专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器-CN201711181871.8有效
  • 谢红云;刘芮;高杰;吴佳辉;马佩;张万荣 - 北京工业大学
  • 2017-11-23 - 2019-09-03 - H01L31/0224
  • 本发明公开一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器。该探测器包括Si衬底;在Si衬底上依次制备出Si次集电区、Si集电区、SiGe基区和多晶Si发射区,SiGe基区上下各生长一层本征SiGe层。掺杂浓度高的SiGe基区作为光敏晶体管探测器的光吸收层;Si次集电区,Si集电区,本征SiGe层,SiGe基区和多晶硅发射区形成脊型波导结构;光窗口位于脊形波导的端面,实现入射光的侧面探测吸收。发射极电极和集电极电极构成的行波电极,可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应,减少寄生电容对高速传输的影响。随着硅集成电路特征线宽逐渐缩小,用波导型SiGe探测器作为光互联的主要器件,可以缓解金属互联造成的传输信号延时、功率耗散、层间干扰等制约系统性能的问题。
  • 一种具有行波电极基波光敏晶体管探测器
  • [发明专利]具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器-CN201710436715.5有效
  • 谢红云;马佩;刘硕;高杰;吴佳辉;刘芮;张万荣 - 北京工业大学
  • 2017-06-12 - 2018-11-13 - H01L31/0352
  • 本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP,从衬底往上依次为:InP缓冲层、In0.53Ga0.47As集电区、In0.53Ga0.47As本征层、In0.53Ga0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In0.53Ga0.47As欧姆接触层。集电极在In0.53Ga0.47As集电区台面上;基极和基区光窗口在In0.53Ga0.47As基区台面上;发射极在In0.53Ga0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In0.53Ga0.47As本征层,在集电极偏置为2V时完全耗尽,大大增加了集电结耗尽层的厚度,使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离,从而产生光生电流。因此,本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。
  • 具有结构ingaasinp光敏晶体管红外探测器
  • [外观设计]用于电脑的图形用户界面-CN201730451682.2有效
  • 马佩;胡月;颜志成 - 湖南星汉数智科技有限公司
  • 2017-09-22 - 2018-05-15 - 14-02
  • 1、本外观设计产品的名称:用于电脑的图形用户界面。2、本外观设计产品的用途:用于运行程序及显示。3、本外观设计产品的设计要点:屏幕中的图形用户界面内容,电脑为现有设计。4、最能表明本外观设计要点的图片或照片:主视图。5、省略视图:后视图、左视图、右视图、俯视图及仰视图无设计要点,因此省略。6、界面用途:产品的图形用户界面为特定目标深度搜索系统的界面,用于展示目标实体多个维度的信息。主视图显示目标实体的“基本信息”;在主视图中点击“关系图谱”,出现界面变化状态图1;在主视图中点击“观点言论”,出现界面变化状态图2;在主视图中点击“舆论话题”,出现界面变化状态图3;在主视图中点击“关联信息”,出现界面变化状态图4;在主视图中点击“历史活动”,出现界面变化状态图5。主视图中的灰色区域为删除的图片区域,该区域不涉及产品设计要点。主视图使用状态参考图是主视图在实际使用过程中的参考界面。
  • 用于电脑图形用户界面

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