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[发明专利]芯片及其制备方法-CN202111331993.7有效
发明人：赵世雄;曹进;马非凡;戴广超;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片及其制备方法。芯片制备方法包括：提供基底；于基底表面形成叠层结构，叠层结构包括：从下到上依次层叠的第一外延层、发光层和第二外延层；图形化叠层结构，于叠层结构中形成第一隔离区，第一隔离区暴露出第一外延层的第一表面；于叠层结构的顶部形成从下到上依次层叠的透明导电层和第一电极；于所述第一电极的顶部制备转移衬底；图形化基底，于基底中形成与第一隔离区相对应的第二隔离区，第二隔离区域暴露出第一外延层的第二表面，第二表面与第一表面相对设置；采用激光剥离工艺剥离基底；图形化第一外延层，并于第一外延层表面形成第二电极。上述芯片制备方法可以减少激光剥离工艺所产生的热量和应力对芯片电学性能的影响。
芯片及其制备方法

[实用新型]发光芯片及背光模组-CN202320015250.7有效
发明人：戴广超;马非凡 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请涉及一种发光芯片，其包括衬底、外延片、第一电极、第二电极和反射层。衬底包括第一表面；外延片固定于第一表面上，并具有背离衬底的顶面，以及连接于顶面与第一表面之间的侧壁；第一电极和第二电极间隔设置于顶面上，用于驱动所述外延片发光；反射层覆盖于顶面和侧壁上，用于将外延片发出的光线反射至衬底并向外射出，反射层厚度介于2‑5um之间。本申请的发光芯片通过对反射层位置和厚度的设置，降低发光芯片侧面发出光线的反射，从而提高发光芯片的亮度。本申请还涉及包含前述发光芯片的背光模组结构。
发光芯片背光模组

[发明专利]一种发光芯片及其制备方法-CN202111398152.8有效
发明人：戴广超;马非凡;曹进;康志杰;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光芯片及其制备方法，该发光芯片包括：外延层；以及设置于外延层上的电极结构；电极结构中的至少一个包括：设置于外延层上的反射层；至少包覆反射层侧表面且与外延层接触的保护层，保护层与外延层之间的粘附性大于反射层与外延层之间的粘附性；设置于反射层上且远离外延层的一侧的电子传输层；设置于电子传输层上且远离外延层的一侧的电子阻挡层；该电极结构通过取消了设置于外延层和反射层之间的黏附层，提升了电极结构的反射率，从而提升了包括该电极结构的发光芯片的芯片亮度，还通过设置保护层与半导体层接触，提升了电极结构与外延层之间的粘附性，从而提升发光芯片的可靠性。
一种发光芯片及其制备方法

[发明专利]弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法-CN202111264459.9在审
发明人：戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法，且所述弱化结构包括第一支撑结构，且所述第一支撑结构的制作方法包括步骤：在微发光二极管和/或暂态基板上形成胶材层；将所述微发光二极管转移至暂态基板上，且所述微发光二极管转与所述暂态基板通过所述胶材层键合；以及蚀刻所述胶材层，形成第一支撑结构，所述第一支撑结构呈网状，且环绕所述微发光二极管。通过本发明提供的一种弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法，可提高巨量转移的良率。
弱化结构制作方法发光二极管显示器

[发明专利]转移基板、制备方法和LED芯片的巨量转移方法-CN202111260882.1在审
发明人：戴广超;马非凡;曹进;赵世雄;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种转移基板，其包括：临时基板以及键合层，其中，所述键合层设置于所述临时基板上，所述键合层背对所述临时基板的一侧开设多个凹槽，所述凹槽用于容置LED芯片，从而使得所述LED芯片在所述转移基板的所述凹槽中不会出现偏移等情况，也使得弹性印模便于对所述LED芯片进行抓取转移，从而增加了所述LED芯片的巨量转移良率。本申请还提供了一种转移基板的制备方法以及一种LED芯片的巨量转移方法。
转移制备方法 led 芯片巨量

[发明专利]弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法-CN202111266872.9在审
发明人：戴广超;马非凡;曹进;赵世雄;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法，且所述微发光二极管显示器的制作方法至少包括：在微发光二极管的电极上形成金属层；将所述微发光二极管转移至暂态基板上，且所述金属层与所述暂态基板上的胶材键合；将所述金属层氧化，形成弱化结构。通过本发明提供的一种弱化结构的制作方法、微发光二极管显示器的制作方法，可提高巨量转移的良率。
弱化结构制作方法发光二极管显示器

[发明专利]弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法-CN202111227176.7在审
发明人： 马非凡;曹进;戴广超;张雪梅 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法，该弱化结构的制作方法包括：提供临时基板，在临时基板上形成第一胶层；在第一胶层上形成支撑件；在支撑件的侧壁上连接发光器件，发光器件与第一胶层具有间隔距离。通过制作形成临时基板上的第一胶层，在第一胶层上设置支撑件，并通过支撑件的侧壁连接发光器件的弱化结构，该弱化结构用于发光器件的转移时，通过将支撑件从第一胶层分离，支撑件可带着发光器件从第一胶层转移至电路背板，弱化结构的结构简单，通过简单的制程即可制作形成该弱化结构，能实现高良率的制作，且形成的弱化结构的结构稳定，能保证后续进行的发光器件的转移操作的良率。
弱化结构及其制作方法发光器件转移方法

[发明专利]LED芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法-CN202111233555.7在审
发明人： 马非凡;曹进;戴广超;张雪梅 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片组件及其制备方法、显示面板制备方法。LED芯片组件中LED芯片被转移之前，其被脆性支撑层夹持，悬空置于支撑基板上方，由于支撑层同时附着在LED芯片侧面的绝缘层与键合层上，所以可以保证LED芯片稳定地悬置在支撑基板上；同时，在拾取LED芯片时，只需要锚定待转移的LED芯片并向LED芯片支架朝向支撑基板的压力就可使得脆性支撑层碎裂，令LED芯片轻松迅速地脱离支撑基板，简化了拾取LED芯片的方式，提升了LED芯片在支撑基板与转移头间的转移效率与转移良率。
led 芯片组件及其制备方法显示面板

[实用新型]一种发光器件以及显示装置-CN202222929019.7有效
发明人：戴广超;马非凡;周秀衡;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请涉及一种发光器件以及显示装置。发光器件包括衬底；设于衬底上的至少两颗微发光芯片，微发光芯片的电极远离衬底的一侧设置；设于微发光芯片周围的平坦层；以及导电层，至少部分导电层设于平坦层远离衬底的一侧并与微发光芯片的电极的相连，导电层延伸至发光器件的侧面以形成侧面焊接区域。侧面焊接区域在设置微发光芯片的平面上仅占用很小的空间，缩小整个发光器件的尺寸，在一些实施过程中能够提高显示装置的PPI。
一种发光器件以及显示装置

[发明专利]LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板-CN202111175681.1在审
发明人： 马非凡;曹进;戴广超;张雪梅 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板。因为在将LED芯片自承载基板转移到转移基板的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现了LED芯片与转移基板的可靠连接。剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从转移基板上拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率。
led 芯片组件及其制备方法转移显示面板

[实用新型]一种发光单元与显示面板-CN202222790585.4有效
发明人：赵永周;马非凡;戴广超 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种发光单元与显示面板。发光单元中，发光芯片设置透光的衬底层上，在衬底层上与发光芯片所在侧相对的一侧还设置容纳槽，容纳槽用于容纳光转换结构，所以在设置光转换材料形成光转换结构时，可以利用容纳槽对光转换材料的位置、边界进行限定，降低液态光转换材料流动性对发光单元品质的影响。而且，因为光转换结构远离容纳槽槽底的一面，也即光转换结构的出光面为弧面，这样可以使得光转换结构在实现光波长转换的同时兼具透镜的光束整型功能，提升发光单元的出光效果，增强基于该发光单元所制得的显示面板的品质。
一种发光单元显示面板

[实用新型]一种发光芯片结构-CN202222479685.5有效
发明人：王子川;戴广超;马非凡;陈德伪;赵世雄 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光芯片结构，包括：发光外延层，其具有第一类型半导体层以及第二类型半导体层；绝缘保护层，其覆盖在发光外延层上，绝缘保护层的同一侧上开设有第一通道和第二通道；第一导电层和第二导电层，第一导电层设置在第一通道内并与第一类型半导体层电连接，第二导电层设置在第二通道内并与第二类型半导体层电连接，第一导电层的表面和第二导电层的表面均与绝缘保护层的上表面齐平；第一电极和第二电极，第一电极设置在绝缘保护层的上表面上并连接第一导电层，第二电极设置在绝缘保护层的上表面上并连接第二导电层。解决现有技术中的电极层的上表面塌陷形成凹槽而导致芯片容易出现脱落的问题。
一种发光芯片结构

[发明专利]点云异常值的移除方法、点云处理方法、装置及相关设备-CN202210983097.7在审
发明人：张艳;曲承志;黄坤;许哲禹;马非凡 -专利权人：中山大学·深圳;中山大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06T19/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种点云异常值的移除方法、点云处理方法、装置及相关设备，该方法包括：将待处理的点云沿着参考坐标轴均匀地划分成多个层；对于点云每一层中的每一点，基于该点的包围框确定是否移除该点，得到第二点云；获取第二点云的平均近邻欧氏距离即其中各点的近邻欧氏距离；对于第二点云中的每一点，基于该点的近邻欧氏距离与平均近邻欧氏距离的差值，以及第二点云中各点的近邻欧氏距离与平均近邻欧氏距离的标准差，确定是否移除该点。通过上述各步骤，本申请能够在保留细节特征的前提下，比较直观且便捷的实现点云中的异常值的移除。
异常方法处理装置相关设备

[实用新型]一种发光芯片结构-CN202222089720.2有效
发明人：戴广超;马非凡;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请涉及芯片技术领域，公开了一种发光芯片结构，包括：发光外延层，其包括第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，发光外延层部分被蚀刻形成间隔的第一叠层和第二叠层；绝缘保护层，其覆盖在发光外延层上并开设有第一通道和第二通道；第一通道延伸至第一类型半导体层，且第一叠层的第二类型半导体层和有源层均部分位于第一通道内；第一电极，其设置在第一通道内，并抵靠在第一叠层的第二类型半导体层上，且电连接第一类型半导体层，第一电极在绝缘保护层的表面延伸铺设；第二电极，其设置在第二通道内，并电连接第二叠层的第二类型半导体层。解决现有技术中的电极层与背板的接触面积小、使芯片在转移过程中会易出现固定不牢的问题。
一种发光芯片结构

[实用新型]适合多种连接方式的隐框幕墙横梁-CN202221765211.0有效
发明人：朱浩;马非凡;闫忠 -专利权人：北京华天幕墙工程有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： E04B2/88 文献下载
摘要：本实用新型属于玻璃幕墙领域，尤其是适合多种连接方式的隐框幕墙横梁，包括钢销连接结构、弹销连接结构、角码连接结构、钢销与角码共同连接结构、弹销与角码共同连接结构。本实用新型隐框幕墙横梁可以根据不同情况选择合适的连接方式，比如常规情况下可以选择钢销连接，节省材料成本和加工工序，拆卸简便，也可以选择弹销连接，材料成本稍贵、安装方便，而横梁分格尺寸较大，承受的荷载较大时，则可以选择钢销与角码、弹销与角码共同连接的方式，而遇到转角、边角等特殊位置，横梁钢销、弹销安装不便时，可以选择角码连接的方式。
适合多种连接方式幕墙横梁