专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体发光二极管及其制作方法-CN201710078616.4有效
  • 郑锦坚;王星河;康俊勇 - 郑锦坚
  • 2017-02-14 - 2018-11-23 - H01L33/06
  • 本发明公开了一种半导体发光二极管及其制作方法,其公开的结构以及采用该制作方法制作的半导体发光二极管能够提升发光效率和发光强度。为了达到上述目的,本发明公开的一种半导体发光二极管包括衬底,缓冲层,第一导电型的第一半导体层,多量子阱具有V形坑的有源层,多周期的Al量子点/AlN纳米柱/Ga量子点/GaN纳米柱,以及第二导电型的第二半导体层和接触层;有源层的量子阱下表面、中心、上表面对应的V形坑位置具有Al量子点/AlN纳米柱/Ga量子点,其每周期厚度与量子阱层厚度相同;量子阱的垒层对应V形坑位置具有GaN纳米柱,其每周期的厚度与垒层相同。
  • 一种半导体发光二极管及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体发光二极管的结构及其制作方法-CN201710079191.9有效
  • 郑锦坚;王星河;康俊勇 - 郑锦坚
  • 2017-02-14 - 2018-11-23 - H01L33/06
  • 本发明公开了一种半导体发光二极管的结构及其制作方法,其结构以及采用该制作方法制作的半导体发光二极管能够提升光提取效应,提升发光效率;本发明公开的一种半导体发光二极管的结构在第一、第二有源层的V形坑连接界面具有第一纳米锥;第二有源层的每对量子阱界面位置对应的V形坑斜面具有磁性纳米颗粒,第二有源层的每对量子阱界面位置对应的第一纳米锥中心具有第一金属纳米颗粒;V形坑与第一纳米锥间隙填充透明隔离层,其上方沉积第一电子阻挡层,第一p型半导体层、第二p型半导体层;第一纳米锥的高度高于第二p型半导体层,高于第二p型半导体的第一纳米锥斜面具有第二纳米锥,第二纳米锥的底部和顶端具有第二金属纳米颗粒。
  • 一种半导体发光二极管结构及其制作方法

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