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[发明专利]控制抛光液浓度稳定的系统和方法-CN201210375488.7有效
发明人：王坚;金一诺;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G05D11/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制抛光液浓度稳定的系统和方法，该系统包括：储存槽、控制器、浓度检测装置、液体循环控制装置、电镀装置、液体排放控制装置及液体供应控制装置，浓度检测装置检测储存槽中抛光液的金属离子浓度及酸根浓度并发送至控制器，液体循环控制装置输送抛光液输送至电镀装置进行电镀反应并将电镀装置内的液体输送回储存槽，电镀装置用于电镀反应，液体排放控制装置将储存槽中的抛光液排出，液体供应控制装置向储存槽补充抛光液原液，控制器将接收的金属离子浓度和酸根浓度分别与设定的金属离子目标浓度值和酸根目标浓度值比较，根据比较结果发送控制指令以调节储存槽中抛光液的金属离子浓度和酸根浓度至目标浓度值。
控制抛光浓度稳定系统方法

[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺-CN201210089500.8有效
发明人：王坚;何增华;贾照伟;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺，包括如下步骤将硅片放入预加热腔内加热到一设定温度；从所述预加热腔内取出硅片并将硅片放入工艺腔内进行气相刻蚀；从所述工艺腔内取出硅片；将硅片放入后加热腔内加热到一设定温度并维持一定时间；从后加热腔内取出硅片并将硅片放入冷却腔内冷却到一设定温度；从所述冷却腔内取出硅片。本发明二氟化氙气相刻蚀阻挡层工艺中，先在预加热腔内将硅片加热，然后再将硅片放入工艺腔内进行气相刻蚀，刻蚀工艺结束后，将硅片放入后加热腔内加热，最后再将硅片传送至冷却腔内进行冷却，整个工艺过程缩短了待处理硅片的等待时间，从而大大提高了多片硅片阻挡层去除工艺的效率，同时去除了硅片表面残留的氟化物，并能有效防止硅片表面的氧化。
氟化氙气刻蚀阻挡工艺

[发明专利]一种混液槽-CN201610705018.0在审
发明人：陈福发;方志友;吴均;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种混液槽，混液槽的顶部接有泄压装置，泄压装置包括管体，管体内壁设有至少一片挡板，挡板的径向截面尺寸小于管体的径向截面尺寸以在管体内形成限流通道。本发明通过在泄压装置管体的内壁设有挡板，使排出的气体中带有的酸液或碱液遇到挡板后冷凝聚集在挡板上，多个挡板交错分布在管体内形成限流通道，增大了气体与挡板的接触面，确保排出的气体中带有的酸液或碱液都能在挡板上冷凝，随着挡板上酸液或碱液越来越多，酸液或碱液在自身重力的作用下落入混液槽，确保酸液或碱液不会随着气体排出造成污染，保证了操作安全。
一种混液槽

[发明专利]晶圆位置检测装置和检测方法-CN201210214030.3有效
发明人：王坚;赵宇;吴均;陈福发;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种能够准确检测晶圆位置是否正确的晶圆位置检测装置，包括晶圆承载台，用于载置晶圆；数个定位销，均匀间隔设置在晶圆承载台上，定位销用于顶起晶圆；发射传感器和接收传感器，相对设置在晶圆承载台的外侧，发射传感器发射预设光强，接收传感器接收发射传感器发出的光强并产生相应的接收值，接收传感器将该接收值与预设的判断值比较，根据比较结果判定晶圆位置是否正确同时产生并发送晶圆位置是否正确的信号；控制器，与接收传感器相连，接收接收传感器发送的信号并根据该信号产生控制信号控制定位销的升降和发出报警信号。本发明还揭示了一种晶圆位置检测方法。
位置检测装置方法

[发明专利]在基板上均匀金属化的方法和装置-CN201380075887.4有效
发明人：王晖;陈福平;王希 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本发明涉及使用至少一个超/兆声波装置及其反射板在金属化装置中形成驻波以获得高均匀度的金属薄膜沉积且沉积速率远高于现有的在电解液中的薄膜生长速率。在本发明中，基板被动态控制使得在每个运动周期内基板上的点经过整个具有不同能量强度的声场区。该方法保证了基板上的每个点能够在工艺时间间隔内获得相同总量的声能，且累积地快速生长均匀沉积厚度。
基板上均匀金属化方法装置

[发明专利]基板清洗装置及清洗方法-CN201210499934.5有效
发明人：王晖;陶学成;陈福平 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板清洗装置和方法，装置包括单片清洗腔体，用于基板的清洗和干燥；槽式清洗腔体，用于基板浸泡清洗和/或干燥，槽式清洗腔体具有盛放多片基板的支架和用于升降和翻转支架的支架翻转装置；第一机械手，将干态基板放入或取出单片清洗腔体；及第二机械手，在单片清洗腔体和槽式清洗腔体之间传输基板。本发明将槽式清洗与单片清洗相结合，对基板进行槽式清洗或单片清洗或两者结合，基板在槽式清洗腔体中清洗结束后，可不用干燥处理而直接传输至单片清洗腔体，缩短了工艺流程周期，降低了工艺成本，做到了基板干湿分离。
清洗装置方法

[发明专利]用于倒装芯片清洗的方法与装置-CN201210189044.4有效
发明人：张晓燕;陈福平;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：揭示了一种用于清洗倒装芯片的装置，该设备包括一个卡盘装置；一个与卡盘通过转轴连接在一起的马达；至少一个载体装载倒装芯片；至少一个喷嘴用于喷射去离子水，一种清洗溶液，一种气体或者蒸汽。本发明进一步提供了一种清洗倒装芯片装置的方法，该方法包括在倒装芯片载体中装载至少一个倒装芯片；以一种旋转速度来转动卡盘装置；在卡盘装置上的倒装芯片载体中装载至少一个倒装芯片，以一种旋转速度来转动卡盘装置；使用一种液体（去离子水，一种清洗液，等等）来去除污染物；将超声/兆声作用于倒装芯片；通过喷嘴喷射一种气体或一种蒸汽来干燥倒装芯片；将倒装芯片取出倒装芯片载体。
用于倒装芯片清洗方法装置

[发明专利]晶圆加工腔室-CN201310116848.6有效
发明人：王坚;何增华;贾照伟;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆加工腔室，包括腔室本体、载置盘、驱动装置及导气环。腔室本体的壁上分别开设有进气喷嘴、通孔及绕通孔均匀分布的出气口。载置盘收容于腔室本体，载置盘的底部连接支撑轴的一端，支撑轴的另一端从腔室本体的底壁处的通孔穿出。驱动装置与支撑轴的另一端相连接，驱动装置驱动载置盘在腔室本体内上下运动，驱动装置与腔室本体的底壁之间形成一对外隔离空间。导气环绕支撑轴设置于腔室本体内，导气环的侧壁开设有若干导气孔，导气环的侧壁离出气口更远的区域上分布的导气孔的总导通面积大于离出气口更近的区域上分布的导气孔的总导通面积，其中，腔室本体中的气体只能通过导气环的导气孔后从出气口排出至腔室本体外。
加工

[发明专利]刻蚀装置及刻蚀方法-CN201210089507.X有效
发明人：王坚;贾照伟;张怀东;杨青;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种刻蚀装置，可以根据不同工艺要求调整硅片与喷气头之间的距离，提高硅片刻蚀均匀性和刻蚀速率。本发明刻蚀装置包括刻蚀腔室、喷气头、托盘装置、多个导柱和驱动装置。所述刻蚀腔室具有进气口和多个排气口。所述喷气头设置在所述刻蚀腔室内并位于所述进气口下方。所述托盘装置具有一托盘本体用于承载所述硅片，所述托盘本体位于所述刻蚀腔室内并位于所述喷气头下方，所述托盘本体上开有多个导孔。所述多个导柱分别收容于所述托盘本体相应的导孔中，导柱托起所述硅片。所述驱动装置驱动所述托盘本体在所述刻蚀腔室内上下运动以调整所述托盘本体与所述喷气头之间的距离。本发明还公开一种使用该刻蚀装置刻蚀硅片的方法。
刻蚀装置方法

[发明专利]电镀和/或电抛光硅片的装置及方法-CN201380076475.2有效
发明人：王坚;金一诺;杨宏超;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种电镀和/或电抛光硅片的装置及方法。该装置包括硅片夹、辅助喷头装置(140,240,340)及主喷头装置(180,208,380)。为了电镀和/或电抛光硅片，硅片夹固持硅片并水平移动和旋转。辅助喷头装置供应不带电荷或者带电荷的电解液以覆盖硅片的外边缘及硅片夹。主喷头装置向硅片表面供应带电荷的电解液。本发明能够提高硅片外边缘电镀和/或电抛光均匀性及降低本装置的整体电阻以及提高电镀和/或电抛光速率。
电镀电抛光硅片装置方法

[发明专利]一种互连结构的处理方法-CN201610293002.3在审
发明人：贾照伟;夏选;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连结构的处理方法，包括以下步骤提供互连结构，该互连结构包括阻挡层、金属层、掩膜层和介质层，其中，介质层包含低K或超低K材料；采用化学机械研磨工艺去除阻挡层上的金属层，直至金属层上表面与阻挡层上表面齐平；采用无应力抛光工艺去除金属层，直至金属层上表面与掩膜层下表面齐平；采用化学气相刻蚀工艺去除阻挡层和掩膜层，直至暴露出介质层上表面。本发明所述的互连结构的处理方法既能够去除互连结构相应的膜层，同时不会对互连结构造成破坏。
一种互连结构处理方法

[发明专利]阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法-CN201480082458.4在审
发明人：金一诺;代迎伟;王坚;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，包括提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钴或钌层的阻挡层、形成在钴或钌层上并填满凹进区的金属层；采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。
阻挡去除方法以及半导体结构形成

[发明专利]具有晶圆检测装置的研磨头-CN201210491738.3有效
发明人：王坚;杨贵璞;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶圆检测装置的研磨头，研磨头与晶圆接触的表面具有数个相对独立的区域，每一区域与一相应的气体管路相连通，通过各气体管路可向各区域注入气体或将各区域抽真空，研磨头包括晶圆检测装置，具有基体，基体的底部开有开口，基体收容一基座，基座放置在基体的底部，基座的顶部设有弹性丝杆，基体的顶部设有压力传感器，压力传感器位于弹性丝杆顶部的正上方，晶圆检测装置可设置在研磨头上的任一区域内；及多孔板，具有若干通孔，多孔板的表面包覆一与晶圆接触的薄膜，薄膜能从多孔板的通孔中吸出而顶起晶圆检测装置的基座，使弹性丝杆抵压压力传感器。
具有检测装置研磨

[发明专利]粘度自动控制系统及自动控制方法-CN201210163151.X有效
发明人：王坚;金一诺;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种粘度自动控制系统，用于实时、准确地监测和控制液体的粘度，包括粘度测量系统、温度测量系统、粘度调节系统和控制器，其中所述粘度测量系统测量所述液体的粘度，所述温度测量系统测量所述液体的温度，所述粘度调节系统调节所述液体的粘度，所述控制器与所述粘度测量系统、温度测量系统和粘度调节系统相连，根据所述粘度测量系统测量到的粘度和所述温度测量系统测量到的温度计算温度补偿粘度，并将所述温度补偿粘度与设定的温度补偿粘度比较，根据比较结果产生控制信号控制所述粘度调节系统。本发明还进一步公开一种粘度自动控制方法。
粘度自动控制系统自动控制方法

[发明专利]阻挡层的去除方法和装置-CN201410257649.1有效
发明人：王坚;贾照伟;武俊萍;谢良智;王晖 -专利权人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造铜互连的无应力电化学抛光工艺、无应力抛光过程中形成的钽或钛的氧化物薄膜去除工艺和二氟化氙气相刻蚀阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛工艺的整合方法和装置。首先，至少一部分硅片上镀的铜被无应力电化学抛光去除；其次，去除铜抛光过程中阻挡层表面形成的钽或钛的氧化物薄膜；最后，用二氟化氙气相刻蚀把阻挡层钽/氮化钽或钛/氮化钛去除。该装置由三个子系统组成无应力电化学铜抛光系统、用刻蚀剂去除阻挡层表面钽或钛的氧化物的系统和去除阻挡层的二氟化氙气相刻蚀系统。
阻挡去除方法装置