“R·伯顿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在三维环境中呈现化身-CN202180039501.9在审
发明人： G·I·布彻;R·伯顿;D·D·达尔甘;N·W·亨德森;J·瑞克瓦德;N·斯卡佩尔;G·耶基斯;K·E·S·鲍尔里 -专利权人：苹果公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：在一些实施方案中，一种计算机系统接收表示用户的至少第一部分的位姿的数据，并且引起包括相应化身特征的化身的呈现，该相应化身特征对应于用户的第一部分并且呈现为具有指示用户的第一部分的位姿的确定性的可变显示特性。在一些实施方案中，一种计算机系统接收指示一个或多个用户的当前活动是第一类型的活动的数据，并且作为响应，更新具有基于第一外观模板的第一外观的用户的表示。该系统接收指示一个或多个用户的当前活动的第二数据，并且作为响应，使用第一或第二外观模板基于一个或多个用户的当前活动来更新第一用户的表示的外观。
三维环境呈现化身

[发明专利]用于制备包括在凹陷蚀刻内的超晶格的半导体装置的方法-CN202180024994.9在审
发明人： N·W·科迪;K·D·威克斯;R·J·斯蒂芬森;R·伯顿;陈仪安;D·筹托夫;武内英树;Y-H·杨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种制备半导体装置的方法可以包括：在半导体衬底中，形成与有源区相邻的隔离区；以及选择性蚀刻所述有源区，使得所述有源区的上表面在所述隔离区的相邻表面之下并与其限定台阶边缘。所述方法还可以包括形成覆盖在所述有源区上的超晶格。所述超晶格可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层以及约束在相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
用于制备包括凹陷蚀刻晶格半导体装置方法

[发明专利]含发射极-基极和基极-集电极超晶格的双极结型晶体管及相关方法-CN202180009285.3在审
发明人： R·伯顿 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管(BJT)可以包括在其中限定集电极区的基板。第一超晶格可以在基板上，其包括多个堆叠的第一层的组，每个第一层的组包括限定第一基础半导体部分的第一多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻的第一基础半导体部分的晶格内的至少一个第一非半导体单层。此外，基极可以在第一超晶格上，并且第二超晶格可以在基极上，该第二超晶格包括第二多个堆叠的第二层的组，其中每个第二层的组包括限定第二基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻的第二基础半导体部分的晶格内的至少一个第二非半导体单层。发射极可以在第二超晶格上。还提供了相关联的方法。
发射极基极集电极晶格双极结型晶体管相关方法

[发明专利]具有含隔开的超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法-CN202080058848.3在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的第一超晶格层、在第一超晶格层上且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第二超晶格层。该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。第一超晶格和第二超晶格可以各自包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
具有隔开晶格突变区域变容二极管相关方法

[发明专利]具有包括超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法-CN202080058873.1在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的超晶格层，以及在超晶格层上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层。超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。
具有包括晶格突变区域变容二极管相关方法

[发明专利]具有含隔开的超晶格的超突变结区域的半导体器件及相关方法-CN202080058845.X在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的第一超晶格层、在第一超晶格层上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第二超晶格层。该半导体器件还可以包括在超突变结区域的第二超晶格层上的栅极介电层、在栅极介电层上的栅电极，以及与超突变结区域相邻的间隔开的源极区域和漏极区域。
具有隔开晶格突变区域半导体器件相关方法

[发明专利]具有包括超晶格的超突变结区域的半导体器件及相关方法-CN202080058869.5在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的超晶格层，以及在超晶格层上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层。第一、第二和超晶格层可以是U形的。该半导体器件还可以包括在超突变结区域的第二半导体层上的栅极介电层、在栅极介电层上的栅电极，以及与超突变结区域相邻的间隔开的源极区域和漏极区域。
具有包括晶格突变区域半导体器件相关方法

[发明专利]包括超晶格和非对称沟道的半导体器件及相关方法-CN202080038793.X在审
发明人：武内英树;R·伯顿;Y-H·杨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板(61)和在基板中间隔开的第一(62，66)掺杂区域和第二(63)掺杂区域。第一掺杂区域可以大于第二掺杂区域以在它们之间限定非对称沟道。半导体器件还可以包括在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间延伸以约束其中的掺杂剂的超晶格(25)。超晶格可以包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。栅极(64)可以上覆于非对称沟道。
包括晶格对称沟道半导体器件相关方法

[发明专利]数字助理用户界面和响应模式-CN202010977583.9在审
发明人： N·埃利斯;O·B·阿拉比;P·C·博哈克;R·伯顿;R·R·德林格;T·R·法齐奥;C·M·费德里奇;K·A·A·费里;R·P·菲什;N·戈特比;S·格兰普罗伊特;J·N·琼斯;川岛家幸;S·O·勒梅;T·莱佩克;P·马里;A·穆塞戈;D·M·帕多维尔;J·帕尔默;P·塞劳多姆;A·V·西姆斯;T·M·史密斯;A·坦南特;T·特兰;L·J·韦尔泰尼;R·A·瓦尔克二世;P·F·赵 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F3/0488 文献下载
摘要：本公开涉及数字助理用户界面和响应模式。一种示例性过程包括：在显示不同于数字助理用户界面的用户界面时，接收用户输入；根据确定所述用户输入满足用于发起数字助理的标准：在所述用户界面之上显示所述数字助理用户界面，所述数字助理用户界面包括：数字助理指示符，所述数字助理指示符显示在显示器的第一部分处；以及响应示能表示，所述响应示能表示显示在所述显示器的第二部分处；其中：所述用户界面的一部分在所述显示器的第三部分处保持可见；并且所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间。
数字助理用户界面响应模式

[发明专利]包括源极/漏极掺杂剂扩散阻挡超晶格以减小接触电阻的半导体器件和相关方法-CN201980085360.7在审
发明人：武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：半导体器件(100)可包括半导体层(101)，在半导体层中的间隔开的源极和漏极区域(102,103)与在它们之间延伸的沟道区域(130)，和将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域(104,106)和上部区域(105,107)的至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格(125)，其中上部区域具有与下部区域相同的传导率和比下部区域高的掺杂剂浓度。至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格包含多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可包括在沟道区域上的栅极(109,110)。
包括掺杂扩散阻挡晶格减小接触电阻半导体器件相关方法

[发明专利]包括具有减小的接触电阻的本体接触部掺杂剂扩散阻挡超晶格的半导体器件和方法以及相关方法-CN201980085362.6在审
发明人：武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体器件可包括半导体层(401)，在该半导体层中的间隔开的源极和漏极区域(402,403)与在它们之间延伸的沟道区域(430)，和在该沟道区域上的栅极(408)。该半导体器件还可包括在该半导体层中的本体接触部，并且所述本体接触部包含延伸通过本体接触部的本体接触部掺杂剂扩散阻挡超晶格(425)从而将本体接触部分成第一本体接触区域(421)和第二本体接触区域(422)，其中该第二本体接触区域具有与该第一本体接触区域相同的传导率和比该第一本体接触区域高的掺杂剂浓度。该本体接触部掺杂剂扩散阻挡超晶格可包括各自的多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。
包括具有减小接触电阻本体掺杂扩散阻挡晶格半导体器件方法以及相关

[发明专利]制造具有减小的接触电阻的FINFET的方法-CN201980085363.0在审
发明人：武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：制造FINFET的方法可包括在半导体鳍中形成间隔开的源极和漏极区域，在它们之间具有延伸的沟道区域。可通过掺杂剂扩散阻挡超晶格将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域，其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度。该方法还可包括在该沟道区域上形成栅极，在该上部区域上沉积至少一个金属层，和施加热以使非半导体原子从非半导体单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面。
制造具有减小接触电阻 finfet 方法

[发明专利]包括源极和漏极区域与掺杂剂扩散阻挡超晶格层以减小接触电阻的FINFET和相关方法-CN201980085367.9在审
发明人：武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：FINFET可包括半导体鳍，在半导体鳍中间隔开的源极和漏极区域与在它们之间延伸的沟道区域，和将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域的至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格，其中上部区域具有与下部区域相同的传导率和比下部区域高的掺杂剂浓度。掺杂剂扩散阻挡超晶格可包括多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。FINFET还可包括在沟道区域上的栅极。
包括区域掺杂扩散阻挡晶格减小接触电阻 finfet 相关方法

[发明专利]制造具有减小的接触电阻的半导体器件的方法-CN201980085371.5在审
发明人：武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法可包括在半导体层中形成间隔开的源极和漏极区域(102’，103’)，在它们之间具有延伸的沟道区域(130’)。可通过掺杂剂扩散阻挡超晶格(125’)将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域(104’，106’)和上部区域(105’，107’)，其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度。该方法还可包括在该沟道区域上形成栅极(108’)，在该上部区域上沉积至少一个金属层，和施加热以使非半导体原子从非半导体单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面。
制造具有减小接触电阻半导体器件方法

[发明专利]数字助理用户界面和响应模式-CN202010980536.X在审
发明人： N·埃利斯;O·B·阿拉比;R·伯顿;R·R·德林格;T·R·法齐奥;C·M·费德里奇;R·P·菲什;N·戈特比;J·N·琼斯;川岛家幸;S·O·勒梅;P·马里;A·穆塞戈;J·帕尔默;P·塞劳多姆;A·V·西姆斯;T·M·史密斯;T·特兰;R·A·瓦尔克二世 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G06F3/0488 文献下载
摘要：本公开涉及数字助理用户界面和响应模式。一种示例性过程包括：在显示不同于数字助理用户界面的用户界面时，接收用户输入；根据确定所述用户输入满足用于发起数字助理的标准：在所述用户界面之上显示所述数字助理用户界面，所述数字助理用户界面包括：数字助理指示符，所述数字助理指示符显示在显示器的第一部分处；以及响应示能表示，所述响应示能表示显示在所述显示器的第二部分处；其中：所述用户界面的一部分在所述显示器的第三部分处保持可见；并且所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间。
数字助理用户界面响应模式

1
2
下一页»
尾页
共 18 条