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[发明专利]一种针对模糊人脸图像的卷积神经网络人脸识别方法-CN201811595094.6在审
发明人：高静;于子涵;聂凯明;徐江涛;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种针对模糊人脸图像的卷积神经网络人脸识别方法，在对模糊人脸图片预处理之后，利用LTP算法计算LTP特征值，得到LTP直方图；利用LPQ算法处理提取LPQ特征值，得到LPQ直方图；将LTP直方图与LPQ直方图联合，形成LTP_LPQ联合直方图，输入到卷积神经网络中进行训练；对测试图像处理，得到LTP_LPQ联合直方图输入到训练好的卷积神经网络中，对直方图进行特征向量提取，采用欧式距离来计算相似性，最后通过SoftMax分类器得出识别结果。本发明可以得到较好的识别结果。
直方图卷积神经网络人脸识别人脸图像模糊特征向量提取预处理测试图像欧式距离人脸图片算法处理算法计算分类器联合

[发明专利]适用于大面阵CMOS图像传感器的驱动增强型像素结构-CN201811556586.4在审
发明人：高静;张德志;聂凯明;徐江涛;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开适用于大面阵CMOS图像传感器的驱动增强型像素结构，包括N型MOS管M1‑M7，M1为像素传输管，M2为FD节点的复位管，M6为源级跟随器，M7为像素选通管，M3‑M5为开关管,M1的源端接光电二极管，漏端接FD节点，M2的源端接FD节点，漏端接电源电压VDD，M3的源端接FD节点，漏端接M4的源端和M6的栅极，M6的漏端接电源VDD，源端接M7的漏端，M7的源端接节点B，M5的漏源端分别接节点A，节点B，M4的漏端接节点A。本发明可以实现像素SF复用，多级SF的列总线电路结构，可以分段驱动寄生电容，有效减小寄生效应的影响。
漏端源端像素结构大面阵增强型节点B 像素光电二极管源级跟随器驱动电源电压分段驱动寄生电容寄生效应像素传输总线电路开关管漏源端选通管复位复用减小电源

[发明专利]TDI-CMOS图像传感器FPN校正方法-CN201511034506.5有效
发明人：徐江涛;金伟民;刘振旺;聂凯明;高静;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H04N5/365 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理领域，为实现通用性的去除图像中条纹噪声,尤其实现有效消除TDI‑CMOS图像传感器输出图像中交织在一起的横条纹和竖条纹。本发明采用的技术方案是，TDI‑CMOS图像传感器FPN校正方法，假设FPN和随机噪声都是加性噪声，而且两者不相关，对于给定的已制造完成的TDI‑CMOS图像传感器芯片，假设其FPN对应的灰度值在相同工作环境下是相等的，随机噪声服从均值为零的高斯分布；首先需要采集样本图像数据，然后依次对RFPN和CFPN进行估计和校正，最后采用补偿方法，将估算得到的RFPN与CFPN值带入到式(1),即有效得到理想的像素信息。本发明主要应用于图像处理。
tdi cmos 图像传感器 fpn 校正方法

[发明专利]低电压低纹波多级电荷泵-CN201610578032.9有效
发明人：徐江涛;周益明;高志远;聂凯明;高静;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS集成电路领域，为解决交叉耦合结构电荷泵会产生泄漏电流的问题，消除非理想时钟和CMOS寄生引起的泄漏电流。本发明采用的技术方案是，低电压低纹波多级电荷泵，前N‑1级电荷泵包括六个晶体管和三个电容，由一对反向时钟CLK、！CLK驱动，其中NMOS晶体管M1、M2，PMOS晶体管M3、M4与电容C1、C2构成了交叉耦合型电荷泵的N‑1级基本结构，额外增加的PMOS晶体管M5、M6的栅极、漏极分别连接到M1、M2的栅极和漏极，PMOS晶体管M5、M6的源级连接到一个对地电容Cs使其处于浮空状态；所有NMOS的衬底连接到Vin。本发明主要应用于CMOS集成电路设计制造场合。
压低多级电荷

[发明专利]图像传感器列延时导致图像失真恢复方法-CN201610308875.7有效
发明人：徐江涛;史晓琳;聂凯明;高静;高志远;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明涉及模拟集成电路设计领域，为使线阵型图像传感器能够更好的实现高速高分辨率图像采集的功能，提高线阵型图像传感器的行频，扩大线阵型图像传感器的应用范围，本发明采用的技术方案是，图像传感器列延时导致图像失真恢复方法，包括如下步骤：1)计算沿跨轨方向的最大失真距离L：2)计算被拍摄图像形变失真角度α：形变失真角度α通过阵型图像传感器的线阵长度为W与沿跨轨方向的最大失真距离为L计算出来：3)根据形变失真角度α对拍摄图像进行恢复。本发明主要应用于图像处理。
图像传感器延时导致图像失真恢复方法

[发明专利]用于AER前馈分类系统的脉冲神经元硬件架构-CN201611190874.3有效
发明人：徐江涛;周义豪;高志远;聂凯明;高静;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明涉及AER图像传感器图像识别领域，为满足基于AER图像传感器的事件驱动前馈分类系统对于实时性、并行处理和小型化的要求，本发明旨在提供一种基于FPGA平台的SNN脉冲神经元硬件实现结构。本发明采用的技术方案是，用于AER前馈分类系统的脉冲神经元硬件架构,由权值储存区、权值读写选通器、膜电势乘法累加器、PSP函数产生器、触发判断器、控制和时序以及权值修正模块，共计7个部分构成。本发明主要应用于图像传感器图像识别场合。
用于 aer 分类系统脉冲神经元硬件架构

[发明专利]一种提高电路抗闩锁能力的保护环结构-CN201811606388.4在审
发明人：高静;张天野;聂凯明;徐江涛;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种提高电路抗闩锁能力的保护环结构，包括有静电放电电路、与所述静电放电电路连接的有源缓冲器以及感测电路，所述感测电路与所述有源缓冲相连接，所述感测电路用于监测施加至静电放电电路的电流脉冲，在该电流脉冲达到一定阈值时将检测结果镜像到所述有源缓冲器；所述有源缓冲器用于收到感测电路的信号后，控制静电放电电路的ESD器件的栅极电压，以产生对应于正电流脉冲或负电流脉冲的相应的吸收或补偿电流。本发明能产生相应的吸收或补偿电流，从而提高了抗闩锁效应的能力。
静电放电电路感测电路缓冲器补偿电流电流脉冲环结构闩锁电路负电流脉冲正电流脉冲检测结果栅极电压闩锁效应阈值时缓冲吸收施加监测

[发明专利]时域荧光寿命成像结构及寿命测试获取方法-CN201610578033.3有效
发明人：徐江涛;乔俊;高静;史再峰;高志远;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及荧光寿命成像领域，为提供基于门控环形振荡器(Gated Ring Oscillator,GRO)的时域荧光寿命成像系统，简化像素内信号处理的流程，降低数据率，进而解决由数据率高带来的功耗高、帧频低的问题。本发明采用的技术方案是，时域荧光寿命成像结构，由集成像素阵列、数据总线、锁相环PLL(Phase Locked Loop)阵列和时序控制单元组成，并集成在成像芯片上；其中，PLL阵列共用相同的参考时钟输入，每个PLL的控制电压信号与相同行集成像素内的TDC控制电压端相连；时序控制单元用于控制调节成像芯片工作流程，数据总线用于像素阵列的数据读出。本发明主要应用于成像芯片设计制造。
时域荧光寿命成像结构测试获取方法

[发明专利]低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构-CN201811234097.7在审
发明人：高静;张天野;聂凯明;徐江涛;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：本发明公开低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构，包括反相器INV，传输门，存储单元以及与存储单元连接的MCE单元，与MCE单元连接的弱保持器WK；所述传输门包括五个传输门TG1‑5，所述存储单元包括12个PMOS管与12个NMOS管，所述MCE单元包括3个PMOS管与3个NMOS管；所述MCE单元与传输门TG5连接；传输门TG1‑3的输出分别与存储单元的相应节点连接，传输门TG4与Q节点连接。本发明中提出的低功耗具有抵抗双节点翻转能力的锁存器结构的加固结构与传统的加固结构相比，可以抵抗单粒子双翻转，与最新的抗单粒子双翻转锁存器结构相比，同时具有面积小功耗低的特点。
传输门翻转锁存器结构存储单元低功耗双节点抵抗加固结构单元连接抗单粒子相应节点保持器传统的单粒子反相器小功耗输出

[发明专利]低功耗轨到轨衬底驱动比较器-CN201811158839.2在审
发明人：徐江涛;赵希阳;高静;史再峰;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，为提出一种低功耗轨到轨衬底驱动比较器，在电源电压较低以保证低功耗的同时，能够轨到轨输入以保证较大的输入摆幅，以用于能量收集系统。为此，本发明采取的技术方案是，低功耗轨到轨衬底驱动比较器，结构如下：PMOS管Min+的衬底是正输入端IN+，其栅极和漏极接地，源极接PMOS管M1的漏极，M1的栅漏极相连，源极接电源VDD，M1的栅极接PMOS管M2和M3的栅极，M2源极接VDD，漏极接NMOS管M4的漏极、栅极和NMOS管M5的栅极，M4和M5的源极接地，M5的漏极命名为diff并接到PMOS管M6的漏极。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。
漏极低功耗衬底驱动比较器源极集成电路领域集成电路设计能量收集系统电源电压输入摆幅源极接地正输入端接地栅漏电源保证应用制造

[发明专利]一种基于跨导单元的低噪声像素电路结构-CN201811282037.2在审
发明人：高静;张德志;聂凯明;徐江涛;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开一种基于跨导单元的低噪声像素电路结构，包括晶体管M1‑M4，晶体管M1漏端与晶体管M2源端相接，晶体管M1源端与光电二极管PPD一端相接，晶体管M2漏端接FD节点复位电平V_res，晶体管M3栅极接在FD节点而源端接在电源V_DD上形成一Gm单元；晶体管M1为TG管，控制曝光电荷向FD节点的转移，晶体管M2为FD节点的复位晶体管，晶体管M3漏端接晶体管M4源端，晶体管M4为行选管SEL，栅极接开关信号，晶体管M4漏端接开关SH的一端，开关SH的另一端接采样保持电容C_s的一端，采样保持电容C_s另一端接地，并通过开关RST接电容复位电平V_RST，通过开关READ接电压输出V_pix。本发明一方面实现像素级放大，可降低输入参考噪声，另一方面还可实现增益调控。
晶体管漏端源端电容像素电路结构采样保持复位电平跨导单元低噪声复位晶体管光电二极管电压输出开关信号曝光电荷像素级接地噪声电源放大参考调控

[发明专利]超低功耗低压带隙基准电压源-CN201710751421.1有效
发明人：徐江涛;赵希阳;高静;史再峰;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，为提出能工作在较低的电源电压下，对电源电压的变化不敏感，且具有极低的功耗电压源。本发明，超低功耗低压带隙基准电压源，PMOS管M3、M4、M5栅极相连，源极接电源VDD，M3栅漏极相连；NMOS管M1漏极接M3漏极，源极接地，NMOS管M2漏极接M4漏极，源极通过电阻R_PTAT接地，M1、M2栅极相连，并和地之间接电阻R_CTAT；PMOS管M6源极接电源VDD，漏极接M1、M2的栅极，栅极接M7的栅极；PMOS管M7源极接电源VDD，漏极通过电阻R_OUT接地，同时与M5的漏极相连；跨导运算放大器的负输入和正输入端分别接M3、M4的漏极。本发明主要应用于电压源设计制造。
功耗低压基准电压

[发明专利]应用于LVDS驱动电路的低温度系数参考电压源-CN201710685673.9有效
发明人：高静;周游;徐江涛;史再峰;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，为提出一种低温度系数参考电压源电路，可以在一个较宽的温度范围内得到一个低温度系数的参考电压，同时兼容CMOS工艺的制作，不需要额外的工艺步骤，节省电路制作的成本。为此，本发明采用的技术方案是，应用于LVDS驱动电路的低温度系数参考电压源，由一个NMOS管N_X,两个PMOS管P1和P2，三个电阻分别是R_2a、R_2b和R1，以及一个放大器OTA组成。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。
应用于 lvds 驱动电路温度系数参考电压

[发明专利]用于单斜ADC的高线性度电压-时间转换方法及转换器-CN201510690775.0有效
发明人：姚素英;杨聪杰;徐江涛;高静;史再峰;聂凯明;高志远 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明属电学领域，针对基于TDC的单斜ADC，为提高前端ATC的线性度，最终提高整体ADC的量化精度。为此，本发明采取的技术方案是，用于单斜ADC的高线性度电压‑时间转换器，由Clk1、Clk1a、Clk2和Clk2a四个采样开关、电流源、电容和放大器构成，输入信号经Clk1连接到点Vp，点Vp连接到放大器反相输入端，点Vp还连接由电流源与Clk2串接形成的高阻抗电流源；点Vp经电容、Clk2a连接放大器同相端；点Vp经电容、Clk1a接地；放大器同相端接偏置电压。本发明主要应用于单斜ADC设计制造场合。
用于单斜 adc 线性电压时间转换方法转换器

[实用新型]一种高强度PVC封边条-CN201820019180.1有效
发明人： 聂凯明 -专利权人：佛山市欣创装饰材料有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： A47B95/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高强度PVC封边条，包括透明防水层、颜料涂层、防虫蚁层、凯夫拉纤维层、封边条本体、蜂窝孔、背胶层和背胶纸。本产品通过蜂窝孔可以提高封板条本体的抗冲击能力，进而提高封边条本体的使用寿命，减小封边条更换的频率，从而减小用户的维护成本，提高用户的满意度，通过凯夫拉纤维层可以提高封边条的强度，从而进一步提高封边条的使用寿命和用户的满意度；本产品带有两条相互对称的荧光条，通过荧光条可以使得封边条更加美观，从而更加吸引消费者，且封边条带有荧光条可以增加封边条使用时的趣味性，从而提高装置的实用性；本产品通过凸起可以有使得封边条的贴合更加牢固，有效的防止封边条的脱落。
封边条荧光条封边条本体凯夫拉纤维高强度PVC 使用寿命蜂窝孔满意度减小本实用新型抗冲击能力透明防水层防虫蚁层提高装置颜料涂层背胶层封板胶纸贴合凸起对称美观吸引维护