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[发明专利]具有等离子体限制特征的基板支撑基座-CN201780024022.3有效
发明人：林兴;周建华;E·P·哈蒙德四世;Z·J·叶;Z·苏;J·赵;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。
具有等离子体限制特征支撑基座

[发明专利]用于处理基板的方法-CN202010489010.1有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;金柏涵;Z·J·叶;S·P·贝赫拉;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
用于处理方法

[发明专利]具有强化的RF功率传输的陶瓷加热器-CN201780022341.0有效
发明人：林兴;周建华;刘宁利;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。
具有强化 rf 功率传输陶瓷加热器

[发明专利]在化学气相沉积工艺期间的动态晶片校平、倾斜、旋转-CN201780023993.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。
化学沉积工艺期间动态晶片倾斜旋转

[发明专利]用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法-CN201880012154.9有效
发明人： Z·J·叶;J·D·平森二世;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;A·A·哈贾 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：一种电压‑电流传感器，所述电压‑电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所述电压拾取器设置在测量开口周围，并且所述电流拾取器设置在测量开口周围。由于传感器的平面配置和材料成分，传感器可设置在等离子体处理腔室的高温表面附近或与等离子体处理腔室的高温表面接触。
用于测量高温环境中的射频电功率电压电流探针及其校准方法

[发明专利]陶瓷加热器和具有增强的晶片边缘性能的ESC-CN201610625498.X有效
发明人：林兴;周建华;Z·J·叶;陈建;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
陶瓷加热器具有增强晶片边缘性能 esc

[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统-CN201710997020.4有效
发明人： K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
包含沉积处理分开隔离区域系统

[发明专利]一种静电卡盘-CN202111151942.6在审
发明人：林兴;周建华;Z·J·叶;陈建;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。
一种静电卡盘

[发明专利]用于处理基板的系统-CN202111322370.3在审
发明人： D·R·杜博伊斯;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;H·K·波内坎蒂;S·巴录佳;P·威尔顿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开涉及用于处理基板的系统。本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
用于处理系统

[发明专利]调节远程等离子源以获得具有可重复蚀刻与沉积率的增进性能-CN202010101748.6有效
发明人： A·A·哈贾;M·阿尤伯;J·D·平森二世;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。
调节远程离子源获得具有重复蚀刻沉积增进性能

[发明专利]在等离子体增强化学气相沉积系统中高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置-CN202111232228.X在审
发明人： Z·J·叶;J·D·平森二世;塙广二;周建华;林兴;段仁官;K·D·李;金柏涵;S·P·贝海拉;S·哈;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·K·库尔施拉希萨;J·K·福斯特;M·斯利尼瓦萨恩;U·P·哈勒;H·K·博尼坎帝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
等离子体增强化学沉积系统高温使用压缩应力拉伸处理晶片方法装置

[发明专利]半导体工艺设备-CN201780045571.9有效
发明人： K·嘉纳基拉曼;H·K·博尼坎帝;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开一种基板运输系统，并且所述基板运输系统包括：腔室，所述腔室具有内壁；平面电机，所述平面电机安置在所述内壁上；和基板载体，所述基板载体磁性地耦接到所述平面电机。所述基板载体包括：基部；和基板支撑表面，所述基板支撑表面耦接到以悬臂定向从所述基部延伸的支撑构件。
半导体工艺设备

[发明专利]晶片交换器-CN201680023585.6有效
发明人： D·R·杜博伊斯;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;H·K·波内坎蒂;S·巴录佳;P·威尔顿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
晶片交换

[发明专利]基板支撑组件-CN201710946426.X有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;金柏涵;Z·J·叶;S·P·贝赫拉;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板支撑组件。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
支撑组件

[发明专利]用于等离子体处理的双区式加热器-CN201710515830.1有效
发明人：周建华;R·萨卡拉克利施纳;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;X·林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了用于等离子体处理的双区式加热器。提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。
用于等离子体处理双区式加热器

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