专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]温度传感器及温度修调校准方法-CN202310208995.X在审
  • 李文昌;贾晨强;阮为 - 中国科学院半导体研究所
  • 2023-03-06 - 2023-05-23 - G01K7/18
  • 本公开提供了一种温度传感器及温度修调校准方法,可以应用于传感技术领域。该方法包括:感温电路,用于根据第三可调参数,确定非线性参数,并根据第一可调参数,确定温度系数;信号调理电路,用于根据第二可调参数,确定零度输出参数;温度传感器,用于根据非线性参数、温度系数和零度输出参数,确定修调输出曲线;第二可调参数和第三可调参数信号是信号调理电路的参数,第一可调参数是感温电路的参数,修调输出曲线是与温度呈线性关系的输出曲线。
  • 温度传感器温度调校方法
  • [实用新型]一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路-CN201520726825.1有效
  • 阮为 - 芯佰微电子(北京)有限公司
  • 2015-09-18 - 2016-01-20 - H01L27/02
  • 本实用新型公开了一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。本实用新型提出了一种由MOS管这种4端器件和其栅极控制电路构成的天线效应保护电路结构,消除了对传统天线二极管的依赖,有效减小主动屏蔽层所需的天线效应保护电路的面积,提高了芯片的鲁棒性。
  • 一种用于消除主动屏蔽天线效应保护电路
  • [实用新型]一种多协议密码算法处理器及片上系统-CN201520726995.X有效
  • 阮为 - 芯佰微电子(北京)有限公司
  • 2015-09-18 - 2016-01-13 - G06F15/76
  • 本实用新型提供了一种多协议密码算法处理器及片上系统,其中的多协议密码算法处理器包括总线接口模块、指令处理器及存储器切换模块;所述总线接口模块分别与所述指令处理器及所述存储器切换模块连接,用于连接总线并解析其读写时序,并与所述指令处理器及所述存储器交互。采用上述方案,本实用新型通过把上述密码及计算用同一套电路支持,并采用指令序列控制的方式进行运算,支持用户修改指令序列,解决了硬件IP方案的面积和升级问题;同时,对指令的实现做了硬件优化,解决了软件算法方案的性能问题。
  • 一种协议密码算法处理器系统
  • [实用新型]一种利用负电压进入芯片测试模式的电路-CN201520726843.X有效
  • 阮为 - 芯佰微电子(北京)有限公司
  • 2015-09-18 - 2016-01-13 - G11C29/56
  • 本实用新型公开了一种利用负电压进入芯片测试模式的电路,所述开关管M0的源极连接电源VDD,开关管M0的漏极连接芯片管脚P1和开关管M1的漏极,开关管M0的栅极连接电阻RO、开关管M1的栅极、开关管M2的栅极和开关管M3的栅极,电阻R0的另一端接地,开关管M3的源极连接电源VDD,开关管M1的源极连接开关管M2的源极和非门I9的输入端B,非门I9的输入端A连接触发器DFF5的ON脚,触发器DFF5的CP脚连接芯片管脚PFI。本实用新型提出了一种复用I/O管脚并需要配合施加负电压才能进入测试模式的电路,在工艺不具备非易失性存储的条件下,仍然能在芯片封装后具有多个状态模式,并且不会影响到客户正常应用。
  • 一种利用电压进入芯片测试模式电路
  • [实用新型]一种用于安全芯片的内建密钥只读存储器保护电路-CN201520726975.2有效
  • 阮为 - 芯佰微电子(北京)有限公司
  • 2015-09-18 - 2016-01-13 - G11C7/24
  • 本实用新型公开了一种用于安全芯片的内建密钥只读存储器保护电路,包括密钥生成电路、解密电路、数据存取电路和只读存储器;所述解密电路分别连接秘钥生成电路、数据存取电路和只读存储器。秘钥生成电路产生二进制数字序列形式的密钥送给解密电路,只读存储器用于存储经加密处理后的密文,只读存储器中的密文由解密电路根据密钥解密后,送给数据存取电路使用。所述秘钥生成电路包括密钥位恢复模块和线性反馈移位寄存器。本实用新型提出了一种由缓冲器延时链和触发器构成的密钥位恢复电路结构,结合反馈移位寄存器扰乱处理,增强了密钥的隐蔽性,从而提高了芯片内只读存储器的数据安全性。
  • 一种用于安全芯片密钥只读存储器保护电路
  • [发明专利]一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路-CN201510599183.8在审
  • 阮为 - 芯佰微电子(北京)有限公司
  • 2015-09-18 - 2015-12-02 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。本发明提出了一种由MOS管这种4端器件和其栅极控制电路构成的天线效应保护电路结构,消除了对传统天线二极管的依赖,有效减小主动屏蔽层所需的天线效应保护电路的面积,提高了芯片的鲁棒性。
  • 一种用于消除主动屏蔽天线效应保护电路
  • [发明专利]一种用于安全芯片的内建密钥只读存储器保护电路-CN201510598463.7在审
  • 阮为 - 芯佰微电子(北京)有限公司
  • 2015-09-18 - 2015-11-25 - G11C7/24
  • 本发明公开了一种用于安全芯片的内建密钥只读存储器保护电路,包括密钥生成电路、解密电路、数据存取电路和只读存储器;所述解密电路分别连接秘钥生成电路、数据存取电路和只读存储器。秘钥生成电路产生二进制数字序列形式的密钥送给解密电路,只读存储器用于存储经加密处理后的密文,只读存储器中的密文由解密电路根据密钥解密后,送给数据存取电路使用。所述秘钥生成电路包括密钥位恢复模块和线性反馈移位寄存器。本发明提出了一种由缓冲器延时链和触发器构成的密钥位恢复电路结构,结合反馈移位寄存器扰乱处理,增强了密钥的隐蔽性,从而提高了芯片内只读存储器的数据安全性。
  • 一种用于安全芯片密钥只读存储器保护电路

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