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[发明专利]一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法-CN201710984650.8有效
发明人：张金平;田丰境;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过合理引入分裂沟槽栅结构和浮空P型体区，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，减小了密勒电容，改善了密勒效应带来的不利影响；降低了整体栅电容，提高了器件开关速度，降低器件的开关损耗，改善传统CSTBT结构正向导通压降与关断损耗之间的折中；避免了器件开启动态过程中的电流、电压振荡和EMI问题，提高了器件的可靠性；改善了沟槽底部电场集中效应，提高了器件的击穿电压；提高器件发射极端的载流子增强效应，改善了漂移区的载流子浓度分布，进一步改善了正向导通压降与关断损耗的折中。此外，本发明提出的制造方法具有实现难度低、产品良率高、成本低的优势。
一种沟槽电荷存储 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种双通道RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610594975.0有效
发明人：张金平;田丰境;刘玮琪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体集成电路领域，具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法，用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback)现象，同时改善反向二极管特性，提高器件的稳定性和可靠性。本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入复合结构形成具有双通道的单向导电通路，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降，提高了器件的稳定性和可靠性；同时在反向二极管续流工作模式下在集电极端提供了两条续流通道，优化了其续流能力，具有小的导通压降。
一种双通道 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610594854.6有效
发明人：张金平;熊景枝;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体集成电路领域，具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法，用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback)现象，同时改善反向二极管特性，提高器件的稳定性和可靠性。本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入的复合结构，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降，提高了器件的稳定性和可靠性；同时在反向二极管续流工作模式下在集电极端提供了低阻的续流通道，优化了其续流能力，具有小的导通压降。
一种 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种平面栅IGBT及其制作方法-CN201610414453.8有效
发明人：张金平;陈文梅;黄孟意;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面栅IGBT及其制作方法。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区氧化层的上部部分区域引入与发射极连接的电极，所述发射极连接电极与栅极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，在JFET区通过在垂直于MOS沟道长度方向上从栅极往发射极连接电极方向的横向载流子扩散，本发明结构在不影响器件正向导通特性的条件下，减小了器件的栅极电容，特别是栅极‑集电极电容，提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗，同时不会使器件的阻断特性劣化。
一种平面 igbt 及其制作方法

[发明专利]一种沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法-CN201610264820.0有效
发明人：张金平;底聪;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明在一定的器件沟槽深度和沟槽MOS结构密度的情况下，通过在沟槽内引入与发射极相连的侧面分裂电极，减小了器件的栅极电容，提高了器件的开关速度，减小了开关损耗，改善了正向导通压降和开关损耗的折中，同时减小了MOS沟道的密度，改善了IGBT的短路安全工作区，提高了器件的性能和可靠性；在反向续流二极管工作模式时使反向续流二极管工作于多子模式，具有低的二极管导通压降，改善了续流二极管的反向恢复特性。
一种沟槽电荷存储 rc igbt 及其制造方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法-CN201610264356.5有效
发明人：张金平;田丰境;底聪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明是一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域,涉及绝缘栅双极型晶体管。本发明通过相互耦合的复合沟槽结构和载流子存储层的引入，在IEGT器件栅电极的底部引入与发射极连接的电极，这一方面在一定的沟槽深度和宽度下减小了栅电极的深度和宽度，另一方面通过引入的与发射极连接的电极的屏蔽作用，减小了器件的栅极电容，特别是栅极‑集电极电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗；同时，耦合的载流子存储层的引入补偿了由于与发射极连接的栅下电极的引入对器件正向导通特性的不利影响，进一步改善了整个漂移区的载流子浓度分布，获得了更好的器件正向导通压降和开关损耗的折中。
一种沟槽 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种平面栅IGBT及其制作方法-CN201610414414.8有效
发明人：张金平;张玉蒙;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种平面栅IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区表面的部分区域引入浮空p型区，所述浮空p型区与栅电极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，器件正向导通时在JFET区通过垂直于MOS沟道长度方向上从栅极往浮空p型区方向的横向载流子扩散，本发明结构在不影响器件正向导通特性的条件下，减小了器件的栅极电容，特别是栅极‑集电极电容，提高了器件的开关速度，降低了器件的开关损耗，同时不会使器件的阻断特性劣化。
一种平面 igbt 及其制作方法

[发明专利]双分裂沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法-CN201610266036.3有效
发明人：张金平;底聪;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在RC‑IGBT器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层，在IGBT工作模式时提高了器件的开关速度，降低器件的开关损耗，减小了器件的饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区，提高了可靠性；在反向续流二极管工作模式时使反向续流二极管具有低的二极管导通压降，并改善了续流二极管的反向恢复特性；同时本发明所提出的双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统RC‑IGBT制作方法兼容。
分裂沟槽电荷存储 rc igbt 及其制造方法

[发明专利]一种双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法-CN201610264416.3有效
发明人：张金平;底聪;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，减小了栅极电容，从而提高了器件的开关速度，降低器件的开关损耗；同时宽的底部分裂电极和浮空p型基区进一步改善了整个N型漂移区的载流子浓度分布，并改善了器件的短路安全工作区和击穿特性，提高了器件的性能和可靠性。本发明所提出的双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统CSTBT制作方法兼容。 1
双分裂电荷存储沟槽栅电极载流子绝缘栅双极型晶体管短路安全工作区功率半导体器件分裂电极工艺步骤击穿特性降低器件开关损耗内栅电极浓度分布器件沟槽栅极电容阈值电压等电位发射极介质层栅电极浮空减小制作兼容侧面引入开通制造

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