“金善煐”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器装置-CN201710480033.4有效
发明人：朴秀振;金善煐;尹壮根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括：堆叠在衬底的上表面上的栅电极层，每个栅电极层包括沿着第一方向延伸的多个单位电极；和将各单位电极彼此连接的多个连接电极。存储器装置还包括：沿着垂直于衬底的上表面的方向穿过栅电极层而延伸的沟道结构；沿着第一方向延伸并介于各单位电极之间的第一公共源极线；和在各第一公共源极线之间沿着第一方向延伸的第二公共源极线，每条第二公共源极线具有在第一方向上通过连接电极彼此隔离的第一线和第二线。
存储器装置

[发明专利]具有划线区域结构的三维半导体装置-CN201611035683.X有效
发明人：郑在皓;金善煐;尹壮根;赵厚成;许星会 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了三维(3D)半导体装置。3D半导体装置可以包括：基底，包括芯片区域和划线区域；单元阵列结构，包括三维地布置在基底的芯片区域上的存储器单元；堆叠结构，设置在基底的划线区域上，包括竖直地并交替地堆叠的第一层和第二层；多个竖直结构，沿与基底的顶表面垂直的竖直方向延伸并穿透堆叠结构。
具有划线区域结构三维半导体装置

[发明专利]竖直型非易失性存储器装置及其制造方法-CN202010975063.4在审
发明人：具利恩;李允雅;金善煐;朴庆宰;朴钟炫;李宝罗;任钟皓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法，该竖直型非易失性存储器装置包括：衬底，其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域；竖直接触件，其设置在扩展区域中；多个竖直沟道结构，其设置在在单元阵列区域中的衬底上；多个伪沟道结构，其设置在扩展区域中的衬底上；以及多个栅电极层和多个层间绝缘层，其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中，伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧，并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。
竖直非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储器件-CN201710770958.2有效
发明人：尹状根;金善煐;赵厚成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：存储器件包括：一对公共源极线，彼此间隔开地设置在衬底上，并沿第一方向延伸；多个接地选择线，设置在所述一对公共源极线之间，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上；多个字线，设置在所述一对公共源极线之间所述多个接地选择线上，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上，所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接；和多个第一分离绝缘图案，设置在所述多个接地选择线的部分的各个接地选择线之间，并且沿第一方向延伸。所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接。
存储器件

[发明专利]存储装置-CN201610354031.6有效
发明人：尹贤淑;尹壮根;金善煐;郑在皓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提供了一种存储装置。所述存储装置包括：单元区域，包括与基底的上表面垂直地延伸的通道区域和与通道区域相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层；以及外围电路区域，包括设置在单元区域附近的第一有源区域、面积大于第一有源区域的面积的第二有源区域、连接到第一有源区域的多个第一接触件以及连接到第二有源区域的多个第二接触件。所述多个第一接触件之间的距离小于所述多个第二接触件之间的距离。
存储装置

[发明专利]半导体装置和焊盘布置-CN201610282522.4有效
发明人：禹孝锡;金仁模;李宝罗;金善煐;赵厚成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和一种焊盘布置，所述半导体装置包括：多个半导体器件，电连接到至少一个半导体器件的多条金属线，以及位于金属线上的保护层。保护层包括部分暴露金属线并且用作焊盘的多个开口区域。第一焊盘包括从至少一条金属线延伸的第一区域以及围绕第一区域并且与第一区域分开的至少一个第二区域。
半导体装置布置

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN201810677598.6在审
发明人：尹壮根;黄盛珉;任峻成;具教一;赵厚成;金善煐;柳铁;尹在璇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储器装置，其包括在衬底上在第一方向上排列的第一沟道组至第三沟道组。第一沟道组至第三沟道组在衬底上沿着第二方向彼此间隔开。第一沟道组至第三沟道组中的每一个包括在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸的多个竖直沟道。第一沟道组和第二沟道组在第二方向上彼此邻近并且在第二方向上以第一距离间隔开。第二沟道组和第三沟道组在第二方向上彼此邻近并且以小于第一距离的第二距离间隔开。
沟道衬底三维半导体存储器距离间隔邻近顶表面竖直垂直延伸

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top