[发明专利]一种混气装置、镀膜喷淋装置及半导体镀膜设备在审
申请号: | 202211115481.1 | 申请日: | 2022-09-14 |
公开(公告)号: | CN115418627A | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 荒见淳一;周仁;安超;柴智;侯彬 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 任洁芳 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及喷淋镀膜领域,特别是公开了一种混气装置、镀膜喷淋装置及半导体镀膜设备,包括基材主体,所述基材主体填充于混气管道中,使通过所述混气管道中的气体只能沿所述基材主体上的延展气道前进并穿过所述混气装置;所述气体在所述延展气道内行进的距离长于所述基材主体填充的混气管道的管道段的长度。本发明通过在预定承担混气作用的管道内填充所述基材主体,得到蜿蜒前进的延展气道,使参与气体混合的气体在所述延展气道内前进的距离远长于所述基材主体填充的混气管道的管道段的长度,实现不同气体的充分混合,提高混合气体的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 装置 镀膜 喷淋 半导体 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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