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[发明专利]CMOS图像传感器-CN200510055379.7有效
发明人： 金湘亮 -专利权人：北京思比科微电子技术有限公司
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS图像传感器。其结构包括像素阵列，与该像素阵列的行对应连接的行译码器，以及通过相关双采样电路与该像素阵列的列对应连接的列译码器，所述的像素阵列包括由一组像素单元电路组成，且所述的像素单元电路为对数式响应的像素单元电路，所述的对数式响应的像素单元电路具体包括一个与电源连接的工作于亚阈值区的晶体管以实现像素单元电路的对数式响应。因此，本发明中可以采用多分辨率量化模数转换器进行模数转换处理，所述的多分辨率量化模数转换器不仅能够进行模数转换，还能够进行低照度状态下的信号放大和高照度状态下的信号压缩，并且可以使得CMOS图像传感器实现80分贝以上的动态范围，从而达到低功耗、动态范围宽和面积小的技术效果。
cmos 图像传感器

[发明专利]低噪声相关双取样电路-CN200510055260.X有效
发明人： 金湘亮 -专利权人：北京思比科微电子技术有限公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G11C27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低噪声相关双取样电路，包括电路中的第一取样保持电容和第二取样保持电容及其各自的取样保持节点，所述两个取样保持节点分别通过各自的读出开关接入同一个缓冲器的输入端进行相应的处理。因此，采用该电路结构的本发明有利于消除或减弱相关双取样电路本身引入的热噪声、1/f噪声和/或固定图形噪声，并且能够使电路结构规模下降一倍，从而降低电路的复杂度，节省大量晶体管消耗的能量，达到结构简单、低功耗的目的。
噪声相关取样电路

[发明专利]分段线性的模数转换器-CN200510055259.7有效
发明人： 金湘亮 -专利权人：北京思比科微电子技术有限公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H03M1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种分段线性的模数转换器。其结构包括模数量化器，以及与其连接的编码电路，所述的模数量化器采用非均匀的量化等级对输入的模拟信号进行模数转换处理。本发明由于可以对输入的模拟信号根据非均匀量化等级的原理产生代表模拟信号的数字信号；而且，模数转换器中的量化器在不同区域有着不同的分辨率。因此，本发明对人眼感兴趣的模拟信号范围，或者是光场、声场、温场等环境中模拟信号发生频繁的地方，可以根据具体环境和具体观察对象不同动态调节参考电压值，以获得较佳的应用效果。同时，本发明还可以实现当一个输入信号幅度较低的情况下，模数转换器具有放大的功能，在幅度较高的情况下，模数转换器具有压缩的功能。
分段线性转换器

[发明专利]高匹配低功耗低噪声CDS电路结构-CN200310116352.5无效
发明人： 金湘亮;陈杰;仇玉林 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H03F1/00 文献下载
摘要：一种高匹配低功耗低噪声CDS电路结构，包括：两个取样开关晶体管M2、M3，是用来提高信号摆幅降低功耗，其漏极相连接并接输入端1；一个列偏置晶体管M1，其漏极接两个取样开关用P型MOS晶体管M2、M3的栅极；两个晶体管M4、M5，其源极相连接，一晶体管M4的栅极接晶体管M2的栅极，一晶体管M5的漏极接晶体管M3的栅极；两个电容C1、C2，分别与晶体管M4、M5的栅极和漏极相连接；一对列跟随晶体管M8、M9，其源极分别接电容C1、C2，晶体管M9的漏极是输出端16，晶体管M8的漏极是输出端17；一对列选通晶体管M6、M7，其源极相接，栅极相接，晶体管M6的漏极与晶体管M8的栅极相接，晶体管M7的漏极与晶体管M9的栅极相接。
匹配功耗噪声 cds 电路结构

[发明专利]宽线性动态范围连续共模反馈电路结构-CN200310116353.X无效
发明人： 金湘亮;陈杰;仇玉林 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种宽线性动态范围连续共模反馈电路结构，包括：晶体管M9、M10和M11的源极与节点1相连，晶体管M9、M10和M11的栅极相连于节点2；晶体管M1和M4的栅极分别接运算放大器的输出端7和5，晶体管M1和M4的漏极与节点2相连；晶体管M2和M3的栅极相连于节点6，晶体管M2和M3的漏极相连于节点4；晶体管M5、M6、M7和M8的栅极相连于节点12，晶体管M5、M6、M7和M8的漏极分别与节点8、9、10和11相连；晶体管M12和M13的漏极分别与节点13和14相连，节点16和17与地相连；电容C的两端与节点4和6相连，晶体管M14的源极与6相连，晶体管M14的栅极与节点18相连，节点18与地相连，晶体管M14的漏极与节点3相连。
线性动态范围连续反馈电路结构

[发明专利]低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法-CN03123140.3无效
发明人： 金湘亮;陈杰 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明一种低噪声双极结型光敏场效应晶体管，包括：一N^－型的半导体硅基衬底；一导电沟道为P型导电沟道，该P型导电沟道制作在N^－型的半导体硅基衬底上；一注入多数电子的N⁺区，该注入多数电子的N⁺区制作在P型导电沟道的一侧；一注入多数电子的N⁺区构成光电二极管，该注入多数电子的N⁺区构成光电二极管制作在导电沟道为P型导电沟道的中间；一注入多数空穴的P⁺区，该为注入多数空穴的P⁺区制作在导电沟道为P型导电沟道的另一侧。
噪声双极结型光敏场效应晶体管制作方法

[发明专利]高速低功耗动态无比移位寄存器结构-CN02154591.X无效
发明人： 金湘亮;陈杰 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-12-10 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： G11C19/28 文献下载
摘要：本发明一种高速低功耗动态无比移位寄存器结构，包括：一个位选通开关用N型MOS晶体管，其栅极接第一不重叠时钟信号，衬底接地，漏极接输入触发信号；一个电容，接位选通开关用N型MOS晶体管的源极，另一端接地；两个反相对管，反相对管由一个N型MOS晶体管和一个P型MOS晶体管构成，该反相对管的栅极相连接并接至电容的一端，反相对管的N型MOS晶体管的源极与P型MOS晶体管的漏极相连接，N型MOS晶体管的衬底接地，P型MOS晶体管的衬底接电源；另一反相对管中的P型MOS晶体管的衬底接输入触发信号；另一反相对管的栅极接前一反相对管的N型MOS晶体管的源极和P型MOS晶体管的漏极。具有速度快、芯片面积小的优点。
高速功耗动态无比移位寄存器结构

[发明专利]低功耗相关双取样电路结构-CN02143299.6无效
发明人： 金湘亮;陈杰;仇玉林 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-09-25 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明一种低功耗相关双取样电路结构，包括：两个取样开关用P型MOS管，其源极接信号输入端，该一开关管的栅极接置位开关信号，另一开关管的栅极接取样开关信号；两个电容用N型MOS管，其栅极分别接另两开关用管的漏极；一个复位开关用N型MOS管，其栅极接复位信号，漏极接一开关管的漏极，源极接另一开关管的漏极；一个差分放大对管，其栅极分别接另两开关管的漏极，一N型MOS管构的源极接输出信号端，另一N型MOS管的源极接等效电流源，漏极接输出信号端；当像素置位和复位读取信号时，两次取样信号分别储存在电容用N型MOS管内，利用电容上信号不能突变的原理，通过差分放大对管完成差分处理输出有用信号，至此完成相关双取样过程。
功耗相关取样电路结构

[发明专利]高性能双极结型光栅晶体管及其制造方法-CN02120354.7无效
发明人： 金湘亮;陈杰;仇玉林 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明一种高性能双极结型光栅晶体管，该种结构可在p型或n型硅片上实现，制作在p型硅片引入p+n注入结将信号读出的器件结构，其中包括：一p型硅片；一层二氧化硅，外延生长在p型硅片上；一金属层制作在二氧化硅上；在MOS电容一旁的硅片上引入p+n注入结；入射光通过栅极到达硅片与二氧化硅接触面转化为信号电荷存储在势阱中，势阱中产生的信号电荷一方面在外加电场作用下漂移读出，同时引入注入结注入极性相反的电荷与信号电荷形成复合电流将信号电荷读出。
性能双极结型光栅晶体管及其制造方法

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