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[发明专利]一种KA波段的多层介质集成悬置线的过渡及纵向功分结构-CN201811215480.8在审
发明人： 马凯学;马援;王勇强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种KA波段的多层介质集成悬置线的过渡结构，电路板B和电路板组自上而下交替设置构成悬置线结构，悬置线结构的上下端面均设置与电路板B平行的电路板A；电路板组和电路板B上设置镂空，电路板组和电路板B的镂空构成波导腔；电路板B上设置金属走线结构，金属走线结构包括激励贴片，且激励贴片位于波导腔内，波导腔的内壁内均布有垂直于电路板B的金属柱。本发明还公开了一种KA波段的多层介质集成悬置线的纵向功分结构。本发明一种KA波段的多层介质集成悬置线的过渡及纵向功分结构，通过介质开槽，四周均匀排列金属柱的方式形成矩形波导，金属柱和介质板双面印刷的金属共同充当矩形波导的金属壁，能够很方便地实现各种尺寸的波导结构。
电路板悬置多层介质电路板组波导腔金属柱金属走线矩形波导镂空线结构贴片波导结构过渡结构交替设置均匀排列上下端面双面印刷介质板金属壁均布开槽内壁平行垂直金属

[发明专利]一种基于亚阈值技术的变压器耦合压控振荡器-CN201811070229.7在审
发明人：牟首先;庞博;马凯学;孟凡易 -专利权人：胡建全
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于亚阈值技术的变压器耦合压控振荡器，包括相互连接的核心振荡电路和输出缓冲级电路，所述核心振荡电路包括电感电容谐振回路和负阻产生回路，电感电容谐振回路上主线圈差分电感L1与次级线圈电感L2通过变压器结构进行磁耦合，负阻产生回路由交叉耦合结构的NMOS管M1和NMOS管M2组成，负阻产生回路中的NMOS管M1与电感电容谐振回路中主线圈电感L1和固定电容C1并接点相连。本发明通过上述电路，采取把主回路中的差分电感与副回路中的单圈电感通过变压器结构进行耦合和去除尾电流的方法，降低相位噪声和偏置电压，实现了超低电压供电，超低功耗的设计。
负阻电感电容谐振回路电感变压器结构变压器耦合压控振荡器差分电感振荡电路阈值技术主线圈输出缓冲级电路次级线圈电感电感电容谐振降低相位噪声交叉耦合结构超低电压超低功耗固定电容偏置电压耦合并接点磁耦合副回路尾电流主回路单圈去除电路供电

[发明专利]一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器-CN201811070251.1在审
发明人： 马凯学;谢昌梓;牟首先;孟凡易 -专利权人：胡建全
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。采用二级放大，且采用SiGe BiCMOS作为放大管，能够满足在较高的效率下实现足够的增益和输出功率，解决CMOS性能差，III‑V族半导体成本高、体积大等问题，而且其具有比较高的特征频率和噪声特性，更利于集成。
功率放大电路增益放大电路前级射频功率放大器偏置电路输入匹配网络阻抗变换网络二级放大匹配网络输出功率特征频率依次连接噪声特性放大管输入端半导体

[发明专利]一种双工作模式的超宽带分布式下混频器-CN201811068546.5在审
发明人： 马凯学;谢昌梓;牟首先;孟凡易 -专利权人：胡建全
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，从LO端口到IF端口之间依次连接有第一电抗性部件、第三电抗性部件、第五电抗性部件、低通滤波网络；从RF端口到偏置电压端口之间依次连接有第二电抗性部件、第四电抗性部件、第六电抗性部件；第一共源混频器内核的输入端连接在第二电抗性部件与第四电抗性部件连接的线路上，第一共源混频器内核的输出端连接在第一电抗性部件与第三电抗性部件连接的线路上；第二共源混频器内核的输入端连接在第四电抗性部件与第六电抗性部件连接的线路上，第二共源混频器内核的输出端连接在第三电抗性部件与第五电抗性部件连接的线路上。本发明能实现3.2‑51.2GHz的宽带工作能力，覆盖多个通信频段。
电抗性混频器内核部件连接共源输出端连接输入端连接双工作模式下混频器依次连接超宽带低通滤波网络偏置电压端口工作能力通信频段宽带覆盖

[发明专利]一种介质集成悬置线WLAN双通带低噪声放大器-CN201811068479.7在审
发明人：牟首先;柯正敏;马凯学;孟凡易 -专利权人：胡建全
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质集成悬置线WLAN双通带低噪声放大器，包括低噪声放大器，低噪声放大器的分立器件构成，分立元件之间采用传输线结构进行连接，传输线结构包括介质层、分别设置在介质层两面的传输线和接地层，所述传输线包括依次连接的第一传输线和第二传输线，所述第一传输线的线宽为5.8mm至6.2mm，线长为4.2mm至4.5mm；所述第二传输线的线宽为0.8mm至1.0mm，线长为3.2mm至3.5mm。第一传输线构成低阻抗线，可等效为一端接地的电容结构；第二传输线构成高阻抗线，可等效为串联在电路中的电感结构；采用该传输线结构不仅可实现滤波作用，也可实现阻抗变换效果。
传输线低噪声放大器传输线结构介质集成介质层通带线长线宽悬置低阻抗线电感结构电容结构分立器件分立元件高阻抗线滤波作用依次连接阻抗变换接地层接地串联电路

[发明专利]一种六位数字移相器-CN201811069489.2在审
发明人： 马凯学;韩雪松;牟首先;孟凡易 -专利权人：胡建全
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03H11/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种六位数字移相器，包括5.625°相移电路、11.25°相移电路、22.5°相移电路、45°相移电路、90°相移电路和180°相移电路，所述5.625°相移电路、11.25°相移电路、22.5°相移电路、45°相移电路以任意顺序级联在90°相移电路、180°相移电路之间。将移相器两较高相移电路作为移相器的输出、输出，不仅可提高移相器极间匹配性，且可有效提高移相精度。
相移电路移相器六位数字移相器输出匹配性

[发明专利]一种全集成单刀双掷开关电路-CN201811068466.X在审
发明人： 马凯学;范哲;牟首先;孟凡易 -专利权人：胡建全
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03K17/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种全集成单刀双掷开关电路，包括谐振电容C、发射支路和接收支路，所述发射之路上设置第一天线端口、发射端口TX和控制信号端口Ctrl，所述接收之路上设置第二天线端口、接收端口RX和控制信号端口Ctrl_NOT，第一天线端口和第二天线端口均连接天线ANT，控制信号端口Ctrl和控制信号端口Ctrl_NOT输出相反的控制信号；所述谐振电容C一端接地，另一端连接天线ANT。本发明通过上述电路，具有大功率容量、高隔离度和低损耗的优势。
控制信号端口天线端口单刀双掷开关电路谐振电容全集成天线大功率容量发射端口发射支路高隔离度接收端口接收支路控制信号一端连接接地低损耗电路发射输出

[发明专利]一种高输出功率高效率的功率放大器-CN201811101359.2在审
发明人：马建国;魏世哲;傅海鹏;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种高输出功率高效率的功率放大器，采用基于SiGe工艺的HBT堆叠结构，由三层HBT串联堆叠组成；包括二号HBT晶体管、三号HBT晶体管、四号HBT晶体管和电阻分压网络；二号HBT晶体管发射极接地，集电极连接三号HBT晶体管发射极，基极分别连接二号隔直电容和一号扼流电感；三号HBT晶体管集电极连接四号HBT晶体管发射极，基极连接三号偏置电阻和二号接地电容，三号HBT晶体管基极和发射极之间连接二号电感和三号隔直电容；四号HBT晶体管基极和发射极间连接三号电感和四号隔直电容；四号HBT晶体管基极连接二号偏置电阻和三号接地电容；四号HBT晶体管集电极连接一号电阻、二号扼流电感和五号隔直电容。
隔直电容晶体管发射极晶体管基极晶体管晶体管集电极电感高输出功率功率放大器扼流电感接地电容偏置电阻发射极高效率电阻分压网络集电极连接堆叠结构基极连接接地电阻堆叠三层串联

[发明专利]基于多内层结构的介质集成悬置线耦合器-CN201810966420.3在审
发明人： 马凯学;王勇强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明公开了基于多内层结构的介质集成悬置线耦合器，包括由上而下依次设置的第一电路板、第二电路板、第三电路板、第四电路板、第五电路板、第六电路板和第七电路板；所述第三电路板上设置耦合结构A；所述第五电路板上设置耦合结构B；所述第四电路板上挖除介质形成贯通通孔；所述第三电路板和第五电路板通过第四电路板形成电耦合器。本发明基于多内层结构的介质集成悬置线耦合器，该结构能够在实现相对好的电路性能的前提下，降低整体电路的加工成本，并可以有效的降低损耗；与此同时，采用常规多层印制电路板加工工艺，不需要金属壳体封装和后期装配，也能够实现自封装的效果，并且成本较低，能够批量化生产。
电路板介质集成内层结构线耦合悬置耦合结构封装印制电路板电路性能电耦合器金属壳体依次设置整体电路批量化多层通孔挖除装配贯通加工生产

[发明专利]基于介质集成悬置线的贴片滤波器结构-CN201810966433.0在审
发明人： 马凯学;王勇强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了基于介质集成悬置线的贴片滤波器结构，包括由上而下依次设置的电路板A、电路板B、电路板C、电路板D和电路板E；所述电路板C上挖除介质形成滤波空腔，所述滤波空腔内设置滤波结构；所述电路板B根据滤波结构的形状镂空，所述电路板D根据滤波结构的形状镂空；所述电路板C与电路板A之间形成空气腔体结构，所述电路板C与电路板E之间形成空气腔体结构。本发明基于介质集成悬置线的贴片滤波器结构，通过设置上述结构，减小了滤波器的介质损耗、辐射损耗和介质损耗，从而达到了贴片滤波器的低功耗设计目的，充分利用贴片结构可以介质集成悬置线平台的优势特点，实现较高性能的新型贴片滤波器结构。
电路板贴片滤波器介质集成悬置滤波结构介质损耗空气腔体镂空空腔滤波滤波器低功耗设计辐射损耗贴片结构依次设置优势特点减小挖除

[发明专利]基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器-CN201810730106.5在审
发明人： 马凯学;冯婷;王勇强 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，功率合成放大器为N路功率合成放大器，N路功率放大器的每一路为一个M级功率放大器，功率分配/合成器为N路功率分配/合成器；M级功率放大器的输入输出匹配电路均采用由若干折线电感和双层交指电容组成的带通滤波器型匹配网络，在减小电路尺寸的同时，对信号进行筛选，使M级功率放大器有较好的增益平坦度；功率分配/合成器采用由若干双层螺旋电感和双层交指电容组成的低通滤波器型匹配电路，并采用双层互联的馈线，双层螺旋电感和双层馈线的使用减小了导体损耗；集总元件功率合成放大器解决了当前功率合成合成放大器损耗大，体积大，笨重，及需要额外金属屏蔽壳的问题。
功率合成放大器功率分配/合成器电感功率放大器集总元件交指电容介质集成双层螺旋减小馈线悬置输入输出匹配电路路功率放大器折线带通滤波器低通滤波器合成放大器金属屏蔽壳增益平坦度导体损耗功率合成匹配电路匹配网络电路互联筛选

[实用新型]一种低相位噪声宽调谐带宽压控振荡器电路-CN201820361519.6有效
发明人：胡建全;马凯学 -专利权人：成都智芯测控科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H03B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低相位噪声宽调谐带宽压控振荡器电路，其特征在于，包括负阻电路和连接在负阻电路上的LC谐振电路，所述LC谐振电路包括均连接在第一电源和负阻电路之间的第一电感和第二电感、以串联关系连接在负阻电路和第二电源之间的第一电容和第一可变电容、以串联关系连接在负阻电路和第二电源之间的第二电容和第二可变电容，所述第一电容和第一可变电容公共端上连接有一端接地的第三电感，所述第二电容和第二可变电容公共端上连接有一端接地的第四电感。利用本实用新型的压控振荡器电路，不仅可兼顾相位噪声，也可实现调谐带宽的调节。
负阻电路电感可变电容电容压控振荡器电路调谐带宽本实用新型低相位噪声电源关系连接接地公共端串联相位噪声

[实用新型]一种超宽带分布式混频器-CN201820025676.X有效
发明人：胡建全;马凯学 -专利权人：成都智芯测控科技有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超宽带分布式混频器，包括第一射频信号传输电路和用于传输本振信号的本振传输线，所述第一射频信号传输电路包括第一晶体管组和用于传输射频信号的第一射频传输线，所述第一晶体管组包括n个晶体管，n为不小于2的整数，第一晶体管组中每个晶体管的栅极连接第一射频传输线、源极连接本振传输线、而漏极接地，且在第一射频传输线和本振传输线上，第一晶体管组中的每个晶体管前后均有电感。本实用新型利用晶体管的栅极和漏极之间的寄生电容构建传输射频信号的人工传输线，实现了超宽带混频器，超宽带混频器的射频和本振带宽频率覆盖范围从兆赫兹(MHz)覆盖到吉赫兹(GHz)，可以实现接近晶体管特征频率的射频带宽。
传输线晶体管组超宽带混频器晶体管本振射频传输线传输射频信号射频信号传输本实用新型漏极电路电感晶体管特征本振信号带宽频率寄生电容射频带宽源极连接栅极连接接地覆盖构建射频传输

[发明专利]一种超宽带分布式混频器-CN201810015802.8在审
发明人：胡建全;马凯学 -专利权人：成都智芯测控科技有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带分布式混频器，包括第一射频信号传输电路和用于传输本振信号的本振传输线，所述第一射频信号传输电路包括第一晶体管组和用于传输射频信号的第一射频传输线，所述第一晶体管组包括n个晶体管，n为不小于2的整数，第一晶体管组中每个晶体管的栅极连接第一射频传输线、源极连接本振传输线、而漏极接地，且在第一射频传输线和本振传输线上，第一晶体管组中的每个晶体管前后均有电感。本发明利用晶体管的栅极和漏极之间的寄生电容构建传输射频信号的人工传输线，实现了超宽带混频器，超宽带混频器的射频和本振带宽频率覆盖范围从兆赫兹(MHz)覆盖到吉赫兹(GHz)，可以实现接近晶体管特征频率的射频带宽。
一种宽带分布式混频器

[发明专利]一种采用电感抵消技术的超宽带放大器电路-CN201710827355.1在审
发明人： 马凯学;胡建全 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电感抵消技术的超宽带放大器电路，包括有源偏置电路、电感抵消元件、电源VDD及两个晶体管堆叠的共源‑共栅结构，其中，有源偏置电路与电源VDD连接。电感抵消元件包括电感L2和电感L3，共源‑共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1和晶体管M2，晶体管M1源极通过电感L2接地，晶体管M1栅极串接电阻R1后输入栅压。晶体管M2源极与晶体管M1漏极连接，晶体管M2栅极通过电容C2接地，晶体管M2栅极串接电阻R3后输入栅压，晶体管M3漏极串接电感L3后与有源偏置电路连接。本发明的工作频率覆盖兆赫兹(MHz)到吉赫兹(GHz)，带宽与分布式放大器相当，而单元电路增益性能、功耗和芯片面积等优于分布式结构。
一种采用电感抵消技术宽带放大器电路

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