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[发明专利]一种具有体内场板的折叠型终端-CN201680057871.4有效
发明人：任敏;张玉蒙;底聪;熊景枝;李泽宏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-09-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有体内场板的折叠型终端，将场板结构和结终端扩展区向器件内部折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。
一种具有体内折叠终端

[发明专利]一种双通道RC-IGBT器件及其制备方法-CN201610592667.4有效
发明人：张金平;熊景枝;底聪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种双通道RC‑IGBT器件及其制备方法。本发明属于功率半导体器件技术领域，具体提供一种双通道逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法，用于优化传统RC‑IGBT的正向IGBT特性，同时改善反向二极管特性，提高器件的可靠性；本发明通过在器件背面形成具有双通道的单向导电通路，在正向IGBT工作模式下完全消除了snapback现象，并具有与传统IGBT相同的导通压降；在反向二极管续流工作模式下具有小的导通压降；同时由于不需要增加背部P+集电区宽度可采用小的背面元胞宽度，克服了传统RC‑IGBT器件电流和温度均匀性的问题，大大提高了可靠性，且其制备工艺与传统RC‑IGBT器件工艺相兼容。
一种双通道 rc igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法-CN201610264820.0有效
发明人：张金平;底聪;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明在一定的器件沟槽深度和沟槽MOS结构密度的情况下，通过在沟槽内引入与发射极相连的侧面分裂电极，减小了器件的栅极电容，提高了器件的开关速度，减小了开关损耗，改善了正向导通压降和开关损耗的折中，同时减小了MOS沟道的密度，改善了IGBT的短路安全工作区，提高了器件的性能和可靠性；在反向续流二极管工作模式时使反向续流二极管工作于多子模式，具有低的二极管导通压降，改善了续流二极管的反向恢复特性。
一种沟槽电荷存储 rc igbt 及其制造方法

[发明专利]一种双通道RC-LIGBT器件及其制备方法-CN201610592595.3有效
发明人：张金平;黄孟意;李丹;底聪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种双通道RC‑LIGBT器件及其制备方法。本发明属于功率半导体集成电路领域，具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT，RC‑LIGBT)及其制备方法；用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback)现象，同时改善反向二极管特性，提高器件的稳定性和可靠性。本发明RC‑LIGBT器件通过在器件集电极端引入复合结构形成具有双通道的单向导电通路，在正向LIGBT工作模式下完全屏蔽了N型集电区对导通特性的影响，完全消除了负阻(snapback)现象，并具有与传统LIGBT相同的低导通压降，提高了器件的稳定性和可靠性；同时在反向二极管续流工作模式下在集电极端提供了两条续流通道，优化了其续流能力，具有小的导通压降。
一种双通道 rc ligbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种功率半导体器件终端结构-CN201610551789.9有效
发明人：任敏;张玉蒙;底聪;廖航;李沂蒙;李泽宏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。
一种功率半导体器件终端结构

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法-CN201610264356.5有效
发明人：张金平;田丰境;底聪;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明是一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域,涉及绝缘栅双极型晶体管。本发明通过相互耦合的复合沟槽结构和载流子存储层的引入，在IEGT器件栅电极的底部引入与发射极连接的电极，这一方面在一定的沟槽深度和宽度下减小了栅电极的深度和宽度，另一方面通过引入的与发射极连接的电极的屏蔽作用，减小了器件的栅极电容，特别是栅极‑集电极电容，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗；同时，耦合的载流子存储层的引入补偿了由于与发射极连接的栅下电极的引入对器件正向导通特性的不利影响，进一步改善了整个漂移区的载流子浓度分布，获得了更好的器件正向导通压降和开关损耗的折中。
一种沟槽 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]双分裂沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法-CN201610266036.3有效
发明人：张金平;底聪;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在RC‑IGBT器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层，在IGBT工作模式时提高了器件的开关速度，降低器件的开关损耗，减小了器件的饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区，提高了可靠性；在反向续流二极管工作模式时使反向续流二极管具有低的二极管导通压降，并改善了续流二极管的反向恢复特性；同时本发明所提出的双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统RC‑IGBT制作方法兼容。
分裂沟槽电荷存储 rc igbt 及其制造方法

[发明专利]一种双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法-CN201610264416.3有效
发明人：张金平;底聪;田丰境;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层，在不影响IGBT器件阈值电压和开通的情况下，减小了栅极电容，从而提高了器件的开关速度，降低器件的开关损耗；同时宽的底部分裂电极和浮空p型基区进一步改善了整个N型漂移区的载流子浓度分布，并改善了器件的短路安全工作区和击穿特性，提高了器件的性能和可靠性。本发明所提出的双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT制作方法不需要增加额外的工艺步骤，与传统CSTBT制作方法兼容。 1
双分裂电荷存储沟槽栅电极载流子绝缘栅双极型晶体管短路安全工作区功率半导体器件分裂电极工艺步骤击穿特性降低器件开关损耗内栅电极浓度分布器件沟槽栅极电容阈值电压等电位发射极介质层栅电极浮空减小制作兼容侧面引入开通制造

[发明专利]一种双向MOS型器件及其制造方法-CN201410809479.3在审
发明人：张金平;底聪;廖航;熊景枝;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在所述MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区和复合栅结构，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区和复合栅结构的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的耐压和低的导通压降/电阻特性。
一种双向 mos 器件及其制造方法

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