[发明专利]直流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910789734.5 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110518113A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王立莉;丁翠;薛其坤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/12;H01B12/06 |
| 代理公司： | 44311 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑海威<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法，其包括：将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中的加热元件表面，该真空室的压强低于10‑9mbar；将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上；将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10‑6mbar～1×10‑4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；在该补氧处理后的SrTiO3多晶界衬底表面生长FeSe多晶界薄膜；以及向该加热元件通直流电从而对该FeSe多晶界薄膜进行直流退火，且单向连续直流退火的时间小于等于2小时。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 真空室 直流退火 未处理 衬底 退火 补氧 薄膜 加热元件表面 压强 真空室压强 直流电 超导薄膜 衬底表面 衬底加热 含氧气氛 加热元件 温度降 制备 生长 | ||
【主权项】：
1.一种FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：/n将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中的加热元件表面，该真空室的压强低于10-9mbar，其中，该未处理的SrTiO3多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，相邻SrTiO3单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO3单晶衬底表面为非原子级平整；/n将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上；/n将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10-6mbar～1×10-4mbar，对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；/n在该补氧处理后的SrTiO3多晶界衬底表面生长FeSe多晶界薄膜；以及/n向该加热元件通直流电从而对该FeSe多晶界薄膜进行直流退火，且单向连续直流退火的时间小于等于2小时。/n
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