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[发明专利]基于无人机智能飞行轨迹控制的电磁辐射检测装置及方法-CN202010850547.6有效
发明人：李青;谢玮;张婧;赵凌曦;马君健;高新国;刘伟 -专利权人：山东省分析测试中心
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明的基于无人机智能飞行轨迹控制的电磁辐射检测装置，包括多旋翼无人机和电磁辐射检测装置，电磁辐射检测装置由电磁辐射检测控制器及与其相连接的BD/GPS定位模块、第一、第二、第三、第四电磁辐射检测仪及探头、第一、第二无线传输模块组成，多旋翼无人机上设置有分别驱使第一、第二、第三和第四电磁辐射检测仪及探头上的探头伸出和缩回的第一电机、第二电机、第三电机和第四电机。本发明的电磁辐射检测装置及方法，实现了在不同高度的空间对近场区及远场区对多个频段的电磁辐射复合检测，并将电磁辐射超出国标《GB8702‑2014电磁环境控制限值》限制的检测点标记出来，并产生报警信息。
基于无人机智能飞行轨迹控制电磁辐射检测装置方法

[发明专利]基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统-CN202310486587.0有效
发明人：蔡一茂;马君健 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统，属于半导体技术领域。基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法，包括以下步骤：获取单晶炉热场参数源数据；对获取的源数据进行预处理，得到预处理的源数据；输入单晶生长环境感知物联网产生的数据到大数据平台，通过运算框架对所述预处理的源数据建立模型；根据单晶炉热场参数源数据。本发明解决了现有技术中没有对单晶炉热场进行合理设计，导致单晶生长质量低的问题，对原有单晶炉热场进行扩容处理，能够对单晶硅的直径具有包容性，适用面广；且扩容后的单晶炉热场功耗相较于原单晶炉热场的功耗较低，因而单晶硅生成的质量较好。
基于数据提高生长对流分布均匀方法系统

[发明专利]一种单晶炉辅助拉晶装置及其使用方法-CN202310489730.1有效
发明人：蔡一茂;马君健 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明属于单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉辅助拉晶装置及其使用方法，包括液压杆，所述液压杆的下方固定连接有顶盘，顶盘底部的四周固定连接有连接柱，所述连接柱的下方固定连接有支撑块，所述支撑块的内部安装有转向组件，所述转向组件的下方连接有外壳，所述外壳上半部分的内部安装有提升组件，所述提升组件的下方安装有钨丝籽晶绳，所述钨丝籽晶绳的末端连接有绳头，绳头的外侧固定安装有密封盘，外壳内壁的四周安装有压轮，外壳的左右两侧开设有移动槽，移动槽的内部贴合设置有活塞块。该装置能够在将硅锭升至最高时自动截断余料，而且能够对硅锭整体的放置方式进行调节，在横置时能够适应硅锭表面的起伏对硅锭稳定承托。
一种单晶炉辅助装置及其使用方法

[发明专利]基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法及系统-CN202310451962.8有效
发明人：蔡一茂;马君健 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法及系统，涉及半导体技术领域。为了解决对硅熔液中的分凝系数进行分析时，通常只分析溶液中的分凝系数，这样分析出来的结果准确度不高的问题。基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法，包括以下步骤：加热得到硅熔液，并预设硅熔液分凝系数，获取掺杂离子和浓度系数，计算得出第一分凝系数k1，对硅溶液进行凝固处理，对硅晶体区的离子数据进行分析，计算得到第二分凝系数k2，计算得到最终的分凝系数m。本发明能够获得高度准确的分析结果，进而在加工硅晶体时能够准确的添加掺杂剂，保证了硅晶体的成品质量。
基于数据熔融液态硅晶分凝系数分析方法系统

[发明专利]一种单晶炉连续加料装置及其使用方法-CN202310467131.X有效
发明人： 马君健;蔡一茂 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明属于单晶炉加料设备领域，具体为一种单晶炉连续加料装置及其使用方法，包括固定底板和输送软管，所述固定底板的顶端面上固定连接有装置外壳，所述装置外壳内安装有下料粉碎组件、高效研磨组件和循环输送组件，所述下料粉碎组件通过固定杆与高效研磨组件连接，所述高效研磨组件与循环输送组件相连接，解决了现有的单晶炉连续加料装置在使用过程中，虽能够进行连续加料，但在加料过程中，不能够对需要使用的多晶硅原料和掺杂剂进行便捷稳定的间歇等量下料，因此在加料过程中，不能够对需要使用的多晶硅原料和掺杂剂进行稳定配比使用，并且不能够有效避免一次性大量下料导致装置内部堵塞，或者石英坩埚内部原料溢出。
一种单晶炉连续加料装置及其使用方法

[发明专利]一种连续直拉单晶装置及其使用方法-CN202310467157.4有效
发明人： 马君健;蔡一茂 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅生产领域，具体为一种连续直拉单晶装置及其使用方法，包括装置外壳和安装板，所述装置外壳的顶端面上固定连接有固定框，所述固定框上固定连接有处理框，所述处理框的顶端固定连接有存储箱，所述处理框内安装有高效预处理组件，所述固定框内安装有下料直拉组件，所述安装板上安装有拆装组件，所述装置外壳的底端面上固定连接有伺服电机，所述伺服电机的输出轴上固定连接有转盘，所述转盘的顶端转动连接有转动轴，所述转动轴的顶端固定连接有坩埚，所述坩埚上安装有电加热管，所述装置外壳上安装有防护门板，解决了现有的直拉单晶装置，不能够进行持续稳定的连续直拉结晶工作，实用性较差，工作效率较低的问题。
一种连续直拉单晶装置及其使用方法

[发明专利]一种高温自动加料的拉晶装置及其使用方法-CN202310469085.7有效
发明人： 马君健;蔡一茂 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明属于拉晶装置技术领域，具体为一种高温自动加料的拉晶装置及其使用方法，包括支撑座，所述支撑座的左侧固定设置有连接板，连接板的顶部固定连接有连接座，连接座的内部转动安装有转辊，转辊的表面安装有输送带，所述连接座的前后两端均固定安装有待转移支撑框，所述转辊的左右两侧均安装有自动送料组件，所述连接板的左侧和支撑座的左侧均固定连接有连接轴，所述连接轴和相邻连接轴之间转动连接有内管套，所述内管套的内部安装有牵引组件。该拉晶装置不仅能够将其中一处硅锭移动至待转移区域时，自动将下一处硅锭取出，而且能够根据熔融硅原料的液面高度位置进行自动定量加料，提高了生产效率和自动化程度。
一种高温自动加料装置及其使用方法

[发明专利]一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备-CN202011419640.8有效
发明人： 马君健;王晓莹;徐宏;吴振华;周德金;钟磊 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;江南大学
申请日： 2020-12-06 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种可量产氮化镓的全立式HPVE设备，具体涉及氮化镓生产技术领域，包括支腿和外壳体，所述外壳体底端的四个拐角处固定连接有支腿，所述外壳体的内部设置有内壳体，所述外壳体一端四个拐角处的内部设置有卡槽，所述外壳体的一端设置有盖板，所述盖板一端的四个拐角处固定连接有圆块，所述盖板的另一端固定连接有把手，所述外壳体的内壁固定连接有电热丝。本发明通过设置有固定柱、套筒、凸块、轴套、放置板和放置槽，将镓源放进放置槽中，因放置槽设置有若干个，放置板为圆形，可放置多个镓源，利用放置槽中设置有加热片，可对镓源进行加热，在反应结束后，可利用凸块将套接在固定柱上的套筒取下，使其便于拿取更换新的镓源。
一种量产氮化立式 hpve 设备

[发明专利]一种半导体贴片机晶片反向防呆装置-CN202011466436.1有效
发明人： 马君健;周德金;徐宏;刘宗伟;钟磊;韩婷婷;于理科 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-13 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体贴片机晶片反向防呆装置，具体涉及半导体贴片设备技术领域，包括放置台和辅助清尘结构，所述放置台内部的顶端之间设置有辅助清尘结构，所述放置台的一端设置有辅助下料结构，所述放置台的另一端设置有辅助推拉结构，所述放置台的顶端设置有晶片，所述放置台的内部设置有辅助防呆结构，所述放置台的底端设置有辅助调节固定结构。本发明通过设置有放置槽、固定座、减速电机、螺纹杆、活动块、横杆和固定板，打开减速电机驱动螺纹杆进行转动，因横杆贯穿放置台两侧的内部，当螺纹杆转动时，螺纹杆上的活动块会向中间同时靠近，这时横杆一侧的固定板可根据晶片的宽度进行限位固定，使得适用性更高。
一种半导体贴片机晶片反向装置

[发明专利]超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路-CN202110347587.3有效
发明人：周德金;马君健;黄伟;陈珍海 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高压IGBT器件栅驱动所需要的超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、调制发送电路、4个高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、发送端低压产生电路和接收端低压产生电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，一方面，采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压功率器件。
超高压绝缘隔离 igbt 半桥栅驱动电路

[发明专利]超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路-CN202110349643.7有效
发明人：周德金;徐宏;黄伟;陈珍海;马君健;李亮 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
超高速绝缘隔离 gan 半桥栅驱动电路

[发明专利]一种芯片共晶焊接设备及共晶焊接方法-CN202011489045.1有效
发明人：周德金;马君健;徐宏;钟磊;刘宗伟;于理科 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片共晶焊接设备，具体涉及芯片加工技术领域，包括底座和立柱，所述底座顶端的一侧固定连接有立柱，所述立柱的内部设置有调节机构，所述立柱的一侧固定连接有吸尘机构，所述立柱的另一侧设置有横杆。本发明通过设置有滑槽、调节块、吸盘、挡板和中心轴，传统的焊接装置对芯片进行夹持固定的时候容易造成芯片边角受损，利用在用于加工的工作台的顶端安装若干组吸盘，将芯片放置在吸盘的顶端然后向下轻轻压动，芯片就可以稳定的放置在吸盘上，还可以根据不同芯片的宽度来调节中心轴外部的挡板之间的角度，利用移动调节块即可对挡板的角度进行调节，这样固定芯片可以避免硬物夹持芯片造成的边角损坏的情况。
一种芯片焊接设备焊接方法

[发明专利]一种氮化镓单晶生长装置-CN202011417405.7有效
发明人： 马君健;黄金荣;周德金;徐宏;钟磊;韩婷婷;刘宗伟 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
一种氮化镓单晶生长装置

[发明专利]一种氮化镓薄膜的制备装置-CN202011419636.1有效
发明人：徐宏;马君健;闫大为;黄金荣;周德金;王晓莹;于理科 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
申请日： 2020-12-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓薄膜的制备装置，具体涉及氮化镓薄膜制备技术领域，包括制备仓和蒸发室，所述蒸发室固定连接在制备仓内部的底端，所述蒸发室的内部固定连接有石英坩埚，所述石英坩埚的内部固定连接有电热丝，所述蒸发室的顶端固定连接有离化腔，所述制备仓的外侧壁上设置有保温结构。本发明通过设置有空腔、外壳、连接杆、螺母、通孔和保温岩棉，在使用时，利用螺母和通孔将外壳固定在制备仓的外部，此时制备仓和外壳之间形成一个空腔，然后在空腔内部填充上保温岩棉，利用保温岩棉的隔热性能，这样可以避免制备仓内部热量流失较快，从而可以使制备仓内部温度保持稳定，提高氮化镓薄膜制备的质量。
一种氮化薄膜制备装置

[发明专利]一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统-CN202011488980.6有效
发明人：周德金;徐宏;马君健;韩婷婷;于理科;刘宗伟 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体贴片机的高效直线抓取系统，具体涉及直线抓取设备技术领域，包括主板、固定杆、壳体和吸筒，所述主板的底端设置有壳体，且壳体与主板之间固定连接有固定杆，所述壳体的内部设置有四组吸筒，且吸筒的顶端设置有螺纹筒，所述壳体的顶端与吸筒之间设置有润滑结构，所述吸筒外侧的底端设置有加固结构，所述吸筒的内部的底端设置有清洁结构。本发明通过在壳体的顶端与吸筒之间设置有润滑结构，打开塞盖，将润滑油滴入流道的内部，此时运作升降机构，流道内侧滚动槽中活动连接的滚珠正好嵌入螺纹筒外侧的螺纹中，即将润滑油均匀涂抹在二者连接之处，减少摩擦阻力，从而延长其使用寿命。
一种用于半导体贴片机高效直线抓取系统

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