“金昶圭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202010421401.X有效
发明人： 金昶圭;张月;杨涛;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决在对平坦化材料层进行平坦化的过程中，在多孔膜质的表面产生裂纹的问题。该半导体器件包括：衬底，衬底具有台阶状表面，台阶状表面包括高台阶面和低台阶面；材料层，材料层形成在低台阶面上；材料层位于低台阶面具有斜面；以及，覆盖低台阶面、材料层和高台阶面的平坦化层。所述半导体器件的制作方法用于制作半导体器件。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]切割工艺用保护性涂层剂-CN201980009171.1有效
发明人：吴承灿;金昶圭 -专利权人： MTI株式会社
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C09D4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备半导体的切割工艺用保护性涂层剂，具体涉及一种切割工艺用保护性涂层剂，其可以被涂布在晶圆等的表面上而在制备工艺中保护晶圆的表面。
切割工艺保护性涂层

[发明专利]车辆钥匙及其制造方法-CN202011411353.2在审
发明人：禹至炫;金昶圭 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;韩国产业技术大学校产学协力团
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B60R25/40 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆钥匙及其制造方法，具体地提供一种能够通过能量收集而自行产生电能的车辆钥匙以及制造车辆钥匙的方法。所述车辆钥匙包括：发电装置，其包括：能量产生模块，其配置为利用能量收集来产生电能；以及蓄电器，其配置为存储所产生的电能；输入器，其配置为接收用户输入；通信器，其配置为与车辆通信；以及控制器，其配置为控制通信器向车辆发送与接收到的用户输入相对应的控制信号。所述输入器、所述通信器和所述控制器中的至少一个可以配置为从发电装置接收电力。
车辆钥匙及其制造方法

[发明专利]化学机械研磨方法-CN202010719943.5在审
发明人： 金昶圭;张月;杨涛;卢一泓;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：将待研磨晶圆用羊毛毡研磨垫进行第一次研磨，以消除所述待研磨晶圆的高段差；将第一次研磨完毕的晶圆采用聚氨酯研磨垫进行第二次研磨，以完成所述晶圆的平坦化。本发明提供的化学机械研磨方法能够在较大的研磨量下保持半导体晶圆表面的均匀性。
化学机械研磨方法

[发明专利]平面化半导体基片的方法-CN98114960.X无效
发明人： 金昶圭;崔志铉;洪锡智 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-05-17 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种平面化半导体基片的方法，利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到第一绝缘层的部分在上部边缘露出为止；在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层；湿法腐蚀第三和第二绝缘层直到第一绝缘层的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间，第二绝缘层的腐蚀要比第三绝缘层快。借助这种方法，半导体基片具有平的表面。
平面化半导体方法

[发明专利]能改善平面化的半导体器件的制造方法-CN98117446.9无效
发明人： 金昶圭;洪锡智 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-08-28 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：公开了一种制造半导体器件的方法，通过在DRAM单元区内形成电容并在平面化之前淀积第一绝缘层之后在逻辑区内形成高度与电容类似的金属互连能使DRAM和逻辑区之间的台阶最小化。虽然第二绝缘层淀积在衬底上，但由于在逻辑区内形成金属互连可以使DRAM单元区和逻辑区之间的台阶最小化。由此，虽然仅使用CMP或深腐蚀工艺，可以进行第二绝缘层的平面化。
改善平面化半导体器件制造方法

[发明专利]电介质形成方法-CN94115591.9无效
发明人：朴仁善;李明范;洪昌基;金昶圭;郑佑仁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1994-08-30 - 公布日： 2000-04-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的ＣＶＤ设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。
电介质形成方法

[发明专利]半导体装置的层间绝缘膜的形成方法-CN92112536.4无效
发明人： 金昶圭;洪昌基;郑佑仁;安容彻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1992-10-29 - 公布日： 1995-06-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过遮断与硫酸沸液及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤在形成元件的半导体基底上沉积含有高浓度的硼元素及磷元素的绝缘膜，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理，以及在低温下进行回流处理。
半导体装置绝缘形成方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top