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[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法-CN201910409476.3有效
发明人： D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔;C·W·佩茨;李浩宇;J·M·梅尔德里姆;Y·J·胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件，其包括具有与第二区域相邻的第一区域的绝缘块体。所述第一区域与所述第二区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有竖直延伸的沟道材料柱，并且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构包含与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。绝缘块体沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。所述绝缘块体具有在下部区域上方的上部区域。所述下部区域与所述上部区域相比具有并入其中的较大量的一或多种惰性间隙元素。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法-CN201811556564.8有效
发明人： D·R·埃科诺米;J·M·梅尔德里姆;李浩宇;Y·J·胡;C·W·佩茨;D·比林斯利;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本申请案涉及具有垂直延伸结构的组合件及其形成方法。一些实施例包含组合件，其具有沟道材料柱且具有沿着所述沟道材料柱的存储器单元。导电结构在所述沟道材料柱下方。所述导电结构具有与所述沟道材料柱的底部区域直接接触的掺杂半导体材料。镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者沿着所述沟道材料柱的所述底部区域。一些实施例包含形成组合件的方法。形成结构，且抵靠所述结构的上表面形成块状物。在所述块状物中的开口内形成插塞。所述插塞包括第一材料上方的第二材料。所述第一材料包含镁、钪、钇及镧系元素中的一或多者。开口经形成以终止于所述第一材料上，且接着延伸穿过所述第一材料。在所述开口内形成沟道材料柱。
具有垂直延伸结构组合及其形成方法

[发明专利]导电互连件-CN202180048829.7在审
发明人： J·D·格林利;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;J·D·霍普金斯;罗双强;陈松凯;方景韦;A·金达;郭杰贤 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：一些实施例包含导电互连件，其包含第一和第二导电材料且从导电结构向上延伸。一些实施例包含具有导电互连件的集成组合件。
导电互连

[发明专利]晶体管及包括存储器单元串的存储器电路系统-CN202210802300.6在审
发明人： D·比林斯利;J·D·格林利;Y·J·胡;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请案涉及晶体管及包括存储器单元串的存储器电路系统。包括存储器单元串的存储器电路系统包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。电荷通道材料在所述导电层级中位于所述沟道材料串的横向外部。存储材料在所述导电层级中位于所述电荷通道材料的横向外部。AlOq、ZrOq及HfOq中的至少一者在所述导电层级中位于所述存储材料的横向外部。(a)及(b)中的至少一者在所述导电层级中位于AlOq、ZrOq及HfOq中的所述至少一者的横向外部，其中，(a)：MoOxNy，其中“x”及“y”中的每一者是从0到4.0；及(b)：MoMz，其中“M”为W、第7族金属及第8族金属中的至少一者；“z”大于0且小于1.0。
晶体管包括存储器单元电路系统

[发明专利]钨结构及形成所述结构的方法-CN202011499891.1有效
发明人： J·D·格林利;C·G·埃莫;T·兰普顿;E·A·麦克蒂尔;R·J·克莱因 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及钨结构及形成所述结构的方法。描述用于在例如半导体衬底的衬底上方形成钨导电结构的方法。所描述实例包含在支撑结构上方形成含硅材料，例如经掺杂的含硅材料。随后，接着将所述含硅材料转化为含有所述掺杂剂材料的钨晶种材料。接着，将在所述钨晶种材料上方形成较低电阻的钨填充物材料。
结构形成方法

[发明专利]包含具有钨结构的控制栅极的存储器装置-CN202210323668.4在审
发明人： J·D·格林利;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;J·霍普金斯;D·R·埃科诺米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及包含具有钨结构的控制栅极的存储器装置。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一介电材料；第二介电材料，其与所述第一介电材料分离；存储器单元串，其包含延伸穿过所述第一介电材料和所述第二介电材料的导柱，所述导柱包含所述第一介电材料与所述第二介电材料之间的部分；额外介电材料，其接触所述导柱的所述部分；导电材料，其接触所述额外介电材料；以及钨结构，其包含接触所述导电材料的钨部分，其中所述钨部分的大部分为β相钨。
包含具有结构控制栅极存储器装置

[发明专利]具有含三种或大于三种不同材料的导电结构的组合件-CN202080044197.2在审
发明人： D·R·埃科诺米;R·J·克莱因;J·D·格林利;J·M·梅尔德里姆;B·D·克劳斯;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与控制栅极层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸。所述控制栅极层级包括导电区。所述导电区包含至少三种不同材料。电荷存储区邻近所述控制栅极层级。电荷阻挡区在所述电荷存储区与所述导电区之间。
具有含三种大于不同材料导电结构组合

[发明专利]包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件-CN202080028697.7在审
发明人： J·D·格林利;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;J·M·梅尔德里姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。电荷存储区与所述字线层级相邻。电荷阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。
包含具有至少部分环绕第二金属材料并且不同于结晶度第一组合

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202110268041.9在审
发明人： J·D·格林利;C·G·埃莫;L·富马加利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;C·W·佩茨;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及形成微电子装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括第一导电结构、阻挡结构、导电衬里结构和第二导电结构。所述第一导电结构在第一介电结构中的第一填充开口内。所述阻挡结构在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构。所述导电衬里结构在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内。所述第二导电结构竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202110259233.3在审
发明人： J·D·格林利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;E·A·麦克蒂尔;徐丽芳;D·比林斯利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、阶梯结构、导电衬垫结构和导电接触结构。所述堆叠结构包括布置于层次中的竖直交替的导电结构和绝缘结构。所述层次中的每一个分别包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述阶梯结构具有包括所述堆叠结构的所述层次中的至少一些的边缘的台阶。所述导电衬垫结构处于所述阶梯结构的所述台阶上并且包括贝塔相钨。所述导电接触结构处于所述导电衬垫结构上。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]存储器装置及电子系统以及相关设备及方法-CN202011374760.0在审
发明人： J·D·格林利;徐丽芳;R·J·克莱因;李晓;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置及电子系统以及相关设备及方法。所述设备包括至少一个接触结构。所述至少一个接触结构包括接点、上覆于所述接点的绝缘材料及所述绝缘材料中的至少一个接触通孔。所述至少一个接触结构还包括所述接触通孔内邻近所述绝缘材料的电介质衬层材料、邻近所述电介质衬层材料的导电材料及邻近所述导电材料且在所述至少一个接触通孔的中心部分中的应力补偿材料。所述应力补偿材料至少部分由所述导电材料环绕。
存储器装置电子系统以及相关设备方法

[发明专利]用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法-CN201880056834.0在审
发明人： J·D·格林利;E·A·麦克蒂尔;J·M·梅尔德里姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法包括形成绝缘材料和空隙空间的竖直交替的层。此类方法包含形成(a)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的个体纵向对准的沟道开口，以及(b)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的水平延长的沟槽。所述空隙空间层填充有导电材料，方法是使所述导电材料或其一或多个前体流动穿过(a)和(b)中的至少一个进入到所述空隙空间层中。在所述填充之后，晶体管沟道材料沿着所述绝缘材料层并且在所述填充的空隙空间层中沿着所述导电材料形成在所述个体沟道开口中。
用于形成竖向延伸晶体管阵列方法

[发明专利]形成集成结构的方法-CN201811548148.3在审
发明人： J·D·格林利;C·E·卡特;C·豪德;J·M·梅尔德里姆;E·A·麦克蒂尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一些实施例包含一种形成集成结构的方法。组合件被形成为包含交替第一和第二层的堆叠。所述第一层具有绝缘材料，且所述第二层具有水平延伸的空隙。所述组合件包含延伸通过所述堆叠的沟道材料结构。使第一含金属材料沉积在所述空隙内以部分地填充所述空隙。对所沉积的第一含金属材料进行蚀刻以从经部分填充的空隙内移除所述第一含金属材料中的一些。接着沉积第二含金属材料以填充所述空隙。
含金属材料沉积填充集成结构组合件堆叠蚀刻沟道材料绝缘材料第一层移除延伸

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