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[发明专利]基于环形波导交叉的偏振器-CN202110221065.9有效
发明人：卞宇生;苏吉斯·尚德兰;杰米·夫卡司;胡马里雷·扎费尔;A·P·雅各布 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于环形波导交叉的偏振器，揭示偏振器的结构以及制造偏振器的结构的方法。波导交叉包括第一臂及第二臂。波导环将5该波导交叉的该第一臂与该波导交叉的该第二臂耦接。该波导交叉及该波导环提供偏振器的结构。
基于环形波导交叉偏振

[发明专利]具有波导的集成石墨烯检测器-CN201710794735.X有效
发明人： A·P·雅各布 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及具有波导的集成石墨烯检测器。本公开涉及半导体结构，以及更具体地，涉及与光波导结构集成的石墨烯检测器和制造方法。该结构包括由基板材料构成的多个非平面鳍片结构，以及整体在所述多个非平面鳍片结构中的每一个之上延伸的非平面石墨烯材料片。
具有波导集成石墨检测器

[发明专利]均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管-CN201711452325.3有效
发明人： D·K·纳亚克;S·R·班纳;A·P·雅各布 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管。本公开涉及半导体结构，并且更具体地涉及均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管及其制造方法。该结构包括缓冲层；在所述缓冲层上的至少一个电介质层，所述至少一个电介质层具有暴露所述缓冲层的多个开口；以及形成在所述开口中并且在所述至少一个电介质层上方延伸的多个尺寸和形状均匀的纳米线或纳米片。
均匀半导体纳米发光二极管

[发明专利]具有制造变化敏感传输阻挡区的光纤耦合器结构-CN202011470517.9有效
发明人：彭博;A·P·雅各布;卞宇生 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及具有制造变化敏感传输阻挡区的光纤耦合器结构。光学耦合器结构具有位于衬底上的绝缘体层，位于该绝缘体层中的波导结构，以及位于该波导结构及该绝缘体层上的包覆层。光栅耦合器位于该包覆层上，且该波导结构连接于该光栅耦合器之间。该波导结构在该光栅耦合器之间是不连续的。该绝缘体层包括位于该波导结构的不连续区段之间的传输阻挡区处的阵列。此阵列可为由开口构成的空洞开口阵列，或者可为由位于该绝缘体层中的分离元件构成的阻挡元件阵列。
具有制造变化敏感传输阻挡光纤耦合器结构

[发明专利]包括非线性波导锥体的光功率分配器-CN202111161206.9在审
发明人：苏吉斯·尚德兰;卞宇生;杰米·夫卡司;A·P·雅各布 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司;哈利法科学技术大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本申请涉及包括非线性波导锥体的光功率分配器，揭示了用于光功率分配器的结构和形成用于光功率分配器的结构的方法。第一波导芯提供输入端口，第二和第三波导芯提供各自的输出端口。非线性波导锥体在第一界面处耦合到所述第一波导芯，且在第二界面处耦合到所述第二和第三波导芯。所述非线性波导锥体包括具有随着与所述第一界面的纵向距离的增加而增加的第一宽度尺寸的第一弯曲区段。所述非线性波导锥体包括具有随着与所述第二界面的纵向距离的增加而增加的第二宽度尺寸的第二弯曲区段。所述第一和第二弯曲区段在纵向位置处接合，在所述纵向位置处所述第一和第二宽度尺寸各自等于所述非线性波导锥体的最大宽度。
包括非线性波导锥体功率分配器

[发明专利]包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器-CN202110572530.3在审
发明人：阿希尔斯·加史瓦;A·P·雅各布;卞宇生;D·C·普里查德 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明涉及包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器，揭示一种图像传感器，包括以列和行排列的光学可切换磁性隧道结(MTJ)阵列。该图像传感器具有透明导电材料的第一线路和导电材料的第二线路。各第一线路与对应行中MTJ的自由层相接触。各第二线路与对应列中的固定层MTJ电性连接。第一线路同时暴露在辐射下。第一线路和第二线路可选择性地偏置。在全局复位操作中，偏置条件使得所有MTJ被切换到反平行状态。在全局感测操作中，偏置条件使得根据在与MTJ接触的第一线路的那些部分接收到的辐射强度，MTJ可以切换到平行状态。在选择性读取操作中，偏置条件使得可以读取MTJ中存储的数据值。
包含光学切换磁性隧道阵列图像传感器

[发明专利]光学神经模拟装置-CN202110468613.8在审
发明人： A·R·贾斯瓦尔;A·P·雅各布;卞宇生;M·拉科夫斯基 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及光学神经模拟装置和制造方法。该结构包括：电路系统和多个光电探测器，该电路系统将从光电探测器产生的光电流转换为电流，然后对电流进行求和以模拟神经功能。
光学神经模拟装置

[发明专利]使用存储单元和MRAM堆叠实现存储器存储的电路结构和方法-CN202110393520.3在审
发明人： A·R·贾斯瓦尔;A·P·雅各布;S·R·索斯 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种使用存储单元和磁随机存取存储器(MRAM)堆叠实现存储器存储的电路结构和方法。电路结构包括：具有被配置为存储数字位的第一锁存器的存储单元；耦接到第一锁存器的第一二极管；以及通过第一二极管而被耦接到存储单元的第一锁存器的第一磁随机存取存储器(MRAM)堆叠。第一MRAM堆叠包括分别具有各自的磁矩的第一层和第二层。第二层的磁矩在相对于第一层的磁矩的平行取向与反平行取向之间可调节。此外，可以通过施加所施加的电压来改变第二层的磁各向异性(VCMA效应)。自旋霍尔电极直接耦接到第一MRAM堆叠。
使用存储单元 mram 堆叠实现存储器电路结构方法

[发明专利]具有相邻阳极-阴极对的光电探测器-CN202110212216.4在审
发明人：卞宇生;米歇尔·拉科斯基;李袁熙;阿西夫·乔杜里;A·P·雅各布 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及具有相邻阳极‑阴极对的光电探测器，揭示一种用于光电探测器的结构以及制造用于光电探测器的结构的方法。该结构包括具有侧边的光吸收区域，相邻于该光吸收区域的该侧边的阳极，以及相邻于该光吸收区域的该侧边的阴极。
具有相邻阳极阴极光电探测器

[发明专利]使用级联差分晶体管对实现逻辑的光子发射器驱动器-CN202110069360.7在审
发明人： A·P·雅各布;S·M·斯鲁恩约吉;M·A·T·桑迪勒尼 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司;哈利法科学技术大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H03K17/78 文献下载
摘要：本申请涉及使用级联差分晶体管对实现逻辑的光子发射器驱动器。一种驱动电路包括数字输入，如第一数字输入和第二数字输入。该数字输入接收数字高电压或数字低电压的电压。该驱动电路具有时钟输入、模拟输出、连接到模拟输出的第一差分对晶体管、连接到该模拟输出的第二差分对晶体管、以及连接到该时钟输入和该第二差分对晶体管的电压限制器。电压限制器向第二差分对晶体管提供不同电压，其导致第二差分对晶体管向该模拟输出提供模拟信号，这些模拟信号在数字高电压处、数字低电压处、以及数字高电压与数字低电压之间处于不同的电压步进。
使用级联晶体管实现逻辑光子发射器驱动器

[发明专利]发光二极管-CN201711172865.6有效
发明人： A·P·雅各布;S·班纳;D·纳亚克 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开一般涉及半导体结构，更具体地，涉及发光二极管以及制造方法。方法包括：在衬底材料上形成具有掺杂芯区域的鳍结构；通过包覆鳍结构的第一鳍结构的掺杂芯区域而保护鳍结构的第二鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第一颜色发射区域；通过包覆第二鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第三鳍结构的掺杂芯区域形成第二颜色发射区域；以及通过包覆第三鳍结构的掺杂芯区域而保护第一鳍结构和第二鳍结构的掺杂芯区域形成第三颜色发射区域。
发光二极管

[发明专利]形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备-CN201410099173.3有效
发明人： J·弗伦海泽;A·P·雅各布;W·P·马斯莎拉;K·阿卡瓦尔达 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文涉及形成FinFET半导体设备的低缺陷取代鳍部的方法及其所产生的设备，揭露一种包括基底鳍部的例示性设备，基底鳍部形成于由第一半导体材料所构成的基底中，其中基底鳍部的至少一个侧壁实质处于基底的晶体结构的<100>结晶方向，取代鳍部结构位于基底鳍部之上，其中取代鳍部结构由不同于第一半导体材料的半导体材料所构成，以及闸极结构位于取代鳍部结构的至少一部分附近。
形成 finfet 半导体设备缺陷取代方法及其产生设备

[发明专利]基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构-CN201410415235.7有效
发明人： M·K·阿卡瓦尔达;A·P·雅各布 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度的气孔上覆硅架构，其提供用于制造集成电路以及鳍式场效晶体管晶体管于基体基板上的方法，其中，主动通道区域以绝缘体隔绝该基板。一种用于制造集成电路的方法，包括形成鳍式结构覆盖于半导体基板上，每个鳍式结构包括通道材料并且从第一末端到第二末端朝纵向延伸。该方法沉积锚固材料于该鳍式结构上方。该方法包括凹陷该锚固材料以形成邻接该鳍式结构的沟槽，其中，该锚固材料与每个鳍式结构的该第一末端以及该第二末端维持接触。进一步来说，该方法以不依赖栅极长度的蚀刻程序于该半导体基板以及每个鳍式结构的该通道材料间形成空隙，其中，每个鳍式结构的该通道材料悬挂在该半导体基板上方。
基体鳍式场效晶体管不依赖栅极长度气孔上覆硅架构

[发明专利]具有几何截面的芯片上可变电容器-CN201710003504.2在审
发明人： S·帕蒂尔;A·P·雅各布;S·M·潘迪 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有几何截面的芯片上可变电容器，其提供芯片上电容的方法包括提供一个或多个半导体装置的初始互连结构，该初始互连结构包括介电材料层。在该介电材料层中形成具有不同且连续的截面尺寸的相同截面形状的过孔，以及在该过孔中形成与该过孔形状匹配的电容器。该几何截面形状包括圆形、方形、六边形以及八边形。对于非圆形，其电容通过适合置于并接触该非圆形的所有边的同轴电容器的电容乘以约0.01至约2的校正因子来近似。
具有几何截面芯片可变电容器

[发明专利]通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法-CN201410336404.8有效
发明人： A·P·雅各布;M·K·阿卡尔瓦尔达;J·弗伦海泽;W·P·马斯扎拉 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭露通过执行替代生长制程形成FINFET半导体装置的替代鳍片的方法。在一实施例中，稳定替代鳍片所生长至的高度大于该替代鳍片材料的无约束稳定临界厚度且该稳定替代鳍片遍及其整个高度具有104缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。在另一实施例中，亚稳定替代鳍片所生长至的高度大于该替代鳍片材料的无约束亚稳定临界厚度且该亚稳定替代鳍片遍及其整个高度的至少90％具有105缺陷/厘米2或更低的缺陷密度。
通过执行替代生长形成 finfet 半导体装置方法

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