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[发明专利]远程操作装置和远程操作系统-CN201910782480.4有效
发明人：今井直子;G·常;大岩健 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：本发明提供远程操作装置和远程操作系统。在远程操作装置(10)中，在操作指示输入部(31)输入了针对选择电子设备的操作指示时，在同种类设备判断部(33)判断为存在多个与选择电子设备同种类的电子设备，并且距离判断部(35)判断为选择电子设备与远程操作装置(10)之间的距离为距离阈值以上的情况下，确认信息报知部(36)在控制指示发送部(32)发送控制指示之前，对针对控制指示的发送的确认信息进行报知。
远程操作装置操作系统

[发明专利]使用对准结构和多步骤切单进行电子管芯切单的结构和方法-CN202110238865.1在审
发明人： S·R·伊杜卢;G·常;G·M·格里瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明题为使用对准结构和多步骤切单进行电子管芯切单的结构和方法。本发明公开一种用于切单半导体晶圆的方法，该方法包括提供具有与第一表面相邻的多个半导体器件的该半导体晶圆，该多个半导体器件由对应于将形成切单线的位置的空间分离。该方法包括提供与第一表面相邻的对准结构，以及在半导体晶圆的第二表面上提供材料，其中对准结构正下方的第二表面上不存在材料。该方法包括使IR信号通过该半导体晶圆从该第二表面传递到不存在该材料的该第一表面以检测该对准结构以及将切单设备对准将形成该切单线的该空间。该方法包括使用该切单设备移除与该切单线对准的材料层中的部分，随后通过该空间从该第一表面到该第二表面等离子体蚀刻半导体晶圆以形成该切单线，从而切单该半导体晶圆。
使用对准结构步骤进行电子管芯方法

[发明专利]丝线键合系统及相关方法-CN201610232777.X有效
发明人：覃文涛;G·M·格里瓦纳;H·安德森;T·安德森;G·常 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及丝线键合系统及相关方法。实施方式可以包括：包含铜(Cu)的键合丝线、包含铝(Al)的键合焊盘以及与键合焊盘电耦接的牺牲阳极，其中该牺牲阳极包含具有在Al的标准电极电位以下的标准电极电位的一种或多种元素。
丝线系统相关方法

[发明专利]用于在多点总线上在各设备之间进行通信的高效技术-CN201880087255.2在审
发明人： H·D·奥沙尔;L·J·米什拉;A·吉尔;G·常;M·K·普拉萨德;R·D·韦斯特费尔特;V·贾殷 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：在包括串行总线和多个设备的设备中，寄存器/地址映射和/或唯一性群标识符被用于在该串行总线上的消息/数据报中传达附加信息，而无需在该消息/数据报中显式地发送此类信息。此类寄存器/地址映射可被预先完成，并且可以与因群而异标识符相结合地通过使该消息/数据报的大小保持较小来减少传输等待时间。由于该串行总线上的所有设备都具有此类寄存器/地址映射和/或因群而异标识符的先验知识，因此接收方设备能够从每个消息/数据报中所发送的该因群而异标识符、和/或该寄存器/地址中推断在此类消息/数据报内未显式地发送的信息。
用于多点线上设备之间进行通信高效技术

[发明专利]用于数据库横向扩展的方法及装置-CN201910343516.9在审
发明人： G·吉恩科;H·L·瓜达拉玛;G·常;A·S·沃森 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G06F16/21 文献下载
摘要：一种用于横向扩展数据库信息的方法可包括创建第二数据库实例化。该方法可以包括：配置用于转移至第二数据库的第一数据库的一个或多个分区，以及配置第二数据库以供接收一个或多个第一数据库分区。该方法还包括将一个或多个第一数据库分区转移至第二数据库。
数据库数据库分区横向扩展数据库信息实例化配置分区创建

[发明专利]用于数据库横向扩展的方法及装置-CN201380063806.9有效
发明人： G·吉恩科;H·L·瓜达拉玛;G·常;A·S·沃森 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G06F16/21 文献下载
摘要：一种用于横向扩展数据库信息的方法可包括创建第二数据库实例化。该方法可以包括：配置用于转移至第二数据库的第一数据库的一个或多个分区，以及配置第二数据库以供接收一个或多个第一数据库分区。该方法还包括将一个或多个第一数据库分区转移至第二数据库。
数据库横向扩展

[外观设计]鞋底（120）-CN201830254289.9有效
发明人： G·常 -专利权人：斯凯杰美国公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：鞋底（120）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作鞋底。3．本外观设计产品的设计要点：如各视图所示。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．省略视图：后视图不常见，故省略后视图。
外观设计省略图片

[外观设计]鞋底（119）-CN201830254288.4有效
发明人： G·常 -专利权人：斯凯杰美国公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： 02-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：鞋底（119）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作鞋底。3．本外观设计产品的设计要点：如各视图所示。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．省略视图：后视图无设计要点，省略后视图。
外观设计省略图片

[实用新型]半导体封装结构-CN201820468143.9有效
发明人：林育圣;闻叶廷;G·常 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包括：预制的导电部分；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及耦接到所述两个或更多个MOSFET的背面金属；其中所述导电部分可耦接到所述背面金属，并且可被配置为在所述两个或更多个MOSFET的工作期间将所述两个或更多个MOSFET电耦接在一起。本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体封装。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体封装。
半导体封装结构本实用新型半导体封装导电背面金属氧化物半导体场效应晶体管金属工作期间技术效果物理方式预制的电耦耦接改进配置

[实用新型]半导体封装结构-CN201720692646.X有效
发明人：林育圣;闻叶廷;G·常 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包括：预制的导电部分；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及耦接到所述两个或更多个MOSFET的背面金属；其中所述导电部分可耦接到所述背面金属，并且可被配置为在所述两个或更多个MOSFET的工作期间将所述两个或更多个MOSFET电耦接在一起。本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体封装。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体封装。
半导体封装结构

[发明专利]高电压传感器设备及其方法-CN201010002044.X有效
发明人： J·W·霍尔;M·T·库杜斯;R·S·伯顿;及川一德;G·常 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及高电压传感器设备及其方法。在一个实施方式中，高电压元件形成为覆盖在可能在高电压元件的操作期间被耗尽的掺杂的半导体区上，所述高电压元件包括覆盖在电阻器中的间隔上的导体。
电压传感器设备及其方法

[发明专利]半导体元件及制造方法-CN200810090722.5有效
发明人： P·文卡特拉曼;G·M·格利弗纳;F·Y·罗伯;G·常;C·卡斯蒂尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种抵抗寄生双极晶体管的形成的半导体元件和使用数量减少的掩模步骤来制造该半导体元件的方法。提供了具有P型传导性的区域的N型传导性的半导体材料。N型传导性的掺杂区在P型传导性的区域内形成。沟槽在半导体材料中形成并延伸通过N型和P型传导性的区域。场氧化物由半导体材料形成，以使沟槽的部分延伸到场氧化物之下。场氧化物在形成源极区时用作注入掩模。体接触区由半导体材料形成，以及形成与源极区和体区接触的电导体。形成与半导体材料的背面接触的电导体。
半导体元件制造方法

[发明专利]取代的1,1,1－三氟－3－[(苄基)－(嘧啶－2－基)－氨基]－丙－2－醇化合物-CN200680005858.0无效
发明人： G·常;M·P·彭斯 -专利权人：辉瑞产品公司
申请日： 2006-02-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C07D239/46 文献下载
摘要：取代的1，1，1－三氟－3－[(苄基)－(嘧啶－2－基)－氨基]－丙－2－醇化合物，包含该化合物的药物组合物以及这样的化合物用于在一些哺乳动物(包括人)中提高某些血脂(包括高密度脂蛋白－胆固醇水平)和降低其他一些血脂(例如LDL－胆固醇和甘油三酯水平)并因此治疗疾病的应用，其中所述疾病会由于低水平的HDL胆固醇和/或高水平的LDL－胆固醇和甘油三酯而恶化，例如是动脉粥样硬化和心血管疾病。
取代苄基嘧啶氨基醇化

[发明专利]二苄胺化合物及衍生物-CN200580040087.4无效
发明人： G·常;M·T·狄第乌克;P·H·多尔夫;R·S·加里吉帕蒂;W·焦;B·A·莱福克;D·A·佩里;R·B·鲁格瑞;T·J·安德伍德 -专利权人：辉瑞产品公司
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C07D257/06 文献下载
摘要：二苄胺化合物及衍生物，包含这些化合物的药物组合物和这些化合物提高某些血脂包括高密度脂蛋白－胆固醇水平和降低某些其它的血脂(例如LDL－胆固醇和甘油三酯)水平的用途，并因此用于治疗由于低水平的HDL胆固醇和/或高水平的LDL－胆固醇和甘油三酯而恶化的疾病，例如一些哺乳动物包括人的动脉粥样硬化和心血管疾病的用途。
二苄胺化合物衍生物

[发明专利]利用线上电容器的高速存储模块-CN200580020990.4有效
发明人： G·常;H·M·法米 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：产生具有多个连接到存储器总线的动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)的存储模块的装置和方法，每个DRAM或SDRAM设备均通过传输信号(TS)线连接到存储器总线。该存储器总线包括至少一个具有连接到该TS线、与多个DRAM或SDRAM设备并联的电容器的TS线，该TS线连接到位于信号插入端与第一DRAM或SDRAM设备TS线的附着点之间的存储器总线上。本发明还论述了实现这种存储模块的计算系统。
利用线上电容器高速存储模块

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