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[发明专利]一种调控聚噻吩衍生物区域规整度的方法及其产物和应用-CN202210010771.3有效
发明人：叶龙;刘洋;鲜开虎;邓云峰;耿延候 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于有机光电技术领域，公开了一种调控聚噻吩衍生物区域规整度的方法及其产物和应用，在简单噻吩衍生物中通过使用直接芳基化自缩聚的策略，保证分子量可控的基础上，以添加不同的配体比例，可定向合成区域规整度的聚噻吩衍生物，制备方法简单、原子经济性高。更重要的是，这种经过调控区域规整度后的聚噻吩衍生物，可以获得超过目前文献中相同化合物报道的器件性能。本发明所获得聚合物具有可控的区域规整度和分子量，从而在有机太阳能电池中的获得优化的微观形貌和能量转换效率。
一种调控噻吩衍生物区域规整方法及其产物应用

[发明专利]噻唑-5-吡咯并吡咯二酮及其共轭聚合物的制备方法和作为半导体材料的应用-CN202211198379.2在审
发明人： 耿延候;石毅博;邓云峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体材料技术领域，具体涉及噻唑‑5‑吡咯并吡咯二酮及其共轭聚合物的制备方法和作为半导体材料的应用。本发明式1所示结构采用噻唑(Tz)的5号位与DPP相连，通过“Tz‑5‑DPP”的结构同时保留缺电子性和高的C‑H反应性，适用于高效的Oxi‑DArP反应，从而使本发明提供的式1所示结构的噻唑‑5‑吡咯并吡咯二酮化合物能够作为可进行交叉偶联缩聚尤其是Oxi‑DArP的单体，并运用Oxi‑DArP方法合成共轭聚合物，作为n型半导体材料应用于制备有机薄膜晶体管和有机热电器件。
噻唑吡咯及其共轭聚合物制备方法作为半导体材料应用

[发明专利]一种基于共轭聚合物的聚氨酯多嵌段共聚物及其制备方法和应用-CN202210684604.7有效
发明人： 耿延候;韩洋;安传斌;裴丹丹 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C08G18/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于共轭聚合物的聚氨酯多嵌段共聚物及其制备方法和应用，涉及共轭聚合物和聚氨酯的技术领域，利用缩聚反应机理，先合成了聚合物两端均为羟基的共轭聚合物，而后利用异氰酸根与羟基的高效反应，与二异氰酸酯以及羟基封端的柔性链段一锅法制备聚氨酯多嵌段共聚物。此聚合方法巧妙，且聚合活性高，制备的多嵌段聚合物分子量较高且分子量分布窄，为其商业应用提供了良好的基础。共混后材料的电学性质几乎没有变化，并在后续的循环拉伸实验中可以在100％的应变下循环拉伸5000次电学性能不降低，大大延长了可拉伸半导体材料的使用寿命。
一种基于共轭聚合物聚氨酯多嵌段共聚物及其制备方法应用

[发明专利]茚满二酮封端的吡咯并吡咯二酮醌式化合物及其制备方法与应用-CN202111273079.1在审
发明人：邓云峰;王成;杜天;耿延候 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种吡咯并吡咯二酮醌式化合物及其制备方法与应用，属于有机半导体材料技术领域。所述醌式化合物的化学结构如式(1)所示，其制备方法包括如下步骤：1,3‑茚满二酮、式(2)所示的溴代化合物在钯催化剂和碱的作用下发生取代反应，随后在空气氧化下得到式(1)所示的醌式化合物。本方法具有合成产率高和不需要采用强氧化剂的优点。所述醌式化合物具有最低未占据分子轨道(LUMO)能级低以及分子骨架平面性好的特点，从而赋予其好的电子传输能力，以所述醌式化合物制备的有机场效应晶体管显示出纯n型传输特性，器件的电子迁移率能够达到0.53cm2·V‑1·s‑1。
茚满二酮封端吡咯二酮醌式化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种基于稠并异靛蓝的近红外染料分子及其制备方法与应用-CN202111273568.7在审
发明人： 耿延候;江宇;邓云峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机功能材料领域和有机电子学领域，具体涉及一种基于稠并异靛蓝的近红外染料分子及其制备方法与应用。该类共轭分子具有明确的结构，以芳香环并二吡咯四酮类衍生物，吲哚‑2‑酮类衍生物为原料，采用多步的Aldol缩合合成得到。通过调节芳香单元的结构，能够有效调控这类分子的能级结构和吸收性质，获得在近红外区具有强吸收的有机半导体材料。这类分子可用于光热治疗、光声成像、有机薄膜晶体管、有机热电、有机太阳能电池等领域。
一种基于靛蓝红外染料分子及其制备方法应用

[发明专利]氯取代的聚噻吩衍生物及太阳能电池-CN201910419413.6有效
发明人：李淼淼;耿延候;王琪 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于有机光电技术领域，具体涉及一种氯取代的聚噻吩衍生物及太阳能电池。氯取代的聚噻吩衍生物，其特征在于，如式(I)示出：其中，X、X’为H、F或者Cl；R为C8‑C24，n为重复单元。本申请在噻吩化合物中引入吸电子基团，可以拉低聚合物的HOMO能级。氯原子具有较强的电负性，在共轭聚合物引入氯原子可以实现更低的HOMO能级。更重要的是，氯取代的聚合物很容易合成，可以由商业化原料通过较为简单的合成方法得到。
取代噻吩衍生物太阳能电池

[发明专利]一类醌式化合物及其制备方法和应用-CN201810812827.0有效
发明人： 耿延候;邓云峰;杜天;高瑞横;白俊华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C07C49/683 文献下载
摘要：本发明公开了一类醌式化合物及其制备方法和应用。该类分子结构如下，该结构容易修饰，并且具有分子骨架平面性好、自组装能力强、最高未占据轨道(LUMO)能级低、带隙窄、对水氧不敏感的特点，作为有机半导体材料能够极大的提高空穴和电子的传输能力，从而最为n型(传输电子)材料和双极材料(既可传输空穴又可以传输电子)应用于有机场效应晶体管、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、有机热电和有机发光等器件中；
一类化合物及其制备方法应用

[发明专利]四氯代联噻吩、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用-CN202010763197.X在审
发明人： 耿延候;睢颖;邓云峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C07D333/28 文献下载
摘要：本发明涉及四氯代联噻吩、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用。四氯代联噻吩聚合物结构式如下；本发明所提供的四氯代联噻吩是具有高直接芳基化缩聚反应活性的聚合单体，与多种卤代芳香化合物单体进行直接芳基化缩聚反应，制备共轭聚合物。聚合得到的共轭聚合物可以用来制备有机薄膜晶体管器件。并且，基于该化合物的共轭聚合物具有较低的最高未占据轨道(LUMO)和最高被占轨道(HOMO)能级，表现出较好的电子传输(n型)性能或者电子传输与空穴传输并存的双极传输性能。
四氯代联噻吩聚合物合成方法有机薄膜晶体管应用

[发明专利]四氯代二噻吩乙烯、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用-CN202010325552.5在审
发明人： 耿延候;睢颖;邓云峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C07D333/28 文献下载
摘要：本发明提供了四氯代二噻吩乙烯、聚合物及合成方法和有机薄膜晶体管应用；四氯代二噻吩乙烯的合成步骤较少，成本较低，并且具有高直接芳基化反应活性，通过直接芳基化聚合制备共轭聚合物半导体材料。含四氯代二噻吩乙烯的共轭聚合物可用于制备有机薄膜晶体管器件，该聚合物有利于电荷的传输，从而获得可以满足工业应用要求的迁移率性能。有机薄膜晶体管器件均表现出双极传输或n型传输性能。双极传输性能有机薄膜晶体管器件的电子和空穴迁移率最高值超过1.7cm2/V·s和0.8cm2/V·s，n型传输性能的有机薄膜晶体管电子迁移率最高值超过1.2cm2/V·s。
四氯代二噻吩乙烯聚合物合成方法有机薄膜晶体管应用

[发明专利]基于异靛蓝衍生物的电子传输型聚合物及有机场效应晶体管-CN201710010479.0有效
发明人： 耿延候 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于异靛蓝衍生物的电子传输型聚合物及有机场效应晶体管，选取吸电子能力强的氟代异靛蓝或氮杂异靛蓝为第一聚合单体，平面性好、最高被占据轨道(HOMO)能级低的四氟代二噻吩乙烯或四氟代联噻吩为第二聚合单体。多个氟原子的引入使得提供的聚合物具有如下优势，(1)低的最高未占据轨道(LUMO)和HOMO能级，导致在有机场效应晶体管器件中电子能够有效注入并能在空气中稳定传输；同时空穴难以注入，从而使得所提供的聚合物具有空气稳定的电子传输特性。(2)好的共轭骨架平面性和强的分子间相互作用，使得该聚合物半导体材料具有高的电子迁移率，最高达到5.0cm²/V·s。(3)可以采用直接芳基化反应制备。
基于靛蓝衍生物电子传输聚合物有机场效应晶体管

[发明专利]应用于有机场效应晶体管的基于吡啶取代吡咯并吡咯二酮的电子传输型聚合物半导体材料-CN201810444784.5在审
发明人： 耿延候;郭恺;邓云峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供一类应用于有机场效应晶体管的基于吡啶取代吡咯并吡咯二酮的电子传输型聚合物半导体材料；结构式如(I)；选取吸电子能力强、平面性好的吡啶取代吡咯并吡咯二酮为第一聚合单体，四氟代联噻吩和四氟代二噻吩乙烯为第二聚合单体。在噻吩单元上引入多个氟原子，能够同时降低聚合物的最高被占据轨道(HOMO)能级和最低未被占据轨道(LUMO)能级，使聚合物表现n型传输特性。并且借助于F‑S和F‑H的弱相互作用，提高聚合物链间相互作用，从而保证该聚合物半导体材料的有机场效应晶体管具有高的电子迁移率，最高达到2.45cm²/V·s；
聚合物半导体材料有机场效应晶体管取代吡咯二酮吡咯能级电子传输型聚合单体聚合物四氟电子迁移率二噻吩乙烯吸电子能力传输特性聚合物链噻吩单元占据氟原子平面性轨道应用引入表现保证

[发明专利]聚合物及其制备方法、有机聚合物太阳能电池-CN201310421206.7有效
发明人： 耿延候;谢志元;邓云峰;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚合物及其制备方法、有机聚合物太阳能电池，该聚合物如式（I）或式（II）所示。与现有共轭聚合物相比，本发明式（I）或式（II）所示的聚合物以二噻吩并咔唑的稠环单元为给体，该稠环单元重组能小，π电子离域性好，将其引入共轭化合物中可有效降低聚合物的重组能，延长聚合物的共轭长度，从而可以提高聚合物的迁移率和减少聚合物的光学带隙，光学带隙的降低可使聚合物的吸收带红移，使其吸收光谱与太阳光谱更匹配，因此，此类聚合物不仅可扩大聚合物的光谱吸收范围，还可提高空穴迁移率；以氟代异靛蓝为受体，可降低聚合物的HOMO能级，提高聚合物太阳能电池的开路电压。
聚合物及其制备方法有机太阳能电池

[发明专利]一种聚合物太阳能电池-CN201310172619.6有效
发明人：谢志元;耿延候;邓云峰;刘剑;吴江 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物太阳能电池，其依次包括：阴极层、阴极界面层、光敏层、阳极界面层以及阳极层；所述阴极界面层为无机半导体纳米晶-共轭聚合物复合材料层。所述阴极界面层具体为氧化锌（ZnO）-磷酸酯聚芴（PFEP）复合材料层。本发明的聚合物太阳能电池，通过在阴极层和光敏层间引入氧化锌（ZnO）-磷酸酯聚芴（PFEP）复合阴极界面层，通过控制界面层中ZnO与PFEP的质量比例，可以有效的增加阴极界面层的电导率，减小了该阴极界面层的体电阻，减小了电子输出电阻，进而提高了电池的短路电流﹑开路电压﹑填充因子和能量转换效率，有利于电子传输和收集。
一种聚合物太阳能电池

[发明专利]聚合物太阳能电池-CN201310172602.0无效
发明人：谢志元;耿延候;刘剑;邓云峰;吴江 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物太阳能电池，依次包括：阴极层、阴极界面层、光敏层、阳极界面层以及阳极层；所述光敏层中电子给体为共轭聚合物。本发明的聚合物太阳能电池，使用共轭聚合物P-tCzC12-DPP或P-tCzC12-IID作为光敏层给体材料，该给体材料吸收范围宽，吸收系数大，电荷迁移率高，最终使得聚合物太阳能电池的性能获得较好的性能。
聚合物太阳能电池

[发明专利]一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管-CN201210349874.9有效
发明人： 耿延候;田洪坤;董少强 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。本发明向酞菁核的2、3、16和17位上各引入一个相同的取代基，并保留酞菁核中的两个苯环不被取代，在提高溶解性的同时尽可能地不破坏酞菁核的紧密π-π堆积排列方式，实现较高的场效应迁移率；此外，中心金属原子能调节取代酞菁的电子结构，同时其能和取代基产生协同效应，调控取代酞菁薄膜的堆积方式，故采用所述可溶性酞菁化合物能获得具有较高迁移率的有机薄膜晶体管。本发明提供了一种可溶性酞菁化合物的制备方法和一种有机薄膜晶体管，其载流子迁移率可达1cm²/V·s。
一种可溶性化合物制备方法有机薄膜晶体管

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