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[发明专利]污染减少系统-CN202180090359.0在审
发明人： V·克冯;A·M·雅库尼恩;M·A·范德克尔克霍夫;D·I·阿施塔克霍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种污染减少系统，用于减少等离子体环境中的图案化系统的污染，其包括：支撑件，被布置成将图案化系统保持在辐射束中；遮光件，被配置成为图案化系统遮挡辐射束的一部分；以及电极，定位在遮光件和支撑件之间，电极连接到电压源，并被配置成在电极和由支撑件保持的图案化系统之间产生电场。
污染减少系统

[发明专利]图案形成装置调节系统以及方法-CN202080071627.X在审
发明人： M·A·范德柯克霍夫;F·M·J·H·范德维特林;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种掩模版调节系统，包括：支撑结构，该支撑结构用于支撑掩模版；气体供应模块，该气体供应模块用于提供邻近于掩模版的气流；以及偏压模块，该偏压模块用于控制掩模版的电势。偏压模块包括第一电极、第二电极和电源。第一电极和第二电极每一个与掩模版间隔开，并且面向掩模版以与掩模版至少部分地重叠。电源被布置成将第一电极保持在正电压并且将第二电极保持在负电压，这些电压使得掩模版的电压为负。第二电极被设置成使得在使用中，第二电极不与掩模版的图像形成部分重叠。
图案形成装置调节系统以及方法

[发明专利]用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备-CN202111335991.5在审
发明人：安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫;V·Y·班尼恩;约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普;阿尔扬·布格阿德;弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因;阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫;玛丽亚·皮特;L·斯卡克卡巴拉兹;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
用于光刻设备包括这种

[发明专利]包括静电夹具的设备和方法-CN202080034454.4在审
发明人： A·M·雅库尼恩;R·范德威克;M·范卡朋;M·A·范德科霍夫;A·拉塞 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种设备，包括：静电夹具，所述静电夹具用于夹持部件；和用于在所述静电夹具相邻处产生自由电荷的机构。所述静电夹具包括一电极或多个电极。所述设备被配置成：在第一模式中操作，在所述第一模式中，所述电极或每个电极被设置处于一电位，使得在所述静电夹具与所述部件之间产生夹持电场以夹持所述部件；在第二模式中操作，在所述第二模式中，所述电极的所述电位或每个电极的每个电位被设置成对所述部件的夹持被松开；和在第三模式中操作，在所述第三模式中，所述电极的所述电位或每个电极的每个电位被设置成使得与在所述第一模式或第二模式中操作相比，由所述机构产生的通往所述部件的与所述静电夹具相邻的表面的自由电荷的通量增加。
包括静电夹具设备方法

[发明专利]用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备-CN201910757335.0有效
发明人：安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫;V·Y·班尼恩;约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普;阿尔扬·布格阿德;弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因;阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫;玛丽亚·皮特;L·斯卡克卡巴拉兹;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
用于光刻设备包括这种

[发明专利]用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备-CN201580036687.7有效
发明人：安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫;V·Y·班尼恩;约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普;阿尔扬·布格阿德;弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因;阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫;玛丽亚·皮特;L·斯卡克卡巴拉兹;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
用于光刻设备包括这种

[发明专利]辐射源-CN201880060612.6在审
发明人： A·M·雅库尼恩;J·A·C·M·皮耶宁堡;C.G.N.H.M.柯林 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种辐射源配置成提供EUV辐射，所述辐射源包括燃料发射器和激光系统。燃料发射器配置成将燃料目标提供至等离子体形成区。激光系统被配置为当燃料目标位于等离子体形成区时用激光辐射照射燃料目标，以便将燃料目标的一部分转换成等离子体。特别地，激光系统配置成使得在垂直于激光辐射的传播方向的平面中，燃料目标处的激光辐射的横截面小于转换成等离子体的燃料目标的部分的横截面。这种辐射源提供相对于已知的激光产生等离子体(LPP)源具有改良的转换效率的激光产生等离子体源。
辐射源

[发明专利]光刻系统-CN201580010247.4有效
发明人：简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;M·库珀厄斯;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻系统，包括：具有失真投影系统(PS)的光刻设备(LA)；和辐射源(SO)，所述辐射源被配置为在等离子体形成位置(4)处生成发射EUV辐射的等离子体，发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源(SO)的光轴(OA)的平面内具有细长形状。
光刻系统

[发明专利]辐射源-CN201380026022.9有效
发明人： J·范斯库特;A·凯姆鹏;H·克鲁威尔;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种用于生成适于在光刻设备中使用的EUV辐射的辐射源，所述辐射源包括激光器，配置成用激光脉冲照射被供给燃料液滴的束流的目标区域。燃料液滴可以是锡液滴，其在被激光束激发时发射EUV辐射。EUV辐射通过收集器收集。锡液滴可以在主激光脉冲之前被激光预脉冲预调节，其目的在于改变液滴的形状，使得它们处于用于接收主激光脉冲的最佳状态。本发明的多个实施例考虑一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响，并允许调节主脉冲和/或预脉冲的时机，从而考虑在前的液滴蒸发所引起的随后的燃料液滴的到达的预定延迟或形状的振荡。
辐射源

[发明专利]多层反射镜和光刻设备-CN201210091159.X有效
发明人： A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层反射镜以及一种光刻设备。所述多层反射镜构造并布置成反射波长在大约6.4nm至大约7.2nm范围内的辐射。多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层。第一和第二层选自下列项构成的组：U(铀)或其化合物或其氮化物，和B₄C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B₄C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B₉C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B₄C层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B₉C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B₉C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；C(碳)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层。
多层反射光刻设备

[发明专利]用于控制EUV曝光剂量的方法和EUV光刻方法及使用这样的方法的设备-CN201210357911.0无效
发明人：简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;亨瑞克斯·罗伯特斯·玛丽·范格瑞文波奥克;V·V·伊万诺夫;A·M·雅库尼恩;H·J·M·柯鲁维尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了用于控制EUV曝光剂量的方法和EUV光刻方法及使用这样的方法的设备。光刻设备中的EUV曝光剂量通过改变转换效率而被从脉冲至脉冲控制，以该转换效率通过对应的激励激光辐射脉冲激励燃料材料产生EUV辐射脉冲。转换效率可以以几种不同的方式改变，通过改变与激光束相交的燃料材料的比例，和/或通过改变相互作用的品质。改变转换效率的机制可以基于激光脉冲时序的变化、预先脉冲能量的变化、和/或在一个或更多的方向上的主激光束的可变化的位移。可以包括保持所产生的EUV辐射的对称性的步骤。
用于控制 euv 曝光剂量方法光刻使用这样设备

[发明专利]光谱纯度滤光片、光刻设备以及用于制造光谱纯度滤光片的方法-CN200980137614.1有效
发明人： W·A·索尔;A·M·雅库尼恩;M·J·J·杰克;D·马修;H·J·凯特拉里基;F·C·范登荷尤维尔;P·E·M·库基皮尔斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种透射光谱纯度滤光片(100)，配置成透射极紫外辐射。光谱纯度滤光片(102F)包括滤光片部分(100)，所述滤光片部分(100)具有配置成透射极紫外辐射并抑制第二类型辐射的透射的多个孔(104)。每个孔(104)通过各向异性蚀刻工艺制造。
光谱纯度滤光光刻设备以及用于制造方法

[发明专利]辐射源、光刻设备以及器件制造方法-CN200980131716.2有效
发明人： M·J·J·杰克;W·A·索尔;M·M·J·W·范赫彭;V·Y·班尼恩;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光谱纯度滤光片，配置成允许极紫外(EUV)辐射透射通过其中并且折射或反射非极紫外伴随辐射。光谱纯度滤光片可以是源模块和/或光刻设备的一部分。
辐射源光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]辐射源、光刻设备以及器件制造方法-CN200980128327.4有效
发明人： A·M·雅库尼恩;V·Y·班尼恩;J·H·J·莫尔斯;L·A·斯佳梅诺克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光谱纯度滤光片，配置用以透射极紫外(EUV)辐射并偏转或吸收非极紫外伴随辐射。在一个实施例中，光谱纯度滤光片包括对极紫外辐射具有高的透射率的材料的主体和在所述主体的辐射入射侧面上对非极紫外伴随辐射具有高的反射性的材料的层。在一个实施例中，光谱纯度滤光片包括对极紫外辐射具有高的透射率的材料的主体和在所述主体的末端上的具有高发射率的材料的层。
辐射源光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]用于光刻设备的光学元件、包括这种光学元件的光刻设备以及制造该光学元件的方法-CN200980126677.7有效
发明人： L·斯基马恩奥克;V·班尼恩;R·莫尔斯;D·克鲁什考沃;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻设备，包括光学元件，所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层。所述光学元件具有大约20-500nm范围的元件厚度，并且在用EUV辐射垂直照射的条件下对波长范围为大约1-20nm的EUV辐射具有至少20％的透射率。定向的碳纳米管薄层本身可以用作光学元件，并且可以设计用以减少碎片和/或提高EUV与不想要的辐射的比值。薄层由于其强度不必需要支撑。本发明的光学元件可以是非支撑的。
用于光刻设备光学元件包括这种以及制造方法

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