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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法-CN201811417388.X在审
发明人：尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
存储器存取装置绝缘材料自对准存储器元件硫属化合物导电电极通孔交叉点存储器阵列硫属化合物材料三维堆叠生长图案化可用存取掺杂存储暴露制作

[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法-CN201610459395.0有效
发明人：尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
化合物存储器存取装置对准生长方法

[发明专利]存储器单元及存储器单元阵列-CN201280049413.8有效
发明人：斯科特·E·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;山·D·唐;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一些实施例包含存储器单元。所述存储器单元可具有第一电极，及在所述第一电极之上的沟槽形状的可编程材料结构。所述沟槽形状界定开口。所述可编程材料可经配置以可逆地保持导电桥。所述存储器单元可具有直接抵着所述可编程材料的离子源材料，并且可具有在由所述沟槽形状的可编程材料界定的所述开口内的第二电极。一些实施例包含存储器单元阵列。所述阵列可具有第一导电线，及在所述第一线之上的沟槽形状的可编程材料结构。所述沟槽形状的结构可界定其内的开口。离子源材料可直接抵着所述可编程材料，并且第二导电线可在所述离子源材料之上并且在由所述沟槽形状的结构界定的所述开口内。
存储器单元阵列

[发明专利]在光子集成电路中提供光纤的简化对准的设备-CN201380069230.7在审
发明人：古尔特杰·桑胡;罗伊·米迪;毕磊;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将光纤(11)光学对准到光子装置(17)的结构及其制作方法。所述结构使用可通过致动器头(21)在光纤与所述光子装置之间移动的透镜(15)将所述光纤光学对准到所述光子装置。所述透镜可通过与所述致动器头相关联的相应动力源而移动。
光子集成电路提供光纤简化对准设备

[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法-CN201080063093.2有效
发明人：尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示用于形成包括经掺杂硫属化合物材料的存储器存取装置的自对准制作方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
化合物存储器存取装置对准生长方法

[发明专利]用于低编程电流的热屏蔽电阻存储器元件-CN201080040136.5有效
发明人：古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思;刘军 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明中所描述的各种实施例提供一种包括可变电阻材料(210)的存储器装置，其具有布置于所述可变电阻材料与电极(220或230)之间的热隔离及导电隔离区域(270、280)以允许通过编程电流高效地加热所述可变电阻材料。电及热隔离区域(260)可布置于所述可变电阻材料周围。
用于编程电流屏蔽电阻存储器元件

[发明专利]锶钌氧化物界面-CN201080020703.0有效
发明人：巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;瓦西尔·安东诺夫;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：锶钌氧化物在钌导体与锶钛氧化物电介质之间提供有效界面。锶钌氧化物的形成包括使用原子层沉积来形成氧化锶和随后对氧化锶实施退火以形成锶钌氧化物。使用水作为氧源对氧化锶进行第一原子层沉积，随后使用臭氧作为氧源对氧化锶进行后续原子层沉积。
氧化物界面

[发明专利]半导体材料制造-CN201080010975.2有效
发明人：尼尚特·辛哈;古尔特杰·S·桑胡;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭示包括接合到晶片或衬底的体区域的半导体层的电子设备、系统及方法，其中可使用电磁辐射将所述半导体层接合到所述体区域。本发明还揭示额外设备、系统及方法。
半导体材料制造

[发明专利]形成图案的方法-CN201080010243.3有效
发明人：斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;约翰·斯迈思;张明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一些实施例包含形成开口图案的方法。所述方法可包含在衬底上形成间隔特征。所述特征可具有顶部，且可具有从所述顶部向下延伸的侧壁。可沿所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料。所述第一材料可通过跨越所述特征旋转浇铸所述第一材料的保形层形成，或者通过相对于所述衬底沿所述特征进行选择性沉积来形成。在所述第一材料形成之后，可在所述特征之间提供填充材料，同时使所述第一材料的若干区域暴露。然后，可相对于所述填充材料和所述特征二者选择性地移除所述第一材料的所述暴露区域以产生所述开口图案。
形成图案方法

[发明专利]使用气体团簇离子束形成存储器单元的方法-CN201080006554.2有效
发明人： 约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明揭示一种可变电阻存储器单元结构及一种形成所述可变电阻存储器单元结构的方法。所述方法包含：形成第一电极、在所述第一电极上方形成绝缘材料、在所述绝缘材料中形成通孔以暴露所述第一电极的表面、使用气体团簇离子束在所述通孔内形成加热器材料、在所述通孔内形成可变电阻材料及形成第二电极，使得所述加热器材料及可变电阻材料提供于所述第一与第二电极之间。
使用气体离子束形成存储器单元方法

[发明专利]在形成半导体构造期间利用微波辐射的方法-CN200980135344.0有效
发明人： 约翰·斯迈思;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;张明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一些实施例包含其中在形成半导体构造期间使用微波辐射来激活掺杂剂及/或增加半导体材料的结晶度的方法。在一些实施例中，所述微波辐射具有约5.8吉赫的频率，且在暴露于所述微波辐射期间所述半导体构造的温度不超过约500℃。
形成半导体构造期间利用微波辐射方法

[发明专利]在衬底上形成含金属层的气相沉积方法-CN200880003141.1有效
发明人：巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明所述的原子层沉积方法可有利地用于在衬底上形成含金属层。例如，本发明所述的某些方法可形成具有低碳含量(例如低碳酸锶含量)的钛酸锶层，其可形成具有高介电常数的层。
衬底形成金属沉积方法

[发明专利]使用原子层沉积工艺形成材料层的方法-CN200780021006.5有效
发明人：尼尔·吕格尔;约翰·斯迈思 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示一种使用原子层沉积(ALD)工艺在处理工具的处理腔室中形成材料层的方法。在一个说明性实施例中，所述方法包括：识别所述材料层的目标特性；确定用于在所述ALD工艺期间将前驱气体引入到所述处理腔室中以在所述材料层中产生所述目标特性的前驱脉冲时间；以及执行包含多个步骤的所述ALD工艺，其中将所述前驱气体引入到所述腔室中持续所述所确定的前驱脉冲时间以进而形成所述材料层。
使用原子沉积工艺形成材料方法

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