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[发明专利]晶圆清洗方法和设备-CN201410111032.9在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗方法，使用清洗刷对晶圆的表面进行清洗，晶圆和清洗刷均自转，清洗刷布置在平行于晶圆表面的方向，在晶圆和清洗刷自转的同时，晶圆和清洗刷相对位移，相对位移的范围覆盖晶圆的部分表面且相对位移的方向与清洗刷的长度方向垂直。本发明还揭示了一种晶圆清洗设备，包括清洗腔，位于清洗腔内部的晶圆驱动及支撑机构和清洗刷，清洗腔上具有供晶圆进出的门，晶圆和清洗刷均自转，清洗刷能够接近或者远离晶圆的表面，还包括相对位移装置，相对位移装置在晶圆和清洗刷自转的同时，驱动晶圆和清洗刷相对位移，相对位移的范围覆盖晶圆的部分表面且相对位移的方向与清洗刷的长度方向垂直。
清洗方法设备

[发明专利]晶圆清洗方法和设备-CN201410111042.2在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗方法，使用清洗刷对晶圆的表面进行清洗，晶圆和清洗刷均自转，清洗刷布置在平行于晶圆表面的方向，在晶圆和清洗刷自转的同时，晶圆和清洗刷相对位移，相对位移的范围覆盖晶圆的部分表面且相对位移的方向与清洗刷的长度方向垂直。本发明还揭示了一种晶圆清洗设备，包括清洗腔，位于清洗腔内部的晶圆驱动及支撑机构和清洗刷，清洗腔上具有供晶圆进出的门，晶圆和清洗刷均自转，清洗刷能够接近或者远离晶圆的表面，还包括相对位移装置，相对位移装置在晶圆和清洗刷自转的同时，驱动晶圆和清洗刷相对位移，相对位移的范围覆盖晶圆的部分表面且相对位移的方向与清洗刷的长度方向垂直。
清洗方法设备

[发明专利]晶圆清洗方法-CN201410074458.1在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，该方法包括：旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间。本发明通过改变兆声波发生器在晶圆表面停留的时间，使晶圆的中心点所受到的兆声波能量与晶圆的其他位置所受到的兆声波能量一致，避免了晶圆的中心点处的结构层在清洗过程中受到损伤或者在晶圆的中心产生凹坑。
清洗方法

[发明专利]晶圆清洗方法-CN201410074999.4在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗方法，利用兆声波发生器对晶圆表面进行清洗，该方法包括：旋转晶圆并使兆声波发生器在晶圆边缘与晶圆中心之间来回运动，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布。本发明通过改变兆声波发生器在晶圆表面的能量密度分布，使晶圆的中心点所受到的兆声波能量与晶圆的其他位置所受到的兆声波能量一致，避免了晶圆的中心点处的结构层在清洗过程中受到损伤或者在晶圆的中心产生凹坑。
清洗方法

[发明专利]新型电化学抛光装置-CN201410074980.X在审
发明人：贾照伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种新型电化学抛光装置，包括：晶圆夹盘、电解液供应装置及抛光电源回路构成装置。晶圆夹盘夹持晶圆，晶圆表面分布有金属层。电解液供应装置包括喷嘴，喷嘴向晶圆表面的金属层喷射电解液。抛光电源回路构成装置包括抛光盘及电源，抛光盘由导电材料制成，抛光盘的底面与晶圆表面平行布置，抛光盘与喷嘴同步移动，电源的阳极与晶圆夹盘电连接，电源的阴极与抛光盘电连接。本发明通过设置抛光盘，并使抛光盘与电源电连接，从而能够保证在晶圆表面的任一区域，抛光盘与晶圆之间均可以形成稳定的电场，且抛光盘与晶圆之间通过电解液形成电流回路，提高了晶圆表面抛光均匀性。
新型电化学抛光装置

[发明专利]研磨垫修整方法-CN201410067658.4在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本发明揭示了一种研磨垫修整方法，利用修整器对研磨垫进行修整，该方法包括如下步骤：将研磨垫的圆心至研磨垫的边缘的半径长度分成若干份；获得每一份内研磨垫沟槽的深度值；根据所获得的研磨垫沟槽的深度值调整修整器在每一份内对研磨垫施加的下压力。本发明通过调整修整器在研磨垫不同区域对研磨垫施加的下压力，改善了研磨垫表面形貌，提高了研磨垫表面平坦度。
研磨修整方法

[发明专利]研磨垫修整方法-CN201410067627.9在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本发明揭示了一种研磨垫修整方法，利用修整器对研磨垫进行修整，该方法包括如下步骤：将研磨垫的圆心至研磨垫的边缘的半径长度分成若干份；获得每一份内研磨垫沟槽的深度值；根据所获得的研磨垫沟槽的深度值调整修整器在每一份内停留的时间。本发明通过调整修整器在研磨垫不同区域停留的时间，改善了研磨垫表面形貌，提高了研磨垫表面平坦度。
研磨修整方法

[发明专利]晶圆清洗装置-CN201410065684.3在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆清洗装置，包括清洗腔、清洗刷、滚轴和滚轮，清洗刷安装在清洗腔内，滚轴的第一端位于清洗腔内，滚轮安装在滚轴的第一端上，该滚轴的第二端延伸到清洗腔外并连接到驱动轮，驱动轮驱动滚轴转动。该晶圆清洗装置还包括检测装置，检测装置检测滚轴是否旋转，检测装置收发信号，检测装置根据信号的收发情况判断滚轴是否旋转。本发明通过设置检测装置，由检测装置通过信号的收发来判断滚轴是否在正常转动。在晶圆清洗过程中，能够检测带动晶圆旋转的滚轮及滚轴是否在转动，从而使晶圆的清洗效果能够得到保障，提升器件的合格率。
清洗装置

[发明专利]低压气相刻蚀方法-CN201410066945.3在审
发明人：肖东风;贾照伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低压气相刻蚀方法，包括：以液态氢氟酸作为原料输送至汽化装置；液态氢氟酸经汽化后成为氟化氢气体和水汽的混合气体；将混合气体经过脱水处理后分离出氟化氢气体；氟化氢气体通入工艺腔内；氟化氢气体作为刻蚀剂在工艺腔内进行气相刻蚀反应，并使工艺腔内保持低压状态以使反应生成的水以气态形式存在；气相刻蚀反应结束。本发明将液态的氢氟酸作为反应物原料，能够降低工艺成本，且更安全，此外，供应至工艺腔内的气体及刻蚀反应的生成物均以气态的形式存在于工艺腔中，避免发生粘连。
压气刻蚀方法

[发明专利]晶圆抛光方法-CN201280077584.1在审
发明人：王坚;金一诺;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够提高抛光均匀性的晶圆抛光方法。该方法包括如下步骤：对晶圆上的每个点设置一个预设X轴水平移动速度；对晶圆上的每个点设置一个预设旋转速度；获得晶圆上的每个点的实际旋转速度并生成一个旋转速度表；将晶圆上的每个点的实际旋转速度与该点的预设旋转速度作比较得到该点的转速系数；根据晶圆上的每个点的预设X轴水平移动速度及晶圆上的每个点的转速系数计算晶圆上的每个点的实际X轴水平移动速度；当晶圆上的一个特定点位于向晶圆喷射带电的电解液的喷头的正上方时，对晶圆和喷头施加一个预设电源并驱动晶圆以该点的实际旋转速度和实际X轴水平移动速度进行运动。
抛光方法

[发明专利]半导体硅片的清洗方法和装置-CN201280077256.1在审
发明人：王晖;陈福平;谢良智;贾社娜;王希;张晓燕 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种将槽式清洗与单片清洗相结合的半导体硅片的清洗方法和装置(100)。该半导体硅片的清洗方法包括：从装载端口(110)处的硅片盒中取至少两片硅片，然后将该至少两片硅片放入装满化学溶液的第一清洗槽(137)中；该至少两片硅片在第一清洗槽(137)内清洗结束后，将该至少两片硅片从第一清洗槽中取出并使该至少两片硅片保持湿润状态，然后将该至少两片硅片放入装满液体的第二清洗槽(138)中；该至少两片硅片在第二清洗槽(138)内清洗结束后，将该至少两片硅片从第二清洗槽中取出并使该至少两片硅片保持湿润状态，然后将一片硅片放置在一个单片清洗模组(150)的硅片夹上；旋转硅片夹并向硅片喷洒化学溶液；向硅片喷洒去离子水；干燥硅片；及从单片清洗模组(150)中取出已清洗、干燥完毕的硅片并将硅片放回装载端口(110)处的硅片盒中。
半导体硅片清洗方法装置

[发明专利]基板支撑装置-CN201280077307.0在审
发明人：王晖;陈福平;张怀东;王文军 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种基板支撑装置，包括旋转夹盘、第一流量控制器、第二流量控制器、数个定位销和数个导柱，及驱动器。用于支撑基板的旋转夹盘开设有数个第一注入口和数个第二注入口，数个第一注入口与第一气体通道连接以向基板喷射气体并利用伯努利原理吸附保持基板，数个第二注入口与第二气体通道连接以向基板喷射气体并吹浮起基板。第一流量控制器和第二流量控制器分别安装在第一气体通道和第二气体通道上。数个定位销和数个导柱分别布置在旋转夹盘的顶表面且每个导柱凸伸形成支撑部。驱动器驱动旋转夹盘旋转。
支撑装置

[发明专利]硅片加工装置及方法-CN201310432624.6在审
发明人：王坚;贾照伟;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅片加工装置，包括机台，该机台内配置有两套或两套以上电化学抛光装置，每套电化学抛光装置包括：抛光液槽，抛光液槽储存抛光液；及抛光腔室，抛光腔室内设置有喷嘴，喷嘴与抛光液槽之间经由抛光液供应管道连接；各套电化学抛光装置的抛光液槽内储存相同或不同的抛光液。本发明还揭示了一种硅片加工方法，包括使硅片依次在机台的各电化学抛光装置内进行电化学抛光处理，其中各电化学抛光装置内配置相同或不同的抛光液。本发明根据加工需求，在机台内配置数套电化学抛光装置，提高了机台加工效率。
硅片加工装置方法

[发明专利]晶圆夹盘-CN201310436832.3在审
发明人：王坚;杨贵璞;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆夹盘，包括：夹盘本体、支撑轴及金属膜厚度测量装置。夹盘本体具有承载晶圆的正面和与正面相对的背面，夹盘本体开设有至少一个安装孔。支撑轴与夹盘本体的背面固定连接，支撑轴旋转带动夹盘本体旋转。金属膜厚度测量装置测量晶圆上金属膜的厚度，金属膜厚度测量装置包括至少一个电涡流传感器，电涡流传感器安装于夹盘本体的安装孔内。支撑轴上设有两个间隔一定距离的导电环，支撑轴的一侧设置有止挡件，两个石墨棒夹持于止挡件与导电环之间，每个石墨棒的一端抵接于一导电环，该石墨棒的另一端与止挡件相连接，电涡流传感器分别与两个导电环电连接，两个导电环分别与各自相对应的石墨棒电连接。
晶圆夹盘

[发明专利]晶圆承载装置-CN201310330151.9在审
发明人：王坚;金一诺;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆承载装置，包括：晶圆承载台、支撑晶圆承载台的承载台支柱、设置在承载台支柱内的缓冲装置和预清洗装置，预清洗装置包括：能竖直升降的防护罩、能竖直升降的喷头及收集槽。本发明晶圆承载装置通过设置预清洗装置，在晶圆卸载至晶圆承载台之前，对晶圆进行预清洗，以去除晶圆表面残留的化学液，避免残留的化学液对已加工完成的晶圆产生腐蚀，及后续机械手取晶圆时，化学液污染机械手，从而提高晶圆加工质量及延长机械手的使用寿命。
承载装置

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