“M·G·库尔卡尼”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于处理腔室的改良的隔离器-CN202280014221.7在审
发明人： A·达纳克什鲁尔;S·佩马萨尼;M·G·库尔卡尼;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。
用于处理改良隔离器

[发明专利]用于半导体加工的高热量损失加热器与静电卡盘-CN202180072311.7在审
发明人：黎坚;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;M·G·库尔卡尼;P·L·布里尔哈特;V·斯里尼瓦萨穆尔西;K·吴;W·张 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性基板支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体，所述支撑表面限定基板座。基板支撑表面可包括介电涂层。基板支撑组件可包括支撑杆，所述支撑杆与静电卡盘主体耦接。基板支撑组件可包括冷却毂，所述冷却毂定位在支撑杆的基部下方并且与冷却流体源耦接。静电卡盘主体可限定与冷却流体源连通的至少一个冷却通道。基板支撑组件可包括加热器，所述加热器嵌入静电卡盘主体内。基板支撑组件可包括AC电源棒，所述AC电源棒延伸穿过支撑杆并与加热器电耦接。基板支撑组件可包括多个空隙，所述多个空隙形成在至少一个冷却通道和加热器之间的静电卡盘主体内。
用于半导体加工热量损失加热器静电卡盘

[发明专利]通过局部离子增强等离子体(IEP)的晶片非均匀性微调-CN202180064293.8在审
发明人： S·佩马萨尼;A·达纳克什鲁尔;M·G·库尔卡尼;K·C·保罗;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。
通过局部离子增强等离子体 iep 晶片均匀微调

[发明专利]用于半导体处理腔室的非对称排气泵送板设计-CN202180048269.5在审
发明人： A·古那吉;M·G·库尔卡尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，腔室主体包括侧壁和基座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的基座的基板支撑件。基板支撑件可包括被配置成支撑半导体基板的支撑平台。基板支撑件可包括与支撑平台耦接的轴。腔室可包括偏离基座的中心的前级导管以及耦接到前级导管的排气空间，前级导管用于从腔室主体排出气体。腔室可包括泵送板，泵送板包括延伸穿过的中心孔的轴，并且进一步包括用于将气体的至少一部分从腔室主体导引至排气空间的出口孔。出口孔可设置在与前级导管相对的位置处，以减少气流的不均匀性。
用于半导体处理对称气泵设计

[发明专利]VNAND拉伸厚TEOS氧化物-CN201680047305.5有效
发明人： M·W·蒋;P·P·杰哈;韩新海;金柏涵;金相赫;朱明勋;朴亨珍;金伦宽;孙镇哲;S·格纳纳威路;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;M·K·莎莱扎;J·K·福斯特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
vnand 拉伸 teos 氧化物

[发明专利]多区域虚拟覆盖广域网-CN202110118758.5在审
发明人： M·G·库尔卡尼;P·K·辛格;P·L·玛汉;M·K·达塔;T·E·特迪詹托;D·J·恩尼斯 -专利权人：银峰系统公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04L12/46 文献下载
摘要：本文中所公开的是用于从多个专用网络装置创建、管理以及利用多区域虚拟覆盖广域网的系统和方法。在示例性的实施例中，多个区域被创建用于虚拟覆盖广域网，每个区域具有其自身的网络拓扑。来自每个区域的至少一个网络装置与来自每个其他区域的至少一个网络装置通信，以用于虚拟覆盖广域网内的区域间(inter‑region)连接性。子网共享协议可以被利用以在每个区域内的每个网络装置间、以及在每个区域之间交换路由信息。
区域虚拟覆盖广域网

[发明专利]用于高产量处理腔室的工艺套件-CN202010128359.2有效
发明人： K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;祝基恩;S·金;王彦杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
用于产量处理工艺套件

[发明专利]用于基于策略的分组处理的方法、设备和系统-CN202110119141.5在审
发明人： D·A·休格斯;M·K·达塔;M·G·库尔卡尼;P·K·辛格;D·J·恩尼斯;T·E·特迪詹托;P·L·玛汉;严博文;尹志刚;K·T·K·吴;G·拉克什玛南;R·格文达劳;S·萨兰加帕尼 -专利权人：银峰系统公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于基于策略的分组处理的方法、设备和系统。提供了用于基于策略的广域网的方法、装置和系统。网络装置的网络被配置有策略配置。每个网络装置被配置为针对策略配置验证每个广域网分组。验证可以包括证实分组是否满足SD‑WAN网络分段要求和安全规则，其包括证实分组的源地址和目的地地址是否满足防火墙区域要求。每个广域网分组包含策略头部，其由发送和接收网络装置针对策略配置头部被检查。
用于基于策略分组处理方法设备系统

[发明专利]安全多播数据业务通过计算机网络的传输-CN202110102787.2在审
发明人： M·K·达塔;E·P·特拉瓦利亚;G·西卡;M·G·库尔卡尼;D·J·恩尼斯;P·K·辛格;T·E·特迪詹托 -专利权人：银峰系统公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H04L12/751 文献下载
摘要：本文中公开了用于多播数据通过公共通信网络的可缩放且安全的传输的系统和方法。在本公开的示例性实施例中，虚拟覆盖网络可以被呈现为到计算设备的单个虚拟接口，以用于跨公共不安全通信网络以安全且可缩放的方式接收和传输多播数据。
安全数据业务通过计算机网络传输

[发明专利]用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备-CN201980033026.7在审
发明人： S·S·阿迪帕利;S·卡坦布里;M·G·库尔卡尼;H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提;V·K·普拉巴卡尔;爱德华四世·P·哈蒙德;J·C·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。
用于等离子体增强化学沉积腔室中抑制寄生设备

[发明专利]用于高产量处理腔室的工艺套件-CN201510964982.0有效
发明人： K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;祝基恩;S·金;王彦杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
用于产量处理工艺套件

[实用新型]流体输送组件和用于处理半导体基板的装置-CN201920459396.4有效
发明人： A·古纳吉;T·A·(麦克)·恩古耶;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;K·朗厄兰德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容涉及流体输送组件和用于处理半导体基板的装置。本公开内容关于用于与半导体工艺腔室一起使用的流体输送系统组件。一系列三通阀控制工艺流体导管之间的工艺流体流动，所述工艺流体导管通向所述工艺腔室和转向导管。
工艺流体导管半导体工艺腔室流体输送系统流体输送组件半导体基板工艺腔室三通阀流动

[发明专利]包含流动隔离环的处理套组-CN201680023407.3有效
发明人： D·R·杜鲍斯;K·高希;祝基恩;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;王彦杰;S·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
包含流动隔离处理

[实用新型]用于处理基板的基板支撑组件-CN201720958948.7有效
发明人： K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;P·P·贾;K·尼塔拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本文公开的实施方式总体提供一种用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括一个或多个升降杆，每个升降杆包括第一末端和第二末端，所述第二末端通过轴耦接至所述第一末端，所述第一末端具有平面的顶表面和扩口部分，所述扩口部分设置在所述平面的顶表面与所述轴之间；以及具有基板支撑表面的基板支撑件，所述基板支撑件包括多个通孔，其中所述多个通孔的尺寸被设定为允许所述升降杆穿过，并且每个孔具有外围内表面，所述外围内表面以一斜率设置以使得每个升降杆的所述扩口部分当与所述外围内表面接触时提供0.001密耳至21密耳的所述基板支撑表面与所述平面的顶表面之间的距离。
升降杆基板支撑组件顶表面内表面平面的扩口基板支撑表面基板支撑件处理基板外围通孔轴耦穿过

[实用新型]定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件-CN201621195983.X有效
发明人： K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;P·P·贾;K·尼塔拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
定位升降用于处理支撑组件

1
2
下一页»
尾页
共 16 条