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- [发明专利]半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法-CN201680080911.7有效
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H.巴托夫;M.拉伊莫;L.诺尔;A.米海拉;R.米纳米萨瓦
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日立能源瑞士股份公司
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2016-10-28
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2022-09-06
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H01L21/336
- 一种制造半导体装置的方法提供有：（a）提供宽带隙衬底产品（10）,（b）通过施加具有第一和第二掩膜层（35、36）的第一掩膜（34）并且施加n掺杂剂（31）来形成源区（3、3’），通过去除第一掩膜（34）的、布置在两个源区（3、3’）之间的这种部分，并且施加p掺杂剂（51）来形成阱层（5），通过形成第三掩膜（46）通过执行蚀刻步骤并且施加p掺杂剂（41）来形成两个沟道区域（4、4’），通过该蚀刻步骤，与第二掩膜层（36）相比，第一掩膜层（35）在开口处进一步被去除，其中剩余的第一掩膜层（35’）形成第三掩膜（46），），其中阱层深度（50）至少与沟道层深度（40）同样大，（c）在步骤（b）之后，为了形成插塞（6），施加覆盖源区（3、3’）和沟道层（4、4’）的第四掩模，并且将p第四掺杂剂施加到比阱层深度（50）更大的深度并且具有比阱层（5、5’）更高的掺杂浓度。
- 半导体装置以及用于制造这种方法
- [发明专利]功率半导体装置-CN201780009665.0有效
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L.科诺;R.米纳米萨瓦
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ABB电网瑞士股份公司
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2017-01-20
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2021-05-28
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H01L29/78
- 一种功率半导体装置（1）包括布置成多个平行的行的多个垂直场效应晶体管单元（10），每行包括沿第一方向（x）布置的垂直场效应晶体管单元（10），其中在每个垂直场效应晶体管单元（10）中，体区（5a）被栅极层从体区（5a）的彼此相对的两个侧表面（16）围绕。在每行垂直场效应晶体管单元（10）中，体区（5a）通过栅极层（7）的第一栅极区（7a）在第一方向（x）上彼此分隔，每个第一栅极区（7a）穿透体层（5），使得在每行垂直场效应晶体管单元（10）中，第一栅极区（7a）沿第一方向（x）与体区（5a）交替。每行垂直场效应晶体管单元（10）内的第一栅极区（7a）通过在第一方向（x）上跨相应垂直场效应晶体管单元（10）的体区（5a）延伸的第二栅极区（7b）彼此连接。第一栅极区（7a）和第二栅极区（7b）形成连续的栅极条，其顺其纵轴在第一方向（x）上延伸。源极电极（65）形成在源极层（6）上，以在每对相邻栅极条之间形成对源极层（6）的第一欧姆接触。体区（5a'）的背离衬底层（4）的整个顶表面（17'）与栅极绝缘层（8）直接接触。
- 功率半导体装置
- [发明专利]用于制造宽带隙结势垒肖特基二极管的方法-CN201580066943.7有效
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R.米纳米萨瓦;M.拉希莫
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ABB瑞士股份有限公司
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2015-11-04
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2020-05-12
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H01L29/06
- 提供了一种用于制造具有阳极侧(10)和阴极侧(15)的宽带隙结势垒肖特基二极管(1)的方法，其中(n+)掺杂的阴极层(2)布置在阴极侧(15)上，至少一个p掺杂的阳极层(3)布置在阳极侧(10)上，(n‑)掺杂的漂移层(4)布置在阴极层(2)和该至少一个阳极层(3)之间，该漂移层(4)延伸至阳极侧(10)，其中执行以下制造步骤：a)提供(n+)掺杂的宽带隙基底(100)，b)在阴极层(2)上产生漂移层(4)，c)在漂移层(4)上产生该至少一个阳极层(3)，d)在阳极侧(10)上将第一金属层(5)施加到漂移层(4)的顶部上以形成肖特基接触(55)，其特征在于，e)在至少一个阳极层(3)的顶部上产生第二金属层(6)，其中在产生第一金属层(5)和第二金属层(6)之后，该至少一个阳极层(3)的顶部上的金属层具有第二厚度(64)，且漂移层(4)的顶部上的金属层具有第一厚度(54)，其中第二厚度(64)小于第一厚度(54)，f)然后在第一温度下执行第一加热步骤(63)，由此，由于第二厚度(64)小于第一厚度(54)，故在第二金属层(6)和该至少一个阳极层(3)之间的界面处形成欧姆接触(65)，其中执行第一加热步骤(63)，使得第一金属层(5)下方的温度保持低于用于形成欧姆接触的温度。
- 用于制造宽带隙结势垒肖特基二极管方法
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