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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于人工神经网络中的存储位的系统和方法-CN202310128574.6在审
发明人： S·M·阿拉姆;D·豪萨梅丁;S·阿加瓦尔 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开涉及用于人工神经网络中的存储位的系统和方法。本公开尤其针对一种装置，所述装置包括：输入电路；权重运算电路，所述权重运算电路电连接到所述输入电路；偏差运算电路，所述偏差运算电路电连接到所述权重运算电路；存储电路，所述存储电路电连接到所述权重运算电路和所述偏差运算电路；以及激活函数电路，所述激活函数电路电连接到所述偏差运算电路，其中至少所述权重运算电路、所述偏差运算电路和所述存储电路位于同一个芯片上。
用于人工神经网络中的存储系统方法

[发明专利]低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法-CN202211051558.3在审
发明人： S·M·阿拉姆 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法。本公开尤其针对反熔丝电路。所述反熔丝电路包括多个反熔丝位单元和参考电阻器。每个反熔丝位单元包括两个或更多个存储器位和参考电阻器。所述两个或更多个存储器位被配置为处于已编程状态和至少一种未编程状态。
电阻 mtj 反熔丝电路设计以及操作方法

[发明专利]存储器中的延迟回写-CN201780033613.7有效
发明人： T·安德烈;S·M·阿拉姆;C·苏博拉玛尼安;J·S·巴尔卡图拉 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2017-01-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：具有对与先前打开的页对应的数据的到阵列的延迟回写的存储器允许避免与回写操作相关联的延迟。在初始激活打开第一页并且对该页的读取/写入操作完成之后，将打开的页回写到存储器单元的阵列被延迟直到完成打开新页的后续激活操作之后。还公开了在没有另一个激活操作的情况下强制回写的技术。
存储器中的延迟

[发明专利]具有校准支持的存储器中的延迟回写-CN201880033858.4有效
发明人： S·M·阿拉姆 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：具有对与先前打开的页对应的数据的到阵列的延迟回写的存储器允许避免与回写操作相关联的延迟。在初始激活打开第一页并且对该页的读取/写入操作完成之后，将打开的页回写到存储器单元的阵列被延迟直到完成打开新页的后续激活操作之后。还公开了在没有另一个激活操作的情况下强制回写的技术。还支持校准和测试序列，其中非破坏性模式保留存储在非易失性存储器阵列中的数据，并且用于指示打开的页的状态位被清除，因此之后的由于校准或测试的无意的延迟回写操作不会损坏非易失性数据。
具有校准支持存储器中的延迟

[发明专利]用于存储器中的双备用模式的系统和方法-CN202211397756.5在审
发明人： S·M·阿拉姆 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开尤其涉及一种用于使用双备用模式访问存储器的方法，所述方法包括：接收从第一备用模式或第二备用模式中选择第一备用模式的第一备用模式指示；基于所述第一备用模式，配置读取偏置系统以提供读取偏置电压并配置写入偏置系统以提供大约零电压或在用于写入操作的所需范围之外的任何电压；接收选择所述第二备用模式的第二备用模式指示；以及基于所述第二备用模式，配置所述读取偏置系统以提供至少所述读取偏置电压并配置所述写入偏置系统以提供写入偏置电压，所述读取偏置电压低于所述写入偏置电压。
用于存储器中的备用模式系统方法

[发明专利]用值对配置位进行配置的系统和方法-CN202210391195.1在审
发明人： D·霍萨梅德丁;S·M·阿拉姆;S·阿加瓦尔 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本公开涉及用值对配置位进行配置的系统和方法。尤其涉及一种配置位，所述配置位包括至少四个电阻元件和电压放大器。至少两个第一电阻元件可以经由第一电极串联地电连接并且至少两个第二电阻元件可以经由第二电极串联地电连接。所述至少两个第一电阻元件可以经由第三电极和第四电极与所述至少两个第二电阻元件并联地电连接。所述第一电极和所述第二电极可以电连接到电压源。所述第三电极和所述第四电极可以电连接到所述电压放大器的输入端。
配置进行系统方法

[发明专利]用于系统级ECC兼容性的ECC字配置-CN201580050778.6有效
发明人： S·M·阿拉姆;T·安德烈 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：在一些示例中，存储器设备包括被配置为存储被组织成多个ECC字的页的数据的存储器阵列。存储器设备还对于与一页相关联的每个ECC字包括至少一个输入/输出盘，使得可以由存储器设备对与一页相关联的ECC字中的每一个执行第一级错误校正，并且可以在特定时间段期间对由每个输入/输出盘输出的数据执行第二级错误校正。存储器设备的所述一个或多个输入/输出盘中的每一个可以被配置为在从外部源存取期间仅将数据中的每ECC字一位提供给外部源。
用于系统 ecc 兼容性配置

[发明专利]用于修复磁存储器中的复位错误的方法-CN201410262401.4有效
发明人： J·斯劳特;D·豪撒梅迪恩;T·安德烈;S·M·阿拉姆 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：提供了一种用于对使用破坏性读取，包括例如MRAM中的自旋扭矩比特的自参照读取，和选择性写回的磁存储器修复复位错误的方法。通过以下之一来使存储器单元为写回作准备：利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并且对于被确定为发生错误的那些存储器单元将反转比特反转；利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并将存储器单元的一部分复位到第一状态；以及将一个或多个存储器单元复位到第一状态。
用于修复磁存储器中的复位错误方法

[发明专利]写入驱动器电路和写入自旋矩MRAM的方法-CN201280065461.6有效
发明人： S·M·阿拉姆;T·安德烈 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：一种向自旋矩磁电阻随机存取存储器写入的写入驱动器最小化选择的列中未选择(关)的字线选择晶体管的亚阈值泄漏。在位线和/或源极线中的有效金属电阻减少而电源抗噪声能力增加。写入驱动器偏置信号与全局偏置信号隔离，并且使用第一NMOS跟随器电路或第一PMOS跟随器电路中的一个在位线的一端施加第一电压。分别使用第二或第三PMOS跟随器电路或第二或第三NMOS跟随器电路在源极线的相对端施加第二电压。
写入驱动器电路自旋 mram 方法

[发明专利]短路检测及反转-CN201580051642.7在审
发明人： T·安德烈;J·斯劳特;D·豪撒梅迪恩;S·M·阿拉姆 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：在一些示例中，存储器设备可以被配置为至少部分基于与一个或多个短路位单元相关联的状态来以原始状态或反转状态存储数据。例如，存储器设备可以被配置为识别在存储器阵列内的短路位单元并将数据存储于存储器阵列中，使得存储于短路位单元内的数据位的状态与和短路位单元相关联的状态相匹配。
短路检测反转

[发明专利]MRAM场的干扰检测和恢复-CN201280034545.3有效
发明人： T·安德鲁;S·M·阿拉姆;B·恩格尔;B·巴切尔 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：提供了一种方法和存储器设备，用于从与多个存储器设备位相关联的多个参考位的ECC字中读取数据并且确定ECC字中是否存在双位错误。ECC字可首先被双态切换两次，然后一检测到双位错误就复位参考位。
mram 干扰检测恢复

[发明专利]存储器系统和存储器控制器-CN201610027385.X在审
发明人： S·M·阿拉姆;T·安德烈;D·古戈尔 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请涉及用于使DRAM和MRAM访问交错的存储器控制器和方法。描述了用于使不同等待时间和页面尺寸的易失性和非易失性存储器交错的存储器控制和方法，其中，单个DDR3存储器控制器与许多存储器模块通信，其至少包括与例如动态随机存取存储器(DRAM)的易失性存储器集成在不同序列或通道中的例如自旋扭矩磁随机存取存储器的非易失性存储器。
存储器系统控制器

[发明专利]用于自旋矩MRAM的混合读取方案-CN201280066616.8有效
发明人： S·M·阿拉姆;T·安德烈;C·苏博拉玛尼安 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：一种从自旋矩磁电阻存储器阵列中的多个比特读取数据的方法，包括：执行所述比特的一个或多个参考读取操作，以及执行任何未通过所述参考读取操作成功读取的比特的破坏性自参考读取操作，例如，破坏性自参考读取操作。所述参考读取操作可以与所述破坏性自参考读取操作同时发起或在所述破坏性自参考读取操作之前发起。
用于自旋 mram 混合读取方案

[发明专利]用于使DRAM和MRAM访问交错的存储器控制器和方法-CN201180066332.4有效
发明人： S·M·阿拉姆;T·安德烈;D·古戈尔 -专利权人：艾沃思宾技术公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述了用于使不同等待时间和页面尺寸的易失性和非易失性存储器交错的存储器控制和方法，其中，单个DDR3存储器控制器与许多存储器模块通信，其至少包括与例如动态随机存取存储器（DRAM）的易失性存储器集成在不同序列或通道中的例如自旋扭矩磁随机存取存储器的非易失性存储器。
用于 dram mram 访问交错存储器控制器方法

[发明专利]半导体堆叠管芯/晶片构造和封装及其方法-CN200680033654.8有效
发明人： S·K·波兹德;S·M·阿拉姆;R·E·琼斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种允许晶片上堆叠的晶片(120，122)或管芯(154)使用同一设计或仅改变一些层(例如，金属互连层)的设计的倒易对称性设计。翻转或旋转一个管芯或晶片允许堆叠的管芯彼此相互具有倒易取向，这可以用于减少垂直地堆叠的管芯和/或晶片之间的互连(270－279，89－80)。翻转和/或旋转还可以在晶片和/或管芯被堆叠时被用于改善散热。堆叠晶片或管芯然后可以被封装。
半导体堆叠管芯晶片构造封装及其方法

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