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[发明专利]用于基板处理平台的RF阻抗匹配网络-CN202280019045.6在审
发明人：郭岳;K·K·库坦奈尔;J·于;K·拉马斯瓦米;杨扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-05-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供用于处理基板的使用匹配网络的方法和装置。例如，一种被配置为与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络，包括：本地控制器，所述本地控制器可连接至等离子体处理腔室的系统控制器；第一电动电容器，所述第一电动电容器连接至本地控制器；第二电动电容器，所述第二电动电容器连接至第一电动电容器；第一传感器和第二传感器，所述第一传感器在匹配网络的输入处，所述第二传感器在匹配网络的输出处，用于分别获得线内RF电压、电流、相位、谐波和阻抗数据；以及以太网控制自动化技术(EtherCAT)通信接口，所述EtherCAT通信接口将本地控制器连接至第一电动电容器、第二电动电容器、第一传感器以及第二传感器。
用于处理平台 rf 阻抗匹配网络

[发明专利]用于处理基板的方法及设备-CN202180092523.1在审
发明人： J·普洛斯;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号传输到处理腔室；第一可变电容器，所述第一可变电容器设置在所述输入端与所述输出端之间；第二可变电容器，所述第二可变电容器与所述第一可变电容器并联设置；MEMS阵列，所述MEMS阵列包括与第一可变电容器串联连接的多个可变电容器；以及控制器，所述控制器被配置为在用于高功率操作的第一频率与用于低功率操作的第二频率之间调谐所述匹配网络。
用于处理方法设备

[发明专利]具有增强边缘密封的用于高功率的工件载体-CN201780032218.7有效
发明人： K·拉马斯瓦米;张纯磊;王海涛;V·D·帕科;赵在龙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。
具有增强边缘密封用于功率工件载体

[发明专利]具有气体孔中的孔径减小的插塞的高功率静电卡盘-CN202310622201.4在审
发明人：赵在龙;王海涛;V·D·帕科;K·拉马斯瓦米;张纯磊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。
具有气体中的孔径减小功率静电卡盘

[发明专利]实时工艺特性分析-CN202310473128.9在审
发明人： L·泰德斯奇;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：实施例包括工艺监测装置及使用这种工艺监测装置的方法。在实施例中，该工艺监测装置包括一基板。该工艺监测装置亦可包括多个传感器，该多个传感器形成在该基板的一支撑面上。按照实施例，每个传感器能够产生对应于一处理状况的一输出信号。此外，实施例包括一工艺监测装置，其包括形成在该基板上的一网络接口装置。按照实施例，该多个传感器的每一个通信耦合至该网络接口装置。该网络接口装置允许在处理操作期间将得自所述传感器的所述输出信号无线传送至一外部计算机。
实时工艺特性分析

[发明专利]用于处理基板的方法和装置-CN202180080506.6在审
发明人： J·普洛斯;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号递送至处理腔室；第一可变电容器，所述第一可变电容器被设置在所述输入端与所述输出端之间；第二可变电容器，所述第二可变电容器与所述第一可变电容器并联设置；第三可变电容器，所述第三可变电容器与所述第一可变电容器和所述第二可变电容器中的每一者并联连接，并且与晶体管开关串联连接；以及控制器，所述控制器被配置为在用于高功率操作的第一频率与用于低功率操作的第二频率之间调谐所述匹配网络。
用于处理方法装置

[发明专利]具有射频耦合的高功率静电夹盘设计-CN201780002052.4有效
发明人：赵在龙;V·D·帕科;H·王;K·拉马斯瓦米;张纯磊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：描述了一种静电夹盘，其具有射频耦合、适合使用在高功率等离子体环境中。在一些示例中，夹盘包含基底板、顶板、在顶板中邻近顶板的顶表面以静电夹紧工件的第一电极、以及在顶板中与第一电极间隔开的第二电极，第一与第二电极耦合至电源以对第一电极静电充电。
具有射频耦合功率静电设计

[发明专利]具有气体孔中的孔径减小的插塞的高功率静电卡盘-CN201780034376.6有效
发明人：赵在龙;王海涛;V·D·帕科;K·拉马斯瓦米;张纯磊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。
具有气体中的孔径减小功率静电卡盘

[发明专利]实时工艺特性分析-CN201680079917.2有效
发明人： L·泰德斯奇;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：实施例包括工艺监测装置及使用这种工艺监测装置的方法。在实施例中，该工艺监测装置包括一基板。该工艺监测装置亦可包括多个传感器，该多个传感器形成在该基板的一支撑面上。按照实施例，每个传感器能够产生对应于一处理状况的一输出信号。此外，实施例包括一工艺监测装置，其包括形成在该基板上的一网络接口装置。按照实施例，该多个传感器的每一个通信耦合至该网络接口装置。该网络接口装置允许在处理操作期间将得自所述传感器的所述输出信号无线传送至一外部计算机。
实时工艺特性分析

[发明专利]电压脉冲的时域复用-CN202280005747.9在审
发明人： K·拉马斯瓦米;杨扬;郭岳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-08-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供的实施例总体包括用于产生对处理腔室中的基板进行等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统和方法。一个实施例包括波形产生器，所述波形产生器具有电压源电路系统、耦合在电压源电路系统与波形产生器的第一输出节点之间的第一开关、以及耦合在第一输出节点与电气接地节点之间的第二开关，第一输出节点被配置为耦合到腔室。波形产生器还包括耦合在电压源电路系统与波形产生器的第二输出节点之间的第三开关、以及耦合在第二输出节点与电气接地节点之间的第四开关，第二输出节点被配置为耦合到腔室。
电压脉冲时域

[发明专利]用于基板处理的脉冲电压增压-CN202280005624.5在审
发明人：杨扬;郭岳;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供的实施例大体包括用于提升处理腔室中电极电压的设备、等离子体处理系统和方法。示例等离子体处理系统包括处理腔室、多个开关、设置在处理腔室中的电极、电压源和电容元件。电压源经由多个开关中的一个开关选择性地耦合到电极。电容元件经由多个开关中的一个开关选择性地耦合到电极。电容元件和电压源并联耦合到电极。多个开关被配置成在第一阶段期间将电容元件和电压源耦合到电极，在第二阶段期间将电容元件和电极耦合到接地节点，并且在第三阶段期间将电容元件耦合到电极。
用于处理脉冲电压增压

[发明专利]具有以直接上转换对微波场的旋转频率进行的数字控制的等离子体反应器-CN202010161061.1有效
发明人：小林悟;菅井英夫;S·朴;K·拉马斯瓦米;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：涉及具有以直接上转换对微波场的旋转频率进行的数字控制的等离子体反应器。一种用于处理工件的等离子体反应器具有微波源与用户接口，微波源具有使用直接数字上转换的数字同步的旋转频率，用户接口用于控制该旋转频率。
具有接上转换微波旋转频率进行数字控制等离子体反应器

[发明专利]使用脉冲电压和射频功率的等离子体处理-CN202180033056.5在审
发明人： L·多尔夫;R·丁德萨;J·罗杰斯;D·S·卞;E·卡米内茨基;郭岳;K·拉马斯瓦米;V·N·托多罗;O·卢艾莱 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文中所提供的本公开的实施例包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置和方法。更具体地，本公开的实施例描述一种偏置机制，所述偏置机制被配置成将从RF发生器射频(RF)产生的RF波形提供至处理腔室内的一个或多个电极，且将从一个或多个脉冲电压(PV)发生器输送的脉冲电压(PV)波形提供至处理腔室内的一个或多个电极。本文所公开的(多个)等离子体工艺可用于控制离子能量分布函数(IEDF)的形状，以及在等离子体处理期间控制等离子体与基板表面的相互作用。
使用脉冲电压射频功率等离子体处理

[发明专利]自知生产晶片-CN201680080073.3有效
发明人： L·泰德斯奇;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：实施例包括自知基板和用于利用自知基板的方法。在一个实施例中，处理自知基板的方法可包括启动自知基板上的处理操作。处理操作可以是在生产基板上的功能装置的制造中所使用的任何处理操作。该方法可进一步包括接收来自自知基板上的一或多个传感器的输出信号。在一些实施例中，一或多个传感器形成在基板的非生产区域上。该方法可进一步包括将输出信号和与一或多个处理条件相关联的端点标准比较。例如，端点标准可与处理条件(如膜厚度)相关联。该方法可进一步包括当满足该端点标准时，结束该处理操作。
自知生产晶片

[发明专利]具有减少的背侧等离子体点火的喷淋头-CN201680058493.1有效
发明人：王海涛;H·诺巴卡施;张纯磊;S·F·庄司;K·拉马斯瓦米;R·史密斯;B·L·梅斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例关于在处理腔室中使用的喷淋头组件。喷淋头组件包括多孔插入件，该多孔插入件布置于气体分配板与底板之间的空间中，以缓和由等离子体点火导致的侵蚀性基团，从而减少腔室中的颗粒问题及金属污染。多孔插入件是诸如金属之类的导电材料，用以减少间隙电场强度，或可以是诸如陶瓷、聚四氟乙烯、聚酰胺酰亚胺或其他在高频及强电场的条件下具有低介电损失及高电场强度的材料之类的介电材料。如此，电击穿阈值被增强。多孔插入件可减少和/或消除喷淋头背侧等离子体点火，且可包括覆盖气体分配板的气孔的多个同心窄环。
具有减少等离子体点火喷淋

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