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[发明专利]一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法-CN202211296855.4有效
发明人：靳柯;董亚光;王本鹏;薛云飞;贺新福;豆艳坤 -专利权人：北京理工大学;中国原子能科学研究院
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法，属于高熵合金制备技术领域。该方法是在Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板的两个表面固定纯Zr板或者纯Zr箔，然后在惰性气体保护气氛下进行高温处理，利用Zr的吸收作用使Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr‑(CNO)相，从而降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量，由于Zr‑(CNO)相并不是作为第二相分布在难熔高熵合金板中，而且Zr在难熔高熵合金板表面的扩散层厚度也很小，不会对难熔高熵合金板的组织与力学性能产生不利影响。
一种降低 ti ta nb 系难熔高熵合金杂质含量方法

[发明专利]基于指数时间差分格式求解速率理论方程的并行计算方法-CN201910953927.X有效
发明人：王彦棡;贺新福;张鉴;辛之夼;豆艳坤;聂宁明;贾丽霞;王珏;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院;中国科学院计算机网络信息中心
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种基于指数时间差分格式求解速率理论方程的并行计算方法，基于速率理论建立物理微观缺陷模拟模型，速率理论没有时空尺度限制，因此在模拟高的损伤剂量条件下的微观结构演化时，能够明显体现出速率理论的优势，然后使用指数时间差分格式对于主方程进行求解，求解的结果精确性更好，精度更高。
基于指数时间差格式求解速率理论方程并行计算方法

[发明专利]一种兼顾室温高强韧、高热稳定性的难熔高熵合金及其制备方法-CN202211376901.1在审
发明人：靳柯;董亚光;王本鹏;薛云飞;贺新福;豆艳坤 -专利权人：北京理工大学;中国原子能科学研究院
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼顾室温高强韧、高热稳定性的难熔高熵合金及其制备方法，属于高熵合金技术领域。所述难熔高熵合金包含V、Nb、Ta、Ti、Zr以及稀土元素，通过优化各成分的含量获得以BCC相为主且含有微量富(RE,Zr)相或富RE第二相的难熔高熵合金，使其兼具优异室温强塑性匹配和高温稳定性；采用熔炼、冷轧以及高温退火的工艺制备该难熔高熵合金，制备工艺简单，易于实现规模化生产，能够较好地满足先进航空航天、核反应堆系统等对高性能高温结构材料的苛刻要求，应用潜力巨大。
一种兼顾室温强韧高热稳定性难熔高熵合金及其制备方法

[发明专利]基于熔炼技术制备的TiVTaNb高熵合金的热加工方法-CN202111373355.1有效
发明人：靳柯;陈婧文;王本鹏;薛云飞;贺新福;豆艳坤 -专利权人：北京理工大学;中国原子能科学研究院
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于熔炼技术制备的TiVTaNb高熵合金的热加工方法，属于高熵合金加工技术领域。该方法是将采用熔炼技术制备的TiVTaNb高熵合金置于金属模具中并进行密封，在1100℃～1200℃下保温0.5h～2h后进行多道次的热变形处理，热变形处理结束后进行空冷，完成对TiVTaNb高熵合金的热加工处理。本发明采用真空包套热轧的方法，并通过优化热轧的工艺参数，避免了TiVTaNb高熵合金在高温下氧化，实现了TiVTaNb高熵合金的快速均匀化，消除了TiVTaNb高熵合金铸态缺陷、成分偏析，而且细化了晶粒，使热加工处理后的TiVTaNb高熵合金在保持良好塑性的基础上明显提升其抗拉强度。另外，本发明所述方法工艺简单，处理周期短，生产效率高，适合工业化生产，具有很好的应用前景。
基于熔炼技术制备 tivtanb 合金热加工方法

[发明专利]辐照缺陷产生过程的模拟方法和系统-CN202210796187.5在审
发明人：吴石;王东杰;曹晗;贺新福;曹金利;贾丽霞;赵永鹏;豆艳坤;王瑾;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种辐照缺陷产生过程的模拟方法，包括：确定高能粒子辐照在模拟体系中所产生的初级离位原子能谱；获得不同能量初级离位原子的生成概率，基于概率重复进行初级离位原子抽样获得大量初级离位原子；采用高通量计算模拟技术，并发开展大量初级离位原子在材料体系内引发的级联碰撞过程模拟计算；实时监控任务作业，并及时进行错误识别与纠正；采用高通量缺陷分析技术，对产生缺陷数量和团簇类别进行自动分析与统计；在存活的初始损伤缺陷尺寸分布达到连续标准后，停止初级离位原子抽样及级联碰撞模拟，进而统计分析获得缺陷峰值数量、存活率、尺寸分布等初始缺陷信息。该方法能够高效、精准地获得缺陷的离位峰、辐照缺陷的存活状态等信息。
辐照缺陷产生过程模拟方法系统

[发明专利]一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法-CN202210002806.9在审
发明人：吴石;贺新福;豆艳坤;王东杰;贾丽霞;曹金利;曹晗;赵永鹏;王瑾;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法，包括：S1、修正第一弥散强化模型为第二弥散强化模型；其中，第一弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第一参数、缺陷数量以及缺陷尺寸之间的关系，第二弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第二参数以及辐照缺陷结构函数之间的关系；第一参数为缺陷尺寸的函数，第二参数与缺陷尺寸无关；辐照缺陷结构函数为缺陷数量和缺陷尺寸的函数；S2、确定第二弥散强化模型的第二参数；S3、获取辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系；S4、根据辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系以及第二弥散强化模型，确定材料的屈服应力增量与中子注量之间的关系。
一种确定 vver 反应堆压力容器辐照硬化方法

[发明专利]一种基于指数时间差分格式求解的物质演化模拟方法-CN201910957443.2有效
发明人：王彦棡;贺新福;张鉴;辛之夼;豆艳坤;聂宁明;贾丽霞;王珏;杨文 -专利权人：中国原子能科学研究院;中国科学院计算机网络信息中心
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种基于指数时间差分格式求解的物质演化模拟方法，物质演化模型基于相场模型建立，相场模型不需要对晶粒结构演化的路径进行先验假设，也不需要显式地追踪晶粒界面的位置，大大简化了模拟计算的复杂性。使用指数时间差分格式对物质演化模型的方程进行求解，则是在求解过程中，通过快速傅里叶转换，得到所述方程的频域方程，再以指数时间差分格式对频率方程进行求解，再对求解结果进行傅里叶反处理，最后得到方程解。使用该方法对相场模型进行求解，快速、稳定、准确，且可进行并行计算，适合利用计算机进行大规模的方程组的求解。
一种基于指数时间差格式求解物质演化模拟方法

[发明专利]一种辐照导致材料结构演化的模拟方法和系统-CN201811653394.5有效
发明人：贺新福;豆艳坤;王东杰;贾丽霞;杨文;吴石;曹晗;曹金利 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种辐照导致材料结构演化的模拟方法和系统。所述方法包括：获取不同缺陷浓度和元素含量下的团簇的成分、团簇内原子的分布、以及团簇的几何结构；获取所述不同缺陷浓度和元素含量下的团簇中能量最低的团簇的几何结构、团簇成分；通过分子静力学方法计算通过步骤2得到的能量最低的团簇的形成能、结合能、以及扩散势垒；获取能量最低的团簇的团簇形成路径；建立辐照导致材料结构演化的动力学模型。
一种辐照导致材料结构演化模拟方法系统

[发明专利]一种基于多尺度耦合的并行进程合并方法及系统-CN201610789024.9有效
发明人：聂宁明;贺新福;李建江;张博尧;贾丽霞;杨少峰;冯仰德;吴石;王东杰;豆艳坤 -专利权人：中国科学院计算机网络信息中心;中国原子能科学研究院;北京科技大学
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多尺度耦合的并行进程合并方法及系统。其中，该方法包括:分别计算统计需耦合计算的至少两类计算方法所需的变量和所需的内存空间，并确定需传递的数据的类型与大小；判断所述至少两类计算方法中第一类计算方法的n个进程合并成第二类计算方法的1个进程的合并宽度；按照所述合并宽度对第一类计算方法的n个进程和第二类计算方法的1个进程之间的数据进行释放和迁移传输。该系统包括第一计算模块，第二计算模块和传输模块。本发明实现了计算方法在大规模并行计算中进行不同进程的数据合并，节约了计算资源，实现资源利用的最大化。
一种基于尺度耦合并行进程合并方法系统

[发明专利]嵌入原子势计算优化方法-CN201611056825.0有效
发明人：聂宁明;贺新福;李建江;李士刚;王彦棡;贾丽霞;王先梦;张云泉;周纯葆;王东杰;吴保东;王珏;豆艳坤;吴石 -专利权人：中国科学院计算机网络信息中心;中国原子能科学研究院;北京科技大学;中国科学院计算技术研究所
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入原子势计算优化方法，该嵌入原子势计算优化方法包括：通过初始化设置至少一个时间步及至少一个时间步对应的电子云密度，至少一个时间步包括：第一时间步，至少一个时间步对应的电子云密度包括：第一时间步对应的电子云密度；根据设置的第一时间步及第一时间步对应的电子云密度，确定第二时间步及第二时间步对应的电子云密度；根据第一时间步及第一时间步对应的电子云密度和第二时间步及第二时间步对应的电子云密度，确定嵌入原子势。本发明通过简化动力学模拟中的计算热点：势及粒子间相互作用力的计算，以此来提高模拟效率。
嵌入原子计算优化方法

[发明专利]一种含有V₆O₁₃晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法-CN201510401564.0有效
发明人：李静波;苏玉玉;金海波;豆艳坤 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法，所述方法包括：制备清洁干燥的硅片；溅射过程以金属钒靶为靶材，以清洁干燥的硅片为衬底，以氩气为溅射气体，以氧气为反应气体，共同通入磁控溅射腔室内，在所述硅片基底上沉积非晶体钒氧化物薄膜；将制备的所述非晶体钒氧化物薄膜放入真空退火炉中，进行热处理，热处理后得到所述含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜。依据本发明的制备方法可以大面积生产含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜材料，制备的所述薄膜材料的表面平整致密、材料的颗粒比较均匀。同时，生成的所述薄膜材料电阻适中，电阻随温度变化敏感，电阻温度系数大于2％/K，且在升降温过程中电阻变化稳定，可用于制造微测辐射热计。
制备氧化钒薄膜晶体的非晶硅片钒氧化物薄膜热处理薄膜材料非晶体电阻电阻温度系数微测辐射热计温度变化敏感致密真空退火炉表面平整磁控溅射电阻变化反应气体溅射气体氩气清洁金属钒靶材沉积衬底放入基底溅射可用氧气升降室内制造生产

[发明专利]一种稀土锆酸钐纳米材料及其水热制备方法-CN201210113690.2有效
发明人：王全胜;陈立亮;金海波;豆艳坤 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土锆酸钐纳米材料及其水热制备方法，用共沉淀的前躯体直接水热合成的纳米级稀土锆酸钐粉体，用本发明方法制备出的稀土锆酸钐粉体导热系数更低，隔热效果好，是一种很有潜力的光催化半导体材料。制备本发明稀土锆酸钐材料的方法是1)将锆源溶解于去离子水中，然后与钐源溶液混合；2)将配制好的强碱溶液加入到步骤1)的混合溶液中，充分搅拌得前驱体产物，离心分离得到固体沉淀；3)将步骤2)的固体沉淀分散于去离子水中，调节溶液的PH值，将料浆置于高压反应釜中进行反应；4)反应完成后取出粉体，洗涤，即得到纯相锆酸钐纳米粉体。
一种稀土锆酸钐纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种铝—氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法-CN201110075328.6有效
发明人：金海波;李丹;曹茂盛;豆艳坤;郭挺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝-氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法，包括：选硅粉、炭黑和氯化铵为反应起始原料，硅粉粒度为200～400目，炭黑粒度为20～60nm，氯化铵用量为硅粉与炭黑总重量的0.5％～5％；将上述原料球磨2～4小时；将球磨后的原料加入硅粉与炭黑总重量0.5％～10％的铝粉和1％～20％的聚四氟乙烯粉末，进行二次球磨；将二次球磨后的原料过60目筛，置于石墨坩埚中，然后置于高压容器中后抽真空洗气，并充入0.5～5MPa的氮气，通电点火实现自蔓延高温合成反应；对反应合成物进行后续处理，去除其中的杂质。本发明的铝-氮共掺杂碳化硅吸波材料的制备方法的生产周期短、设备及工艺简单，且可实现可控掺杂。
一种掺杂碳化硅材料制备方法

[发明专利]自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法-CN201110075636.9无效
发明人：金海波;豆艳坤;李丹;曹茂盛;陈韬 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明提供了一种自蔓延高温合成过渡型金属掺杂碳化硅材料的方法，包括：以硅粉、炭黑和氯化铵为反应起始原料，硅粉粒度为200～400目，炭黑粒度为20～60nm，氯化铵用量为硅粉和炭黑总质量的0.5％～3％；将反应起始原料球磨2～4小时；在球磨后的原料中加入硅粉和炭黑总质量0.5％～10％的一种过渡金属粉与硅粉和炭黑总质量1％～20％的聚四氟乙烯，进行二次球磨；将二次球磨后的原料过60目筛，装入石墨坩埚中；将石墨坩埚置于高压反应器内，抽真空洗气后充入0.5～5MPa的氩气，通电点火，实现自蔓延高温燃烧合成反应；对反应合成物料进行除杂质处理。本发明的方法的生产周期短、工艺简单，且可以实现可控掺杂。
蔓延高温合成过渡金属掺杂碳化硅材料方法

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