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[发明专利]DAC电路、固态成像元件和电子设备-CN201980009312.X有效
发明人：北野伸;榊原雅树;菊池秀和;纳光明 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H04N25/75 文献下载
摘要：本技术涉及能够利用小规模的电路构造来实现的DAC电路、固态成像元件和电子设备。DAC电路设置有：斜坡DAC，所述斜坡DAC产生斜坡信号，所述斜坡信号的电压以恒定的时间梯度变化；注入DAC，所述注入DAC在用于复位与所述斜坡信号进行比较的比较目标电压的复位时段内输出预定电压；以及加法电路，所述加法电路将所述斜坡DAC的输出与所述注入DAC的输出相加，并将该和作为比较参考电压输出到比较电路。本技术能够应用于例如固态成像元件的DAC电路等。
dac 电路固态成像元件电子设备

[发明专利]成像装置-CN202010124078.X有效
发明人： 菊池秀和;田浦忠行;榊原雅树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04N5/376 文献下载
摘要：本公开涉及能够改善比较器的确定速度并且降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态图像拾取装置、电子装置、控制所述比较器的方法、数据写入电路、数据读取电路以及数据传送电路。所述比较器包括：差分输入电路，其被配置为使用第一供电电压进行操作，所述差分输入电路被配置为当输入信号在电压上高于参考信号时输出信号；正反馈电路，其被配置为使用比所述第一供电电压低的第二供电电压进行操作，所述正反馈电路被配置为基于所述差分输入电路的所述输出信号来当指示所述输入信号与所述参考信号之间在电压上的比较结果的比较结果信号被反转时加快转变速度；以及电压转换电路，其被配置为将所述差分输入电路的所述输出信号转换为对应于所述第二供电电压的信号。例如，本公开可应用于固态图像拾取装置的比较器。
成像装置

[发明专利]通信电路、通信系统及通信电路的自我诊断方法-CN201810359456.5有效
发明人： 菊池秀和 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H04L41/0677 文献下载
摘要：本发明提出一种通信电路、通信系统及通信电路的自我诊断方法，在通信系统中产生了通信故障的情况下，容易确定导致通信故障的故障部位。将自我诊断用串行信号供给于第一转换部，代替由脉冲信号接收部所接收的脉冲信号，而将从第一转换部输出的与自我诊断用串行信号对应的自我诊断用脉冲信号输入至第二转换部，并将从第二转换部输出的与自我诊断用脉冲信号对应的串行信号经由串行信号发送部而发送至外部。
通信电路系统自我诊断方法

[发明专利]感测装置和测距设备-CN202080075067.5在审
发明人：榊原雅树;菊池秀和 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种能够以高精度检测光子而不管环境的照度的感测装置。[方案]该感测装置设置有：光探测器；负载元件，连接在光探测器与第一基准电位之间；第一导电型第一晶体管，根据光探测器与负载元件之间的节点的电压而导通；第一导电型第二晶体管，根据第一晶体管的电流或第二信号线的电压导通第一基准电位与第一晶体管之间的连接；第二导电型第三晶体管，根据第二信号线的电压导通第一晶体管与第二基准电位之间的连接；以及第一反相器，连接在第一晶体管与第三晶体管之间的节点与第四信号线之间。
装置测距设备

[发明专利]比较器以及固态图像拾取装置-CN202111518153.1在审
发明人： 菊池秀和;田浦忠行;榊原雅树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-09 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本公开涉及能够改善比较器的确定速度并且降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态图像拾取装置、电子装置、控制所述比较器的方法、数据写入电路、数据读取电路以及数据传送电路。所述比较器包括：差分输入电路，其被配置为使用第一供电电压进行操作，所述差分输入电路被配置为当输入信号在电压上高于参考信号时输出信号；正反馈电路，其被配置为使用比所述第一供电电压低的第二供电电压进行操作，所述正反馈电路被配置为基于所述差分输入电路的所述输出信号来当指示所述输入信号与所述参考信号之间在电压上的比较结果的比较结果信号被反转时加快转变速度；以及电压转换电路，其被配置为将所述差分输入电路的所述输出信号转换为对应于所述第二供电电压的信号。例如，本公开可应用于固态图像拾取装置的比较器。
比较以及固态图像拾取装置

[发明专利]电池监视系统、信号传输方法以及半导体装置-CN201810660161.1有效
发明人：山崎真人;菊池秀和 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01R31/382 文献下载
摘要：本发明涉及电池监视系统、信号传输方法以及半导体装置。电池监视系统包含多个电池监视装置、第一接口装置、第二接口装置。电池监视系统能够将传输模式切换为第一至第三传输模式的任一个。第一传输模式是使用第一通信路径传输通信信号的传输模式。第二传输模式是使用第二通信路径传输通信信号的传输模式。第三传输模式是以下传输模式：将从第一接口装置输出的通信信号从多个电池监视装置的一端侧输入而在电池监视装置的任一个中折回而向第一和第二接口装置的任一个输入并且将从第二接口装置输出的通信信号从多个电池监视装置的另一端侧输入而在电池监视装置的另任一个中折回而向第一和第二接口装置的任另一个输入。
电池监视系统信号传输方法以及半导体装置

[发明专利]比较器、AD转换器、固态成像装置、电子装置、比较器控制方法、数据写入电路、数据读取电路以及数据传送电路-CN201680010381.9有效
发明人： 菊池秀和;田浦忠行;榊原雅树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本公开涉及能够改善比较器的确定速度并且降低功率消耗的比较器、AD转换器、固态图像拾取装置、电子装置、控制所述比较器的方法、数据写入电路、数据读取电路以及数据传送电路。所述比较器包括：差分输入电路，其被配置为使用第一供电电压进行操作，所述差分输入电路被配置为当输入信号在电压上高于参考信号时输出信号；正反馈电路，其被配置为使用比所述第一供电电压低的第二供电电压进行操作，所述正反馈电路被配置为基于所述差分输入电路的所述输出信号来当指示所述输入信号与所述参考信号之间在电压上的比较结果的比较结果信号被反转时加快转变速度；以及电压转换电路，其被配置为将所述差分输入电路的所述输出信号转换为对应于所述第二供电电压的信号。例如，本公开可应用于固态图像拾取装置的比较器。
比较 ad 转换器固态成像装置电子控制方法数据写入电路读取以及传送

[发明专利]蓄电设备及蓄电系统-CN201711084113.4有效
发明人：小松祯浩;菊池秀和;梅津浩二;菅野直之;佐藤守彦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B60L50/64 文献下载
摘要：本发明涉及蓄电设备及蓄电系统。在一实例性实施方式中，蓄电设备包括多个电池块，所述多个电池块中的每个电池块包括多个电池单元；以及隔离单元，包括在印刷电路板的第一迹线层上的第一天线以及在所述印刷电路板的第二迹线层上的第二天线，其中，所述隔离单元被配置为能够在所述第一天线和所述第二天线之间进行所述多个电池块的电池信息的无线信息传送。
设备系统

[发明专利]半导体装置、电池监视系统以及半导体装置的起动方法-CN201510510923.6有效
发明人： 菊池秀和 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01M10/48 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制待机状态下的消耗电流的半导体装置，电池监视系统以及半导体装置的起动方法。IC(20)具备将本IC(20)的GND作为电路的GND、将本IC(20)的电源电压VDD作为电路电源进行动作的起动电路(40)。IC(20)具备将本IC(20)的电源电压VDD作为电路的GND、将从本IC(20)的升压电路(32)输出的升压电压HV作为电路电源动作的驱动电路(50)。IC(20)在待机状态下，仅起动电路为动作状态，在从待机状态恢复的情况下，起动电路(40)基于起动信号使本装置的内部电路移至动作状态。若全部内部电路移至动作状态，则驱动电路(50)将起动信号输出给上级的IC(20)的起动电路(40)。
半导体装置电池监视系统以及起动方法

[发明专利]半导体装置、电池监视系统以及电池监视方法-CN201510416861.2有效
发明人： 菊池秀和 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置、电池监视系统以及电池监视方法。具备：电压产生电路，其产生规定电压值的电压；第一端子，其输出在电压产生电路产生的电压；第二端子，其与第一端子连接，并且输入检测对象物的温度的感温元件与电阻以串联的方式连接而成的电路的感温电压，该感温电压是感温元件与电阻的连接点的电压；模拟/数字转换电路，其分别将作为模拟值的规定电压值和感温电压的电压值转换为数字值来测量各个电压值；存储部，其为了提供基于外部的半导体装置的对象物的温度计算，而存储由模拟/数字转换电路测量出的规定电压值和感温电压的电压值；以及第三端子，其用于外部的半导体装置读出存储于存储部的规定电压值和感温电压的电压值。
半导体装置电池监视系统以及方法

[发明专利]一种用于在发送设备与接收设备之间通信的通信系统-CN201610642714.1有效
发明人：中岛康久;菊池秀和 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H04N5/775 文献下载
摘要：本发明涉及一种发送设备，包括：信号发送单元，通过使用多个信道的传输路径系那个外部设备发送作为差分信号的视频信号；通信单元，其通过使用构成传输路径的具体线来进行双向通信；视频信号存储单元，存储可以通过使用信号发送单元向外部设备发的各个视频信号；附加信息存储单元，存储关于在所述视频信号存储单元存储的各个视频信号的附加信息；以及通信控制单元，其以如下方式进行控制：通过使用通信单元向外部设备发送关于在所述附加信息存储单元中存储的各个视频信号的附加信息。
发送设备

[发明专利]信号传输系统、连接器装置、电子设备和信号传输方法-CN201510125927.2有效
发明人： 菊池秀和;茂木孝之;秋山义行;河村拓史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本发明涉及信号传输系统、连接器装置、电子设备和信号传输方法。本发明提供了一种在连接器连接中实现需要高速和大容量的信号的连接接口。包括第一连接器装置和能够耦合至所述第一连接器装置的第二连接器装置。所述第一连接器装置和所述第二连接器装置耦合在一起形成电磁场耦合单元，传输对象信号被转换成无线电信号，所述无线电信号然后经由所述电磁场耦合单元传输。例如，第一连接器装置是插座(22)，第二连接器装置是插头(42)，经由电磁场耦合单元(12)执行无线电传输。第一连接器装置是插座(84)，第二连接器装置是插头(44)，经由电磁场耦合单元(14)执行无线电传输。
信号传输系统连接器装置电子设备方法

[发明专利]图像压缩电路、图像压缩方法和传输系统-CN201410255825.8有效
发明人：饭塚浩;菊池秀和 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H04N19/124 文献下载
摘要：本发明公开了图像压缩电路、图像压缩方法和传输系统。其中该图像压缩电路包括：变换部，其被配置成将多个像素数据变换为多个系数数据；以及量化部，其被配置成基于预定数量的系数数据来获得量化参数，并利用量化参数量化预定数量的系数数据。
图像压缩电路方法传输系统

[发明专利]信号传输系统、连接器装置、电子设备和信号传输方法-CN201510126164.3有效
发明人： 菊池秀和;茂木孝之;秋山义行;河村拓史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H04B3/56 文献下载
摘要：本发明涉及信号传输系统、连接器装置、电子设备和信号传输方法。本发明提供了一种在连接器连接中实现需要高速和大容量的信号的连接接口。包括第一连接器装置和能够耦合至所述第一连接器装置的第二连接器装置。所述第一连接器装置和所述第二连接器装置耦合在一起形成电磁场耦合单元，传输对象信号被转换成无线电信号，所述无线电信号然后经由所述电磁场耦合单元传输。例如，第一连接器装置是插座(22)，第二连接器装置是插头(42)，经由电磁场耦合单元(12)执行无线电传输。第一连接器装置是插座(84)，第二连接器装置是插头(44)，经由电磁场耦合单元(14)执行无线电传输。
信号传输系统连接器装置电子设备方法

[发明专利]半导体装置-CN201310248858.5有效
发明人： 菊池秀和;大竹久雄;菅井男也 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现电阻特性的稳定化的半导体装置。半导体装置具有在半导体衬底（10）内形成的第一导电型的第一阱区域（11A）；以在横向从该第一阱区域（11A）离开的方式形成的第一导电型的第二阱区域（11B）；覆盖半导体衬底（10）的中间绝缘膜（20，21）；形成在中间绝缘膜（20，21）上的第一以及第二电阻层（32A，32B）；在第一阱区域（11A）和第二阱区域（11B）之间的半导体区域的正上方形成的导电层（33B）。第一电阻层（32A）以及第一阱区域（11A）构成第一电阻元件，第二电阻层（32B）以及第二阱区域（11B）构成第二电阻元件。中间绝缘膜（20，21）介于导电层（33B）和该半导体区域之间。导电层（33B）被固定为不在该半导体区域形成反转层的电位。
半导体装置

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