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[发明专利]用于CVD沉积N型掺杂的碳化硅的方法和外延反应器-CN202180053846.X在审
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;詹卢卡·西维迪尼 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：方法用于通过CVD型工艺将具有n型掺杂的碳化硅层沉积到基底的表面上，该基底水平地放置在反应室内的旋转基座上；该旋转基座适于单基底支撑；该方法包括沿着反应室将气体混合物从第一侧引入到第二侧并使气体混合物在内部流动，经过所述反应室的下壁的一部分并且然后经过支撑一个基底的所述旋转基座；气体混合物包括以下或者由以下组成：一种或更多种作为待沉积的碳化硅的前体的气体，和载气以及前体气体，该前体气体包含适于产生n型掺杂的物质；掺杂剂物质适于经历通过与所述反应室的由碳化硅制成的内表面接触而催化的热解，形成具有化学计量NHxCySiz的物质，其中x和y以及z被包括在0和3之间并且x+y+z0，反应室处于被包括在1450℃和1800℃之间的范围内的温度和被包括在5kPa和30kPa之间的范围内的压力；将基底放置在反应室内的区域中，在该区域中Si、C和N的可用性的趋势分别都在降低并且在该区域中温度在沉积温度范围内。
用于 cvd 沉积掺杂碳化硅方法外延反应器

[发明专利]具有顶置式屏蔽件的用于操纵基片的工具及相关操纵方法和外延反应器-CN202180035488.X在审
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;斯特凡诺·波利 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于操纵基片(3000)的工具(4000)包括叉(4100)；叉(4100)包括两个臂(4120，4140)，两个臂被配置成在使用时通过接触施加横向力和/或竖直力来直接或间接地夹持或支撑一个或更多个基片(3000)；提供屏蔽件(4500)，该屏蔽件固定或能够固定到叉(4100)，以便在使用中，当基片(3000)被叉(4100)夹持或支撑时，屏蔽件(4500)以一定距离悬垂在基片(3000)上。
具有顶置式屏蔽用于操纵工具相关方法外延反应器

[发明专利]用于具有气流旋转的外延反应器的反应室的基底支撑装置、反应室和外延反应器-CN202080081390.3在审
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;毛里利奥·梅斯基亚 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种用于在外延反应器的反应室中支撑基底的装置(420)；装置(420)包括：盘形元件(422)，其具有第一面(422A)和第二面(422B)，第一面(422A)适于在使用装置(420)时向上定位，第二面(422B)适于在使用装置(420)时向下定位，所述盘形元件(422)适于接收气流(F)以使装置(420)绕其轴线(X)旋转；基底支撑元件(424)，其与所述盘形元件(422)成单件并且优选地邻近所述第一面(422A)；以及轴(426)，其与所述盘形元件(422)同轴，与所述盘形元件(422)成单件并且在所述第二面(422B)处具有第一端(426A)，所述轴(426)在其第二端(426B)处具有至少一个突出部(428A、428B、428C)，突出部(428A、428B、428C)的旋转适于由高温计(430)或热像仪检测。
用于具有气流旋转外延反应器反应基底支撑装置

[发明专利]具有不均匀的纵向截面的用于半导体材料的外延反应器的反应室及反应器-CN201980083556.2有效
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;弗朗西斯科·科里亚;毛里利奥·梅斯基亚 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：反应室(100A)用于反应器，用于在基底(62)上沉积半导体材料；反应室沿纵向方向延伸，并包括沿该纵向延伸的反应和沉积区域(10)；该区域(10)由适于通过电磁感应加热的感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B、31、32)限定；第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)与室的基底支撑元件(61)相对，并且具有孔(20)，该孔沿着其整个长度在纵向方向上延伸；第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)具有取决于其纵向位置的不均匀的横截面。
具有不均匀纵向截面用于半导体材料外延反应器反应

[发明专利]具有传送室的处理装置和外延反应器-CN202080068619.X在审
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;弗朗西斯科·科里亚 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备的装载/卸载组(300)；至少部分邻近装载‑锁定室(300)的存储室(400)，该存储室具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)；用于在所述存储室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和不具有任何基片的基片支撑设备的至少一个外部机器人(500)；用于在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间经由所述传送室(200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备的至少一个内部机器人(600)。
具有传送处理装置外延反应器

[发明专利]具有存储室的处理装置和外延反应器-CN202080068618.5在审
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;弗朗西斯科·科里亚 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备的装载/卸载组(300)；至少部分邻近装载/卸载组(300)的装载/卸载室(400)，其具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)；用于在所述装载/卸载室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和不具有任何基片的基片支撑设备的至少一个外部机器人(500)；用于在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间经由所述传送室(200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备的至少一个内部机器人(600)；其中所述外部机器人(500)包括铰接臂(510)，该铰接臂被布置成操纵已处理的基片和未处理的基片两者以及基片支撑设备。
具有存储处理装置外延反应器

[发明专利]具有装载/卸载组的处理装置和外延反应器-CN202080068626.X在审
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;弗朗西斯科·科里亚 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备的装载/卸载组(300)；至少部分地容纳装载/卸载组(300)的存储室(400)，该存储室具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)；用于在所述存储室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和不具有任何基片的基片支撑设备的至少一个外部机器人(500)；用于在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间经由所述传送室(200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备的至少一个内部机器人(600)；所述装载/卸载组包括彼此关联的装载‑锁定室(300A)和准备站(300B)。
具有装载卸载处理装置外延反应器

[发明专利]用于外延沉积的反应器及其加热方法-CN202111146174.5在审
发明人：温森佐·奥格里阿里;西尔维奥·佩雷蒂;弗兰科·佩雷蒂 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于外延沉积的反应器(1)及其加热方法。反应器(1)包括承受器(2)和感应器(4)；感应器(4)适于在其被通电时通过电磁感应加热承受器(2)；感应器(4)包括多个匝(41‑47)；在承受器(2)从第一温度加热到第二温度期间，感应器(4)的一匝或更多匝(43)相对于承受器(2)和感应器(4)的其他匝的位置改变。匝(43)借助于适当的致动系统(61，62，63)来致动。
用于外延沉积反应器及其加热方法

[发明专利]具有在反应室外部的反射器的外延沉积反应器以及冷却衬托器和基底的方法-CN201780061280.9有效
发明人：西尔维奥·佩雷蒂;温森佐·奥格里阿里;弗兰科·佩雷蒂 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基底(100)上外延沉积半导体材料的反应器(1)，包括：反应室(2)，其设置有由下壁(21)、上壁(22)和侧壁(23，24)界定的空腔(20)；衬托器(3)，其被定位在所述空腔(20)内部，并且适于在外延沉积期间支撑和加热基底(100)；加热系统(6)，其适于加热所述衬托器(3)；上板(7)，其被定位在所述上壁(22)上方并且覆盖所述衬托器(3)，使得上板(7)将由所述衬托器(3)发射的热辐射反射朝向所述衬托器(3)。液体流(LF)被提供在所述上板(7)中或所述上板(7)上，以冷却所述上板(7)。气体流(GF)被提供在所述上壁(22)和所述上板(7)之间，以促进热量从所述上壁(22)至所述上板(7)的传递。
具有反应外部反射外延沉积反应器以及冷却衬托基底方法

[发明专利]用于沉积半导体材料的包括旋转元件的反应室-CN202080007290.6在审
发明人：弗朗西斯科·科里亚;D·克里帕;毛里利奥·梅斯基亚;徳田雄一郎 -专利权人： 洛佩诗公司;株式会社电装
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：反应室(100)被设计用于反应器(100)，反应器用于在基底上沉积半导体材料的层；反应室包括管(110)和注射器(20)以及保持器(30)，管(110)由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区；注射器(20)被布置成将前体气体注入反应和沉积区；保持器(30)被布置成在沉积过程期间支撑在反应和沉积区中的基底；石墨基座元件(10、40、50)位于管(110)的内部，用于加热反应和沉积区以及在反应和沉积区内的部件；感应器系统(60、70)位于管(110)外部，用于通过电磁感应向基座元件(10、40、50)提供能量；呈圆柱形管或棱柱形管的形式的旋转元件(80)位于反应和沉积区内部并且围绕注射器(20)。
用于沉积半导体材料包括旋转元件反应

[发明专利]具有间隙和下部封闭元件的用于沉积反应器的反应室和反应器-CN202080007298.2在审
发明人：弗朗西斯科·科里亚;D·克里帕;毛里利奥·梅斯基亚;西尔维奥·佩雷蒂;徳田雄一郎 -专利权人： 洛佩诗公司;株式会社电装
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：反应室(100)被用于在基底上沉积半导体材料的层的沉积反应器；反应室包括管(110)，管由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的；管(110)具有圆柱形的内部间隙(112)，内部间隙沿着管(110)的整个长度延伸并且适于容纳流动的液体；室(100)还包括的环形的封闭元件(120)，封闭元件由石英制成并且固定到管(110)的第一下端，以便封闭间隙(112)，防止液体在底部处从间隙流出；在顶部处，封闭元件(120)具有面向间隙(112)的环形凹部(122)，使得流动的液体可在底部处到达凹部(122)；室(100)还包括间隙(112)内部的一组内部导管(130)，其中所述内部导管(130)从管(110)的第一下部区域延伸直到管(110)的第二上部区域，以便于流动的液体在间隙(112)中的循环。
具有间隙下部封闭元件用于沉积反应器反应

[发明专利]使基底通过负压夹紧的衬托器以及用于外延沉积的反应器-CN201780019048.9有效
发明人：温森佐·奥格里阿里;西尔维奥·佩雷蒂 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：用于外延沉积反应器的衬托器包括盘形部分(11、12)，该盘形部分适于水平放置并且在顶部处具有至少一个圆柱形的袋(200)，待经受外延沉积工艺的基底(100)放置在该袋处；袋(200)具有底部；流体连接到吸气系统(300)的一个或更多个导管(13)在袋(200)的底部上开口；当基底(100)被放置在袋(200)的底部上并且吸气系统(300)处于工作状态时，基底(100)保持附着到袋(200)的底部。特别地：上部主体(12)在上方具有袋(200)，导管(13)仅竖直地穿过上部主体(12)，导管(13)流体连接到集气室(14)，集气室在袋(200)下方位于下部主体(11)和上部主体(12)之间，集气室(14)流体连接到吸气系统(300)；由此当基底(100)被放置在袋(200)的底部上并且吸气系统(300)处于工作状态时，下部主体(11)和上部主体(12)保持结合。
基底通过夹紧衬托以及用于外延沉积反应器

[发明专利]带有感应器和电磁屏蔽件的沉积反应器-CN201980063499.1在审
发明人：米歇尔·福尔赞;D·克里帕;西尔维奥·佩雷蒂 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：一种用于在基底上沉积半导体材料层的反应器(100)，包括：反应室(110)、位于反应室内的基座组件(120)以及适于通过电磁感应加热基座组件的加热系统(130)；加热系统(130)包括第一感应器(131)和第二感应器(132)以及适于将彼此不同且独立的交流电电力地馈电给第一感应器和第二感应器(131，132)的电源(135)；反应器(100)还包括适于限制第一感应器和第二感应器(131，132)之间的电磁耦合的屏蔽组件(140)。
带有感应器电磁屏蔽沉积反应器

[发明专利]用于外延沉积的反应器的加热方法和用于外延沉积的反应器-CN201780067269.3在审
发明人：温森佐·奥格里阿里;西尔维奥·佩雷蒂;弗兰科·佩雷蒂 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于外延沉积的反应器(1)的加热方法；反应器(1)包括承受器(2)和感应器(4)；感应器(4)适于在其被通电时通过电磁感应加热承受器(2)；感应器(4)包括多个匝(41‑47)；在承受器(2)从第一温度加热到第二温度期间，感应器(4)的一匝或更多匝(43)相对于承受器(2)和感应器(4)的其他匝的位置改变。匝(43)借助于适当的致动系统(61，62，63)来致动。
感应器反应器承受器外延沉积加热电磁感应加热致动系统多匝致动通电

[发明专利]可感应加热的基座和外延沉积反应器-CN201780010340.4在审
发明人：温森佐·奥格里阿里;米歇尔·福尔赞;西尔维奥·佩雷蒂 -专利权人： 洛佩诗公司
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基座，该基座包括盘形部分(21)和柱形或锥形部分(22)；盘形部分(21)用于(直接或间接)在外延沉积反应器的反应室内支撑一个或更多个待经受外延沉积的衬底；柱形或锥形部分(22)用于促进盘形部分(21)的加热；由于基座的构造，可以将盘形部分(21)加热到非常均匀的温度；事实上，例如，基座的加热可以通过第一电感器(4)和第二电感器(5)获得，第一电感器(4)适于直接加热盘形部分(21)，特别是其外环形区域，第二电感器(5)适于直接加热柱形或锥形部分(22)并且间接加热盘形部分(21)，特别是其中心区域。
盘形电感器外延沉积柱形加热直接加热反应器感应加热环形区域间接加热中心区域衬底将盘室内支撑

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