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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]与SRAM存储平面和非易失性存储平面相关联的、针对意外翻转而硬化的存储器装置-CN201811487628.3有效
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明涉及与SRAM存储平面和非易失性存储平面相关联的、针对意外翻转而硬化的存储器装置。SRAM基本存储器单元(CELSR)的pMOS晶体管(P1、P2)具有电容器(C1、C2)，其第一电极(ELC1)由对应晶体管的栅极形成，其第二电极(ELC2)例如连接至对应反相器的输出端。
sram 存储平面非易失性相关针对意外转而硬化存储器装置

[发明专利]具有存储器尺寸的非易失性存储器设备-CN201910460332.0有效
发明人： F·塔耶;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种具有存储器尺寸的非易失性存储器设备，包括输入/输出接口、被耦合到输入/输出接口的SPI类型的总线以及被连接到SPI类型的总线的多个个体非易失性存储器设备。每个个体存储器设备的芯片选择输入全部被连接到SPI总线的同一个芯片选择线路。个体存储器设备还被配置并且可以控制为从输入/输出接口来看表现为单个非易失性存储器设备，该存储器设备的总存储器空间具有等于个体设备的个体存储器容量的总和的总存储器容量。
具有存储器尺寸非易失性存储器设备

[发明专利]具有受限尺寸的非易失性存储器-CN201810879079.8有效
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有受限尺寸的非易失性存储器。一种存储器设备包括：存储器平面，包括第一导电类型的一系列相邻半导体凹槽，其中每个半导体凹槽容纳包括多个存储器单元的多个存储器字，其中每个存储器单元包括具有浮置栅极和控制栅极的状态晶体管。存储器设备还包括被分别分配给多个存储器字中的每个存储器字的多个控制栅极选择晶体管，其中每个控制栅极选择晶体管被耦合到该控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的状态晶体管的控制栅极，其中每个控制栅极选择晶体管位于容纳该控制栅极选择晶体管被分配给的存储器字的半导体凹槽的相邻半导体凹槽中和该相邻半导体凹槽上。
具有受限尺寸非易失性存储器

[发明专利]用于电磁应答器的电压和功率限制器-CN201910066962.X有效
发明人： M·巴蒂斯塔;G·巴斯;F·塔耶 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06K7/10 文献下载
摘要：本公开涉及用于电磁应答器的电压和功率限制器。提供一种电磁应答器，其包括：谐振电路；具有跨谐振电路连接的输入端子并且具有提供电子电路供电电压的整流输出端子的整流桥；以及用于限制跨谐振电路的电压的器件，所述器件连接在整流桥的输入端子之间。
用于电磁应答器电压功率限制器

[发明专利]包括邻近晶体管的集成结构-CN201810167308.3有效
发明人： M·巴蒂斯塔;F·塔耶特 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及包括邻近晶体管的集成结构。该集成结构包括具有覆在第一栅极电介质之上的第一可控栅极区域的第一MOS晶体管以及邻近第一MOS晶体管并且具有覆在第一栅极电介质之上的第二可控栅极区域的第二MOS晶体管。公共传导区域覆在第一栅极区域和第二栅极区域之上并且通过第二栅极电介质与其分离。公共传导区域包括定位在第一栅极区域和第二栅极区域的部分之上的连续元件以及从连续元件朝向衬底向下延伸直到第一栅极电介质的分支。分支被定位在第一栅极区域和第二栅极区域之间。
包括邻近晶体管集成结构

[发明专利]用于寻址I2-CN201810254645.6有效
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本公开提供用于寻址I2C总线上的非易失性存储器的方法和对应的存储器设备。一些实施例包括一种用于寻址用于I2C类型总线上的EEPROM类型的非易失性存储器的集成电路的方法。存储器包括J个硬件标识引脚，其中，J是处于1与3之间的整数，J个硬件标识引脚被分配以限定在J位上的分配代码的相应电位。方法包括：当分配代码等于J位上的固定参考代码时选择性地使用的寻址的第一模式，以及当分配代码不同于参考代码时选择性地使用的寻址的第二模式。在第一模式中，非易失性存储器的存储器平面通过包含于从地址的最后低阶位中和接收的头N个字节中的存储器地址来寻址。在第二模式中，存储器平面通过包含于接收的头N+1个字节中的存储器地址来寻址。
用于寻址 base sup

[实用新型]集成电路-CN202120221083.2有效
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及集成电路。一种实施例集成电路包括存储器设备，存储器设备，包括至少一个存储器点，至少一个存储器点包括：易失性存储器单元和单个非易失性存储器单元，一起被耦合到公共节点；以及单个选择晶体管，被耦合在公共节点与单个位线之间，其中易失性存储器单元的第一输出被耦合到公共节点，以及其中易失性存储器单元的第二输出未被连接至易失性存储器单元外部的任何节点，第二输出与第一输出互补。利用本公开的实施例，不仅允许适应来自较小电容器的电压的可能更快的下降，而且还允许最佳地使用由电容器供应的可用能量。
集成电路

[发明专利]EEPROM存储器设备和对应方法-CN202110179558.0在审
发明人： F·塔耶;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及EEPROM存储器设备和对应方法。电可擦除可编程只读存储器类型的存储器设备包括写入电路装置，写入电路装置被设计为：响应于接收到用于写入在存储器平面的至少一个选中存储器字中的至少一个选中字节的命令，进行写入操作，写入操作包括跟随有编程周期的擦除周期，并且写入电路装置被配置用于在擦除周期期间：在至少一个选中存储器字的所有字节的存储器单元中生成擦除电压，并且生成擦除禁止电位，擦除禁止电位相对于擦除电压被配置，以防止擦除至少一个选中存储器字的未选中字节的存储器单元，该未选中字节不是至少一个选中字节。
eeprom 存储器设备对应方法

[发明专利]非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法-CN202110108003.7在审
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法。一种实施例集成电路包括存储器设备，存储器设备包括至少一个存储器点，至少一个存储器点具有一起被耦合到公共节点的易失性存储器单元和单个非易失性存储器单元。
非易失性静态随机存取存储器对应控制方法

[发明专利]具有射频功能的电子设备-CN201811549609.9有效
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有射频功能的电子设备。一种电子设备包括：通过至少一个处于第一基准电压的端子进行连接的至少一个处理电路；至少连接至所述基准电压的至少一个射频通信电路；意在要被置于处于该设备之外的至少一个电子电路的第二基准电压的至少一个第一焊盘；以及在所述端子和所述第一焊盘之间的至少一个第一电阻阻抗。
具有射频功能电子设备

[发明专利]用于EEPROM类型的存储器器件的故障控制-CN201610102941.5有效
发明人： F·塔耶;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供用于EEPROM类型的存储器器件的故障控制。一种用于检查由电源电压供电并且与上电重置电路相关联的电可擦除可编程只读存储器类型的器件的操作的方法。该方法包括：实施对应于器件的操作的阶段的至少一个试验性操作，其被识别为在电源电压的下降低于给定值的情况下倾向于故障的阶段；在存储器器件的操作期间执行至少一个试验性操作；以及分析试验性操作的结果，以检测通过未通过复位电路防止的任何故障。
用于 eeprom 类型存储器器件故障控制

[发明专利]用于管理EEPROM的写入周期的方法-CN201610105870.4有效
发明人： F·塔耶;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种控制用于向在供给电压所供电的电子电路中设置的电可编程及可擦除只读存储器类型的至少一个存储器槽写入至少一个数据项的周期的方法，包括在供给电压减小的情况下写入周期的持续时间的受控增大。
用于管理 eeprom 写入周期方法

[实用新型]非易失性存储器集成电路-CN202020638963.5有效
发明人： F·塔耶;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及非易失性存储器集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。
非易失性存储器集成电路

[发明专利]用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路-CN202010335378.2在审
发明人： F·塔耶;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路。公开了用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法和集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。
用于 eeprom 存储器写入方法对应集成电路

[实用新型]非易失性静态随机存取存储器-CN201921160983.X有效
发明人： F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及非易失性静态随机存取存储器。非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)单元包括SRAM单元和单个EEPROM单元。第一门基于字级字线信号将SRAM单元耦合到位线。EEPROM具有接收控制栅极信号的控制端子。第二门基于EEPROM读取信号将EEPROM耦合到位线。第三门基于重新加载信号将SRAM单元耦合到EEPROM。电源锁存器生成用于SRAM单元的电源信号。控制栅极锁存器生成控制栅极信号，控制栅极锁存器在擦除信号和电源信号都处于逻辑高时置位，或者在编程信号和电源信号的补信号都处于逻辑高时置位，并且在读取信号处于逻辑高时复位。
非易失性静态随机存取存储器

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