专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]封装基板及集成模块-CN202320211400.1有效
  • 陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄本霞;黄高;张东锋 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2023-02-14 - 2023-09-19 - H01L23/498
  • 本实用新型公开了一种封装基板及集成模块,涉及半导体封装技术领域。封装基板包括基板、绝缘层、第一金属线路和第二金属线路;基板具有至少一个贯穿基板的第一通孔;绝缘层覆盖在基板的上表面和下表面,并填充第一通孔;第一金属线路设置于绝缘层的上表面,第二金属线路设置于绝缘层的下表面,第一金属线路与第二金属线路通过贯穿绝缘层的金属导通孔实现电性连接;其中,金属导通孔位于第一通孔内,且至少一个第一通孔的内部具有两个金属导通孔。根据本实用新型的封装基板,能够提升封装基板的刚性,避免封装基板在制作过程中发生翘曲现象,提升产品良率;同时,能够提升封装基板的金属过孔的密度,有利于实现产品的高集成化和小型化。
  • 封装集成模块
  • [发明专利]一种高散热混合基板制作方法及半导体结构-CN202211081914.6有效
  • 陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄高;黄本霞;秦超标 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-09-06 - 2023-09-15 - H05K3/10
  • 本申请公开了一种高散热混合基板制作方法及半导体结构,其中方法包括以下步骤:准备一母基板;所述母基板包括绝缘层以及临时载板;所述绝缘层与所述临时载板压合;在所述母基板上设置若干个第一沟槽以及若干个第一腔体;在所述第一沟槽填充导热材料,形成第一导热块,以及,在所述第一腔体内贴装嵌埋器件并填充导热材料,形成第二导热块;去除所述临时载板,得到半成品基板;在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层,得到目标母基板;沿着所述区域分割线切割所述目标母基板,得到侧面为导热面的混合基板;本方法可以得到散热性能更好的混合基板;本申请可广泛应用于集成电路制造技术领域内。
  • 一种散热混合制作方法半导体结构
  • [发明专利]一种可浸润管脚基板结构及其制作方法-CN202310296959.3在审
  • 陈先明;黄聚尘;高峻;黄本霞;魏勋 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-05-30 - H05K3/30
  • 本发明提出了一种可浸润管脚基板结构及其制作方法,方法包括:准备承载板,在承载板上制作铜柱和第二光阻层,在铜柱表面制作保护层,在保护层表面电镀出铜层通槽,去除第二光阻层后在承载板上侧压合绝缘层,将铜层通槽的上侧外露于绝缘层,制作与通槽铜层相连的第二线路层,分离承载板和绝缘层后,依次蚀刻铜柱和保护层,制作与铜层通槽下侧相连的第一线路层得到基板。根据本实施例的技术方案,能够以铜柱作为基础,在第二窗口中围绕保护层表面电镀出铜层通槽,蚀刻铜柱时,保护层对铜层通槽的内壁隔离,确保有效确保铜层通槽的铜层连续性和完整性,提高铜层通槽的质量,从而提高提升基板的良率,降低生产成本。
  • 一种浸润管脚板结及其制作方法
  • [发明专利]精细线路基板及其制作方法-CN202310106854.7在审
  • 陈先明;陆帅龙;黄聚尘;宝玥;黄高;黄本霞 - 南通越亚半导体有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-05-09 - H05K3/46
  • 本申请提供一种精细线路基板及其制作方法,该方法包括:准备芯板,所述芯板包括第一介质层以及分别嵌入在所述第一介质层的两个表面内的第一线路层和第二线路层;在芯板的表面形成第一绝缘层和第二绝缘层;在第一绝缘层上形成第一开孔,在第二绝缘层上形成第二开孔;形成第一光阻层和第二光阻层;形成第一金属层和第二金属层;以撕膜的方式去除第一金属层中位于第一开孔以外的第一金属层部分和第二金属层中位于第二开孔以外的第二金属层部分;形成第三线路层和第四线路层;形成第一阻焊层和第二阻焊层。该方法能够缩短精细线路的制作工艺流程,并避免擦花和刮伤等,提高制作良率。
  • 精细线路及其制作方法
  • [发明专利]封装基板及其制作方法-CN202211493722.6在审
  • 陈先明;黄高;林文健;黄聚尘;黄本霞 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-11-25 - 2023-04-07 - H01L23/498
  • 本公开提供一种封装基板及其制作方法,所述封装基板包括第一介质层;第一线路层,设置于所述第一介质层上,并且所述第一线路层包括围坝;第二介质层,设置于所述第一介质层上且覆盖所述第一线路层;元器件,嵌入所述第二介质层并被所述围坝包围;以及第三介质层,设置于所述第二介质层上且覆盖所述元器件。通过设置围坝,利用围坝有效避免元器件在嵌入第二介质层的过程中的偏移问题,同时省略烘烤粗化的步骤,能够确保介质层之间具有良好的结合力。
  • 封装及其制作方法
  • [发明专利]一种元器件封装基板结构及其制作方法-CN202211542879.3在审
  • 陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄高;黄本霞 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-03-14 - H01L23/14
  • 本申请提供一种元器件封装基板结构及其制作方法。其中,元器件封装基板结构的制作方法包括:提供第一临时承载板;贴合元器件;施加第一介质层,使得元器件嵌埋在第一介质层中;施加第二临时承载板;移除第一临时承载板;在第一介质层上形成连接元器件端子的连接焊盘,连接焊盘包括孔环结构;在第一介质层上层压第二介质层,在第二介质层上层压线路板,其中线路板贴合第二介质层的表面包括线路层;移除第二临时承载板;开孔形成阶梯孔,包括贯穿第一介质层的第一导通孔、连接焊盘的孔环结构的开口以及贯穿第二介质层的第二导通孔,其中第一导通孔、开口和第二导通孔共同暴露出线路层;电镀阶梯孔形成导通柱,其中导通柱使得连接焊盘与线路层导通。
  • 一种元器件封装板结及其制作方法
  • [发明专利]一种基板制作方法、嵌埋基板以及半导体-CN202211389985.2在审
  • 陈先明;黄高;林文健;洪业杰;黄本霞;黄聚尘 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-03-03 - H01L21/48
  • 本申请公开了一种基板制作方法、嵌埋基板以及半导体,其中方法包括以下步骤:制作第一半成品基板;所述第一线路层与所述第一介质层交错叠层设置;在所述第一线路层上设置粘性材料层,形成器件装贴区;在所述器件装贴区上贴装嵌埋器件;所述嵌埋器件的引脚面远离所述粘性材料层设置;在所述第一线路层上压合第二介质层;所述第二介质层覆盖所述粘性材料层以及所述嵌埋器件;制作第一导通柱、第二导通柱以及第二线路层;所述第一导通柱贯穿所述第二介质层;所述第一导通柱用于连接所述第二线路层以及所述第一线路层;所述第二导通柱用于连接所述嵌埋器件以及所述第二线路层。本方法可以减少翘曲。本申请可广泛应用于半导体制作技术领域内。
  • 一种制作方法嵌埋基板以及半导体
  • [发明专利]无芯基板结构及无芯基板制作方法-CN202211216618.2在审
  • 陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄高;黄本霞;张东锋 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-01-31 - H01L21/48
  • 本公开提供一种无芯基板结构及无芯基板制作方法。具体地,无芯基板制作方法包括:a)准备临时承载板;b)在所述临时承载板上形成第一金属柱;c)准备第一绝缘层,其中所述第一绝缘层的厚度小于所述第一金属柱的高度;d)在所述第一绝缘层对应所述第一金属柱的位置开设第一通孔,其中所述第一通孔用于容纳所述第一金属柱;e)在所述临时承载板上依次叠放所述第一绝缘层和第一积水离型胶膜,层压并覆型所述第一金属柱,使得所述第一金属柱嵌入所述第一积水离型胶膜;f)去除所述第一积水离型胶膜,暴露出所述第一绝缘层和所述第一金属柱;g)去除所述第一金属柱的凸起部分,使得所述第一金属柱的端面和所述第一绝缘层的表面齐平。
  • 无芯基板结无芯基板制作方法
  • [发明专利]压合封装基板结构及其制作方法-CN202211131854.4在审
  • 陈先明;黄本霞;高峻;冯磊;胡军;黄聚尘 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-09-16 - 2022-12-23 - H01L21/48
  • 本申请提供一种压合封装基板结构及其制作方法,压合封装基板结构包括:具有第一开窗的第一绝缘层,嵌埋在所述第一开窗内的第一导通柱,在所述第一绝缘层上的具有第二开窗的第二绝缘层,嵌埋在所述第二绝缘层中的第一线路层和嵌埋在所述第二开窗中的第二导通柱,在所述第二绝缘层上的第二线路层,以及在所述第一绝缘层下方的第三线路层;其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有玻纤布,所述第一线路层与所述第三线路层通过第一导通柱电连接,所述第一线路层与所述第二线路层通过第二导通柱电连接。
  • 封装板结及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法-CN202211201534.1在审
  • 陈先明;冯磊;李巧灵;高峻;黄本霞;黄聚尘 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-09-29 - 2022-12-06 - H01L23/31
  • 本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法,其中半导体封装结构包括封装层、第一器件层、第一绝缘层、导通铜柱以及第二器件层;所述封装层覆盖所述第一器件层;所述第一器件层、所述第一绝缘层以及所述第二器件层依次叠层设置;所述导通铜柱贯穿所述第一绝缘层;所述第一器件层以及所述第二器件层通过所述导通铜柱电气连接第一器件层包括第一线路层、沟槽以及嵌埋器件;所述嵌埋器件与所述第一线路层连接;所述沟槽设置于所述嵌埋器件的下方;所述沟槽与所述嵌埋器件在沿着所述嵌埋器件贴装方向上的投影部分或者完全重合;本方法可以提高封装结构的密闭性,提高产品质量。本申请可广泛应用于半导体技术领域内。
  • 一种半导体封装结构及其制备方法
  • [发明专利]一种液体循环冷却封装基板及其制作方法-CN202210526848.2在审
  • 陈先明;黄聚尘;徐小伟;黄本霞;黄高 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-05-13 - 2022-09-27 - H01L23/473
  • 本申请提供一种液体循环冷却封装基板及其制作方法,其中所述基板包括循环冷却结构,包括形成在所述第一介电层内暴露出所述散热面的冷却腔、形成在所述冷却腔内表面上的金属散热层、形成在所述金属散热层上的直立支撑柱、以及支撑在所述支撑柱上沿所述冷却腔的周边封闭所述冷却腔的冷却盖,其中所述金属散热层完全覆盖所述散热面和所述冷却腔的内侧表面,所述冷却盖上形成有进液口和出液口。在第一介电层内设置循环冷却结构,该循环冷却结构在嵌埋封装基板加工过程中形成,加工流程简单、成本低;循环冷却结构与器件的散热面连接,既可以提升散热性能,又可以合理利用基板内的空间,降低基板的整体厚度。
  • 一种液体循环冷却封装及其制作方法
  • [发明专利]一体电感嵌埋基板及其制作方法-CN202210490230.5在审
  • 陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄本霞;黄高 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-05-06 - 2022-09-23 - H05K1/18
  • 本发明公开了一种一体电感嵌埋基板及其制作方法,涉及半导体封装技术领域。该方法包括以下步骤:提供承载板;在承载板的表面制作第一导通铜柱;在承载板的表面设置第一介质层,并使第一介质层覆盖第一导通铜柱;对第一介质层进行开口,形成第一开口;在第一开口的位置处填充磁性材料;对第一介质层进行研磨,以使第一导通铜柱的表面和磁性材料的表面均与第一介质层的表面齐平;去除承载板,并蚀刻第一介质层表面的金属层,形成封装基板;在封装基板的上表面和下表面设置第一线路层;在封装基板的上表面和下表面设置阻焊层,并对阻焊层开窗,形成与第一线路层相对应的窗口。根据本发明实施例的一体电感嵌埋基板的制作方法,有利于提高良品率。
  • 一体电感嵌埋基板及其制作方法
  • [发明专利]嵌埋封装基板的制作方法及嵌埋封装基板-CN202210413671.5在审
  • 陈先明;冯磊;黄本霞;冯进东;朱桂林;黄聚尘 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-04-19 - 2022-08-19 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种嵌埋封装基板的制作方法及嵌埋封装基板,涉及半导体封装技术领域。该制作方法包括以下步骤:提供支撑框架;其中,支撑框架设置有贯穿支撑框架的导通铜柱和空腔;将待封装的芯片放置在空腔内,并通过第一介质层固定;其中,第一介质层覆盖支撑框架的双面,并填充空腔;在第一介质层的表面形成第一线路层,第一线路层分别与导通铜柱、芯片正面的引脚、以及芯片的背面相导通;在第一介质层的表面设置第二介质层;在第二介质层的表面设置第二线路层,形成嵌埋封装基板。根据本发明实施例的嵌埋封装基板的制作方法,能够避免芯片工作在高温高湿等苛刻的运行环境中时,因渗入水汽而影响运行的稳定性和可靠性。
  • 封装制作方法

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