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- [发明专利]用于制造绝缘体上半导体衬底的方法-CN202080021426.9在审
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M·波卡特;阿诺德·卡斯泰
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索泰克公司
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2020-03-26
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2021-11-02
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H01L21/762
- 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底(1)，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底(2)；通过发起从界面的外围(11)的第一区域(13)开始的结合波(3)并且使该波朝向所述界面的外围(11)的与第一区域(13)相对的第二区域(14)传播，将供体衬底(1)结合至受体衬底(2)上，待转移层位于结合界面(10)的那一侧上，结合波(3)的传播速度在中心部分(12)中比在外围部分(11)中低；以及沿着弱化区分离供体衬底(1)以便将待转移层转移到受体衬底(2)上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面(10)的外围部分(11)与中心部分(12)之间的传播速度的差。
- 用于制造绝缘体上半导体衬底方法
- [发明专利]用于转移层的处理-CN201511034378.4有效
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M·波卡特
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索泰克公司
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2015-11-12
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2020-03-13
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H01L21/02
- 用于转移层的处理。本发明涉及一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤；将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及，将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤，所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌。
- 用于转移处理
- [发明专利]用于机械地分离层的方法-CN201610391128.4有效
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M·波卡特;I·拉杜;迪迪埃·朗德吕
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索泰克公司
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2016-06-03
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2020-01-31
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H01L21/78
- 用于机械地分离层的方法。用于双层转移的机械分离的方法。本发明涉及一种用于机械地分离层的方法，特别是在双层转移工艺中。本发明更具体地涉及一种用于机械地分离层的方法，所述方法包括以下步骤：设置包括处理衬底的层(204)以及具有前主侧(209)和与所述前主侧(209)相反的后主侧(211)的有源层(202)的半导体复合体(206)，其中，处理衬底的层(204)被附接至有源层(202)的前主侧(209)；然后将载体衬底的层(207)设置至所述有源层(202)的后主侧(211)上；以及然后，启动处理衬底的层(204)的机械分离，其中，处理衬底的层(204)和载体衬底的层(207)被设置有基本上对称的机械结构。
- 用于双层转移机械分离方法
- [发明专利]用于转移电路层的工艺-CN201480034836.1有效
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M·波卡特;L·马里尼耶
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SOITEC公司
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2014-06-16
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2018-04-24
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H01L21/56
- 本发明涉及一种用于转移隐埋电路层(2)的工艺。该工艺的特征在于，其包括下列步骤取得施主衬底(1，1’)，所述施主衬底在内部包括用于停止刻蚀的区域(7，7’)，并且所述施主衬底在其表面中被称为“前”侧的一个表面(12)覆盖有电路层(2)；在所述施主衬底的覆盖有电路层(2)的一侧，在所述施主衬底的整个圆周上形成外围凹槽(3)或进行外围加工(3’)，所述凹槽在距该衬底(1，1’)的横向边缘(13)一定距离处延伸，所述加工(3’)或所述凹槽(3)形成得足够深以完整穿过电路层(2)并且延伸进入施主衬底(1，1’)；在所述电路层(2)的暴露侧(21)上以及经加工表面(13’)上或所述凹槽(3)的壁上沉积被称为“第二停止层”的用于选择性地停止所述电路层(2)的刻蚀的材料层(4)，而不封堵所述凹槽(3)；在由所述第二停止层(4)覆盖的侧将受主衬底(5)结合至所述施主衬底(1，1’)；通过化学刻蚀施主衬底(1)的背侧(11)减薄施主衬底，直到达到所述用于停止刻蚀的区域(7，7’)，从而实现所述隐埋电路层(2)到所述受主衬底(5)的转移。
- 用于转移电路工艺
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