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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于中介片的电容器及其制造方法-CN201811623947.2有效
发明人：张俊华;郑心圃;叶德强;侯上勇;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在一个实施例中，在通孔和底层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是形成在衬底上或衬底上方形成的介电层上的平面电容器。
用于中介电容器及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110755531.1在审
发明人： 邱文智;余振华;林士庭;卢思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：在实施例中，一种集成电路器件包括：中介层；第一集成电路器件，利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；第二集成电路器件利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；缓冲层，围绕第一集成电路器件和第二集成电路器件，缓冲层包括具有第一杨氏模量的应力降低材料；以及密封剂，围绕缓冲层、第一集成电路器件和第二集成电路器件，密封剂包括具有第二杨氏模量的模制材料，第一杨氏模量小于第二杨氏模量。在一些实施例中，本发明还提供了集成电路器件及其形成方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110463756.X在审
发明人：钟明慈;杨固峰;吴仓聚;邱文智;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层，蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口，沉积延伸到开口中的第一衬垫，在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔，以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装件和制造半导体封装件的方法-CN202110410049.4在审
发明人：余振华;林咏淇;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体器件封装件包括在界面处直接接合至第二管芯的第一管芯，其中该界面包括导体与导体键。该半导体器件封装件还包括围绕该第一管芯和该第二管芯的密封剂以及延伸穿过该密封剂的多个贯通孔。该多个贯通孔邻近该第一管芯和该第二管芯设置。该半导体器件封装件还包括延伸穿过该密封剂的多个热通孔以及电连接至该第一管芯、该第二管芯、和该多个贯通孔的再分布结构。该多个热通孔在该第二管芯的表面上并与第一管芯相邻地设置。根据本申请的实施例，还提供了制造半导体封装件的方法。
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110380641.4在审
发明人：侯上勇;胡宪斌;邱绍玲;魏文信;黄炳刚;沈志达;卢思维;施应庆;邱文智;吴集锡;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110176458.2在审
发明人： 邱文智;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：第一逻辑管芯，包括第一通孔；图像传感器管芯，混合接合至第一逻辑管芯；以及第二逻辑管芯，接合至第一逻辑管芯。第一逻辑管芯的前侧面向图像传感器管芯的前侧。第二逻辑管芯的前侧面向第一逻辑管芯的后侧。第二逻辑管芯包括电耦合至第一通孔的第一导电焊盘。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110244176.1在审
发明人：林咏淇;吴仓聚;邱文智;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：包括第一衬底和第一互连结构的第一晶圆，第一互连结构的侧壁与第一衬底的侧壁形成钝角；以及接合到该第一晶圆的第二晶圆，该第二晶圆包括第二衬底和第二互连结构，第一衬底的侧壁从该第二衬底的侧壁和该第二互连结构的侧壁横向地偏移。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010996775.4在审
发明人：余振华;陈宪伟;邱文智;陈明发;叶松峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括接合到第一存储器器件的第一芯片上系统器件、接合到第一存储器器件的第二芯片上系统器件、围绕第一芯片上系统器件和第二芯片上系统器件的第一密封剂、围绕第一芯片上系统器件、第二芯片上系统器件和第一存储器器件的第二密封剂、以及从第二密封剂的第一侧延伸到第一密封剂的第二侧的贯通孔，贯通孔位于第一密封剂的外部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成具有凹槽的金属接合件-CN201810448078.8有效
发明人：陈明发;陈宪伟;叶松峯;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种方法包括形成第一器件管芯，其中，该形成包括沉积第一介电层，以及在第一介电层中形成第一金属焊盘。第一金属焊盘包括凹槽。该方法还包括形成第二器件管芯，其中，第二器件管芯包括第二介电层和位于第二介电层中的第二金属焊盘。将第一器件管芯接合至第二器件管芯，其中，第一介电层接合至第二介电层，并且第一金属焊盘接合至第二金属焊盘。本发明的实施例还涉及形成具有凹槽的金属接合件。
形成具有凹槽金属接合

[发明专利]半导体装置-CN201910915015.3在审
发明人：钟明慈;余振华;杨固峰;林咏淇;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开一种半导体装置，所述半导体装置包括改进的隔离接合膜。在实施例中，一种半导体装置包括：第一管芯，接合到封装衬底，第一管芯包括延伸穿过衬底的通孔，通孔在衬底的顶表面上方延伸；第一介电膜，沿着封装衬底的顶表面、沿着衬底的顶表面且沿着第一管芯的侧壁延伸，通孔延伸穿过第一介电膜；第二管芯，接合到第一介电膜及通孔；以及包封体，位于封装衬底、第一管芯、第一介电膜及第二管芯之上。
半导体装置

[发明专利]集成电路封装及其形成方法-CN202010069953.9在审
发明人：许家豪;林咏淇;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供集成电路封装以及形成所述集成电路封装的方法。一种集成电路封装包括至少一个第一管芯、多个凸块、第二管芯以及介电层。所述凸块在所述至少一个第一管芯的第一侧电连接到所述至少一个第一管芯。所述第二管芯在所述至少一个第一管芯的第二侧电连接到所述至少一个第一管芯。所述至少一个第一管芯的所述第二侧与所述第一侧相对。所述介电层设置在所述至少一个第一管芯与所述第二管芯之间且覆盖所述至少一个第一管芯的侧壁。
集成电路封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202010598629.6在审
发明人：余振华;张宏宾;陈怡秀;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法。在实施例中，在半导体晶圆内形成第一半导体器件和第二半导体器件，并且图案化第一半导体器件和第二半导体器件之间的划线区。然后，在划线区内利用分割工艺以将第一半导体器件与第二半导体器件分割开。然后将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第二半导体衬底并且被减薄以从第一半导体器件和第二半导体器件去除延伸区。本发明涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201711157377.8有效
发明人：余振华;林咏淇;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法包括将衬底贴合到载体；使第一半导体封装的第一表面上的外部连接件对准衬底的背对所述载体的第一表面上的第一导电接垫；以及执行回流工艺，其中衬底与载体之间的热膨胀系数(CTE)差异使得在回流工艺期间衬底的第一表面为第一形状，其中第一半导体封装的各材料的热膨胀系数差异使得在回流工艺期间第一半导体封装的第一表面为第二形状，且其中第一形状实质上匹配所述第二形状。所述方法进一步包括在回流工艺之后，从衬底移除载体。
半导体结构制造方法

[发明专利]接合结构及其形成方法-CN201611073819.6有效
发明人：余振华;邱文智;陈明发;陈怡秀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种形成接合结构的方法包括：形成第一导电部件和第二导电部件；金属焊盘形成在第一导电部件上方并电连接至第一导电部件；以及形成钝化层以覆盖金属焊盘的边缘部分，并通过金属焊盘中的开口暴露金属焊盘的顶面的中间部分。形成第一介电层以覆盖金属焊盘和钝化层。在第一介电层上方形成接合焊盘，并电连接至第二导电部件。沉积第二介电层以环绕接合焊盘。实施平坦化以使第二介电层的顶面与接合焊盘齐平。实施平坦化之后，金属焊盘的全部顶面与介电材料接触。本发明实施例涉及集成电路结构及其形成方法，更具体地涉及接合结构及其形成方法。
接合结构及其形成方法

[发明专利]分割和接合方法及其形成的结构-CN201610919590.7有效
发明人：余振华;吴仓聚;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了分割和接合方法以及由此形成的结构。方法包括分割第一芯片，以及在分割第一芯片之后，接合第一芯片至第二芯片。第一芯片包括第一半导体衬底和位于第一半导体衬底的正面上的第一互连结构。分割第一芯片包括通过第一半导体衬底的背面蚀刻穿过第一互连结构。
分割接合方法及其形成结构

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