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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于处理腔室的改良的隔离器-CN202280014221.7在审
发明人： A·达纳克什鲁尔;S·佩马萨尼;M·G·库尔卡尼;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。
用于处理改良隔离器

[发明专利]使用电容耦合等离子体的氧化硅间隙填充-CN202180084867.8在审
发明人： M·S·K·穆蒂亚拉;D·帕德希;H·俞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括经由半导体处理腔室的面板将前驱物引入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括使含氧前驱物从半导体处理腔室的基座下方流入处理区域。基座可支撑基板。基板可在基板的表面中限定沟槽。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成前驱物的第一等离子体。所述方法可包括在沟槽内沉积第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中形成第二等离子体。所述方法可包括在使含氧前驱物流动的同时蚀刻第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中重新形成第一等离子体。所述方法也可包括在经蚀刻的氧化物膜上沉积第二氧化物膜。
使用电容耦合等离子体氧化间隙填充

[发明专利]减少多层PECVD TEOS氧化物膜中的缺陷的方法-CN202180077769.1在审
发明人： R·豪莱德;H·俞;M·S·K·穆蒂亚拉;Z·J·叶;A·凯什里;S·卡马斯;D·R·B·拉吉;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括执行沉积工艺。沉积工艺可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可包括暂停等离子体在半导体处理腔室内的形成。所述方法可包括与所述暂停同时地，将静电卡紧的第一电压增大至第二电压。所述方法可包括净化半导体处理腔室的处理区域。
减少多层 pecvd teos 氧化物中的缺陷方法

[发明专利]通过局部离子增强等离子体(IEP)的晶片非均匀性微调-CN202180064293.8在审
发明人： S·佩马萨尼;A·达纳克什鲁尔;M·G·库尔卡尼;K·C·保罗;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。
通过局部离子增强等离子体 iep 晶片均匀微调

[发明专利]用于等离子体沉积的初始调制-CN202080088923.0在审
发明人： M·S·K·穆蒂亚拉;S·卡玛斯;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内使含硅前驱物的第一流率斜变(ramping)为第二流率，第二流率大于第一流率。方法可包括在半导体基板上沉积含硅材料。
用于等离子体沉积初始调制

[发明专利]多区静电吸盘-CN202080088027.4在审
发明人： M·S·K·穆蒂亚拉;S·卡玛斯;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
静电吸盘

[发明专利]表面被覆材料层-CN202080081708.8在审
发明人： M·S·K·穆蒂亚拉;S·卡玛斯;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：示例性的沉积方法可包括：将含硅前驱物和载体前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物和载体前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积第一数量的含硅材料。沉积可在第一腔室压力下发生。方法可包括：将第一腔室压力调整至比第一腔室压力要小的第二腔室压力。方法可包括：在第一数量的含硅材料上沉积第二数量的含硅材料。
表面被覆材料

[发明专利]排斥网和沉积方法-CN202080068901.8在审
发明人： M·S·K·穆蒂亚拉;S·卡玛斯;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：停止在半导体处理腔室内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：与所述停止步骤同时，将静电卡紧的第一电压增加到第二电压。所述方法可以包括以下步骤：净化半导体处理腔室的处理区域。
排斥沉积方法

[发明专利]多通道分离器线轴-CN202080016080.3在审
发明人： S·卡玛斯;D·帕德希;A·R·巴曼;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中，气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比第一气体管线的空间要小的空间。较小的第二气体管线将通过加热器护套包覆。由于第二气体管线的较小的空间，当第一气体流动通过第二气体管线时，加热器护套将充分加热第一气体，从而在第一气体在气体管线系统中与第二气体相遇时，消除在常规气体管线系统中发生的凝结引发的粒子缺陷。
通道分离器线轴

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