顶闸极，设置于第一半导体层上；一第一底闸极，设置于该第一半导体层下；一第一源极，与该第一半导体层电性连接；以及一第一汲极，与该第一半导体层电性连接，其中，第一汲极与发光二极管电性连接。此外，第二晶体管包括一第二半导体层。在此，第一半导体层和第二半导体层其中一者包括一第一硅半导体层，其中另一者包括一第一氧化物半导体层。
显示装置

[发明专利]半导体器件-CN201710228606.4在审
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法包含以下步骤在衬底上形成栅极电极；在栅极电极上形成栅极绝缘膜；形成氧化物半导体膜；在形成第一氧化物半导体膜的步骤之后，进行热处理以形成第二氧化物半导体膜；形成第一导电膜；形成包含厚度不同的区域的第一抗蚀剂掩模；利用第一抗蚀剂掩模蚀刻第二氧化物半导体膜及第一导电膜以形成第三氧化物半导体膜及第二导电膜；减小第一抗蚀剂掩模的尺寸以形成第二抗蚀剂掩模；利用第二抗蚀剂掩模选择性地蚀刻第二导电膜以除去第二导电膜的一部分，以便形成源极电极及漏极电极。
半导体器件

[发明专利]与多个光伏电池组合的目标集成电路-CN201710118481.X在审
发明人： S·基萨尔;D·帕尔德斯;R·弗里德兰德 -专利权人：太阳芯片有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：提供一种微芯片结构及其制备方法。所述微芯片结构包括目标集成电路(TIC)，其包括第一表面，以及在TIC第一表面上的第一位置处的第一电源触点，所述TIC还包括在所述TIC第一表面上的第二位置处的第二电源触点；沉积在透明衬底第一表面上的多个光伏(PV)二极管，所述多个PV二极管中的每一个具有耦合到阳极触点的阳极和耦合到阴极触点的阴极，其中所述透明衬底对于PV二极管所敏感的电磁频率呈现为透明的；所述PV二极管中的第一PV二极管的阴极触点接合到第一电源触点，且所述PV二极管中的第二PV二极管的阳极触点接合到第二电源触点。
多个光伏电池组合目标集成电路

[发明专利]一种改进的太阳能面板-CN201710507295.5在审
发明人：于秀洋 -专利权人：桐乡市乌镇润桐嘉业机械维修中心
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的太阳能面板，包括钢化玻璃、发电主体、背板和铝边框；所述钢化玻璃、发电主体和背板通过EVA相互粘结而成；所述铝边框安装在钢化玻璃和背板外围；所述发电主体之间还设置有一层涂锡铜带；所述涂锡铜带由铜基材外围包覆一层涂锡层组成；所述钢化玻璃由钢化玻璃和钢化玻璃外围的镀膜层组成；所述铝边框由铝边框和铝边框表层的氧化膜组成。本发明的改进的太阳能面板，通过钢化玻璃外围的镀膜层，使得面板具有吸光性强，光电转换效率高，可靠性高，涂锡铜带外围的涂锡层无污染性，另外将铝边框表层加氧化膜，使得组件在恶劣的环境下也能正常的工作。
一种改进太阳能面板

[发明专利]正极、包含该正极的水系储能装置以及正极制备方法-CN201710011769.7在审
发明人：阿里雷扎·泽哈塔卜·亚兹迪;支键;陈璞 -专利权人：苏州宝时得电动工具有限公司;陈璞
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明涉及包含石墨烯层的正极及包含该正极的水系储能装置。本发明的正极包括正极集流体；形成于所述正极集流体上的正极活性材料层，该正极活性材料层包含能够可逆脱出‑嵌入金属离子的正极活性物质；以及形成于所述正极活性材料层上的石墨烯层或石墨烯衍生物层。根据本发明的正极及水系储能装置，能够显著抑制充电时正极活性物质的副反应，从而提高二次电池的性能。
正极包含水系装置以及制备方法

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