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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201810299234.9有效
发明人： 金载熙;黄灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：提供了制造相移掩模的方法和制造半导体器件的方法。制造相移掩模的方法包括准备透射衬底，第一掩模区域和围绕第一掩模区域的第二掩模区域被限定在透射衬底上。在第一掩模区域中，主图案形成为在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上具有第一节距。主图案的每个具有第一面积。在至少一行中，辅助图案以第一节距形成为围绕主图案。辅助图案的每个具有小于第一面积的第二面积。在第二掩模区域中，虚设图案形成为多个行。虚设图案以第一节距围绕辅助图案。虚设图案的每个具有大于第一面积的第三面积。
半导体器件

[发明专利]微图案、电容器、半导体器件和电子系统及其制造方法-CN201711374869.2有效
发明人：河淳穆;金载熙;黄灿;金钟赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种形成微图案的方法包括：在基板上形成模层和支撑材料层；图案化模层和支撑材料层以形成凹槽图案；在凹槽图案中形成导体图案；去除支撑材料层的上部分以使得导体图案的上部分突出；在支撑材料层上形成嵌段共聚物层；处理嵌段共聚物层以将嵌段共聚物层相分离成多个嵌段部分；选择性地去除相分离的所述多个嵌段部分中的一些；以及去除支撑材料层以在与已去除的嵌段部分中的每个对应的位置处暴露模层。
图案电容器半导体器件电子系统及其制造方法

[发明专利]用于负显影的光掩模-CN201910857744.8在审
发明人：河淳穆;金载熙;李庸旭;金容佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：提供了一种用于负显影的光掩模。所述光掩模包括：主区域；以及划道区域，围绕主区域并包括第一道和第二道。第一道和第二道相对于主区域设置在彼此的第一相对侧处。第一道包括在第一方向上延伸的第一子道和在第一方向上延伸的第二子道。第一子道包括第一虚设图案，第二子道包括第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案被构造为将超过光阈值剂量的光辐射到负性光致抗蚀剂的设置在光掩模的第一道下方的第一部分。
用于显影光掩模

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610890120.2有效
发明人： 金载熙;河淳穆;金钟赫;朴俊洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括在基板的第一和第二芯片区域上分别形成包括选择元件的第一和第二下结构、在第一和第二下结构上分别形成第一和第二模层、在第一和第二模层上分别形成第一和第二支撑层、图案化第一支撑层和第一模层以形成暴露第一下结构的第一孔、在第一孔中形成第一下电极、通过选择性地图案化第一支撑层而保留第二支撑层而形成包括至少一个开口的支撑图案、以及通过开口去除第一模层。支撑图案的顶表面设置在与第二支撑层的顶表面基本上相同的水平处。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]可变气门致动器-CN201010556348.0有效
发明人： 金载熙;李康赫 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： F01L1/34 文献下载
摘要：一种可变气门致动器，可以包括：摇臂，该摇臂可以枢轴转动地连接到摇臂轴，并且该摇臂的摇臂液压供给线和摇臂液压排出线可以形成在该摇臂中；可变控制活塞，该可变控制活塞可以流体连接到摇臂液压供给线并且可滑动地干涉摇臂液压排出线，以根据摇臂液压供给线的供给液压选择性地关闭摇臂液压排出线；致动部分，该致动部分可以通过该可变控制活塞选择性流体连接到摇臂液压供给线和摇臂液压排出线，从而使致动部分根据摇臂液压供给线的供给液压选择性地突出；以及气门单元，该气门单元根据致动部分的往复运动而打开。
可变气门致动器

[发明专利]形成量子点和使用该量子点形成栅极的方法-CN200810131204.3无效
发明人： 金载熙 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：披露了用于使用量子点形成栅极的方法。更具体地，本发明涉及一种用于形成量子点以用于制造包括具有该量子点的栅极的超微半导体器件的方法。本发明能够以一致的尺寸和一致的间距形成量子点，以便实现电稳定的器件。
形成量子使用栅极方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200810186218.5无效
发明人： 金载熙 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种制造图像传感器的方法，包括：在图像传感器的表面上形成光刻胶层；使用用于制造多个微透镜的掩膜来对该光刻胶层进行曝光和显影，以便形成光刻胶图样，其中该掩膜具有多个相互分开排列的第一光遮蔽图样以及多个第二光遮蔽图样，其中每个第二光遮蔽图样形成于一个部分，在该部分上第一光遮蔽图样的四个相邻的边缘是居中的；以及回流光刻胶图样以在每个部分上制造凹透镜和多个微透镜，其中在该每个部分上微透镜的四个相邻边缘是居中的。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710136624.6无效
发明人：郑恩洙;金载熙 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：通过蚀刻半导体衬底来形成沟槽，用于形成器件隔离区和具有第一宽度的半导体凸起部；在沟槽和半导体凸起部上形成氧化物膜；在氧化物膜上形成绝缘层；通过抛光绝缘层和氧化物膜暴露半导体凸起部的上表面；在半导体凸起部的下部区域形成栅极绝缘层；以及蚀刻衬底上的绝缘层和氧化物膜。本发明能够精细地实现半导体器件的栅极宽度，并减少制造成本以及处理的成本和时间。
半导体器件制造方法

[发明专利]包括测试电路的随机存取存储器-CN200710130535.0无效
发明人：戴维·霍普;巴里·赫尔塞;金载熙;朴宰铉 -专利权人：奇梦达北美公司
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种随机存取存储器包括输入焊盘和测试电路。输入焊盘被配置为接收行地址和列地址。测试电路被配置为经由输入焊盘来接收行地址和列地址以及接收屏蔽位。测试电路基于屏蔽位来选择行地址和列地址的位，并且基于所选择的行地址和列地址的位来提供至少一个测试数据位。
包括测试电路随机存取存储器

[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法-CN200610170192.6无效
发明人： 金载熙 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：制备被划分为像素阵列单元和逻辑电路单元的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成下层互连；在包括所述下层互连的半导体衬底的整个表面上形成层间介电层；通过选择性去除所述逻辑电路单元的层间介电层而形成第一通孔；通过将金属掩埋到所述第一通孔中而形成上层互连，然后对掩埋在所述第一通孔中的金属表面进行平坦化；在包括所述上层互连的半导体衬底的整个表面上形成保护层；和通过选择性去除在所述上层互连上形成的保护层而形成第二通孔。
cmos 图像传感器制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510103061.1无效
发明人： 金载熙 -专利权人：东部亚南半导体株式会社
申请日： 2005-09-19 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极氧化物层，以及使用浓度为9％到11％的氮作为等离子体气体在氧化物层的表面形成氮化物层。以此方案，在栅极长度为100nm或小于100nm的半导体中使用等离子体氮化法，从而保持NMOS晶体管的电荷迁移率，以及防止PMOS晶体管的硼渗透。
半导体器件及其制造方法

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