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[发明专利]一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法-CN202310868663.4在审
发明人：张雪;冯猛;周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法，晶体管外延结构包括：依次设置的硅衬底、隔离薄膜、外延层、以及贯穿所述外延层和所述隔离薄膜的玻璃通孔，所述玻璃通孔通过TGV刻蚀得到，所述TGV刻蚀采用当刻蚀至所述隔离薄膜时，将剩余刻蚀时间缩短至预设的薄膜刻蚀时间的方式进行，所述薄膜刻蚀时间为依据隔离薄膜的刻蚀速率得到的时间。本发明中的晶体管外延结构能够较好地避免晶体管TGV刻蚀过度或过量，使得硅衬底表面台面高低基本一致，降低器件间电流泄露的可能性。
一种晶体管外延结构防止 tgv 刻蚀过度方法

[发明专利]晶圆及晶圆的制备方法-CN202310869048.5在审
发明人：周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底上向上外延沉积有至少一氮化铝层、至少一氮化铝镓层和至少一氮化镓层；在沉积至少一层氮化铝镓层时，控制氮化铝镓层中氮化铝的占比，以使得晶圆的翘曲度的绝对值小于预设值。本发明通过控制氮化铝镓层中的氮化铝的占比，以控制在降温处理过程中产生的张应力，进而降低晶圆的翘曲度，降低后续加工工艺的复杂度，可有效克服翘曲度过高导致晶圆生成裂纹甚至破片的问题。
制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN202310828871.1在审
发明人：周韧林;杨焕荣;张雪;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成外延层；在外延层上形成第一掩膜层，第一掩膜层中镂空设置有凹陷区域；在无H原子的环境下，在第一掩膜层上覆盖p型氮化物层；p型氮化物层与外延层接触形成栅极；去除位于第一掩膜层非凹陷区域上部的p型氮化物层以及第一掩膜层。通过上述方式，降低了p型氮化物层的氢元素含量，提高p型氮化物层的空穴浓度和迁移率，且无需采用刻蚀工艺即可制备栅极，避免出现刻蚀损伤，提高了半导体器件的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]用于AI云计算训练的大数据清洗方法及大数据采集系统-CN202210786105.9有效
发明人： 杨焕荣 -专利权人：北京正远达科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F16/215 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种用于AI云计算训练的大数据清洗方法及大数据采集系统，可以对大数据样本采集事件数据进行噪声预测，输出大数据样本采集事件数据的噪声采集特征点分布，然后基于大数据样本采集事件数据的噪声采集特征点分布即可确定大数据样本采集事件数据的大数据采集清洗决策信息，由此基于所述大数据采集清洗决策信息为所述AI云计算训练节点进行对应的大数据采集清洗配置，从而在进行大数据采集清洗决策过程中通过追溯大数据样本采集事件数据的噪声采集特征点分布，相较于现有技术中在完成大数据采集之后噪声字段特征匹配筛选的方式，在大数据采集流程中即可进行大数据清洗流程，可以提高大数据清洗效率和准确性。
用于 ai 计算训练数据清洗方法采集系统

[发明专利]一种用于计算反正切函数的实现方法及装置-CN202011264893.2在审
发明人：陈虎;龙科莅;伍彬山;杨焕荣 -专利权人：湖南毂梁微电子有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F7/548 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于计算反正切函数的实现方法及装置，该方法包括：步骤S1：前处理；根据输入的二维坐标值，获得象限基准角和对应的坐标比值；步骤S2：单调性控制与查表；通过控制锚点值的密度和选择第一阈值和第二阈值以控制输出结果的严格单调性，并通过查表获得系数，通过加法运算获得多项式运算的变量；步骤S3：多项式运算；根据获得的系数及多项式运算的变量进行多项式运算；步骤S4：后处理；将反正切运算得到的结果与象限基准角相加，进行规格化及舍入处理，获得输入的二维坐标值对应的反正切结果。该装置用来实施上述方法。本发明具有原理简单、硬件开销小、精度高的等优点。
一种用于计算正切函数实现方法装置

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法-CN201710051343.4有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;伍明跃;李志明;邓和清;杨焕荣;吴建国;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，包括衬底，第一导电型的第一半导体层，至少一具有M个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第一有源层，至少一界面连接层，至少一具有N个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第二有源层组成的多重堆叠的多量子阱结构，第一有源层和第二有源层交替垒加；以及邻接所述多重堆叠的多量子阱结构的第二导电型的第二半导体层，可以调控组合V形坑的体积、形态和密度，提升量子效应和发光效率。
一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201610384832.7有效
发明人：郑锦坚;李志明;钟志白;杨焕荣;廖树涛;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V形坑，第一AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格组成的复合结构，P型氮化物以及P型接触层，所述多量子阱区域的V形坑中沉积第一AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格、In量子点/InN量子点形成的局域量子态、第二AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格的复合结构，V形坑上下两组AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格结构，将位错阻挡在V形坑中，阻挡其继续往上延伸，有效地减少位错，降低非辐射复合，降低漏电和改善ESD，提升发光效率和发光强度；而两组超晶格结构中间的In量子点/InN量子点组成的混合局域量子态，提升量子阱的量子效应，进一步提升发光效率和发光强度。
一种氮化物发光二极管

[发明专利]一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管及其制作方法-CN201610197676.3有效
发明人：郑锦坚;钟志白;杜伟华;李志明;杨焕荣;廖树涛;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有AlN量子点的氮化物发光二极管及其制作方法，包括：衬底，缓冲层，N型氮化物，具有V‑pits的多量子阱，P型氮化物，无Mg掺杂的AlN量子点，具有高Mg掺杂的P型氮化物以及P型接触层，其中在P型氮化物和具有高Mg掺杂的P型氮化物之间插入AlN量子点层，量子点通过高电阻的AlN量子点的多步弛豫沉积方法，均匀地堵住位错线的终端，防止电流流经位错线区域，提高反向电压、降低漏电、改善电流的横向扩展和改善ESD。
一种具有 aln 量子氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制作方法-CN201610577588.6有效
发明人：郑锦坚;邓和清;钟志白;李志明;杨焕荣;苏龙兴;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及P型接触层，其多量子阱区域的V‑Pits具有可调控的空气腔层，通过在V‑pits底部沉积空气腔控制层，然后，转移及沉积V‑pits的盖层，形成V‑pits的空气腔，从而制作V‑pits的空气腔层的体积和形状可调控的氮化物发光二极管，通过改变多量子阱发出光的散射和折射路径，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。
一种氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201610384831.2有效
发明人：郑锦坚;杜伟华;钟志白;杨焕荣;廖树涛;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，第一V形坑，第二V形坑，多量子阱，P型氮化物以及P型接触层，在多量子阱形成第一V形坑的基础上，在多量子阱区与N型氮化物间插入一层In量子点/InN和Al量子点/AlN组成的V形坑控制层，通过控制该层的In量子点/InN和Al量子点/AlN界面形成的堆垛层错和反向畴等缺陷的密度，来控制产生第二V形坑的密度，从而获得最佳的V形坑的密度，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。
一种氮化物发光二极管

[发明专利]一种氮化物发光二极管的外延结构-CN201610305529.3有效
发明人：郑锦坚;钟志白;杨焕荣;李志明;杜伟华;邓和清;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，通过在多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V‑pits，降低V‑pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V‑pits中的缺陷吸收，同时，Al量子点形成光反射和表面等离激元，进一步引导光波导方向。通过钝化层/DBR/Al量子点复合结构的多重垒加效应，提升量子阱的发光效率。
一种氮化物发光二极管外延结构

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201610276668.8有效
发明人：郑锦坚;钟志白;杨焕荣;杜伟华;廖树涛;李智杰;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，n型掺杂沟道区域，局域无掺杂区域，V‑pits的局域电子阻挡层，P型氮化物，以及P型接触层，其特征在于所述多量子阱区域的V‑pits两侧具有局域无掺杂区域，阻止电子和空穴泄漏至V‑pits；同时，V‑pits与V‑pits之间形成量子级别的n型掺杂沟道区域，使电子和空穴局限在此区域进行跃迁和复合，提升载流子的复合效率以及电流的横向及纵向扩展，提升发光强度和改善ESD；V‑pits两侧局域无掺杂区域的上方生长纳米尺度的局域电子阻挡层，进一步阻挡热电子和空穴泄漏至V‑pits，降低非辐射复合，提升发光强度和改善漏电。
一种氮化物发光二极管

[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制作方法-CN201610129247.2有效
发明人：郑锦坚;钟志白;廖树涛;杜伟华;杨焕荣;李志明;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，其特征在于N型氮化物通过位错过滤层过滤高Pits密度的第一N型氮化物的Pits，再形成低pits密度的第二N型氮化物；然后，将形成P型氮化物一侧的氮化物蚀刻至高Pits密度的第一N型氮化物，继续形成高Pits密度的第三N型氮化物，依次形成高Pits密度的量子阱和P型氮化物，形成具有N型低Pits密度而量子阱具有高Pits密度的氮化物发光二极管，从而获得兼具N型高反向击穿电压、低漏电和高亮度量子阱的发光二极管。
一种氮化物发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物白光发光二极管-CN201510689197.9有效
发明人：郑锦坚;杨焕荣;寻飞林;廖树涛;李智杰;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物白光发光二极管，包括衬底；外延层；N型电极以及P型电极；通过在衬底和外延层上分别形成沟道，并在沟道上形成低导热系数材料的温度隔离层，使单一芯片形成三个独立温区（I/II/III区），在I/II/III区的外延层侧壁和衬底背面形成高导热系数材料的控温层，分别用于控制外延层和衬底的温度，从而根据热膨胀系数差异，分别调节I/II/III区的氮化物和衬底的晶格常数，进而调节氮化物受到的双轴应力，而量子阱受不同双轴应力的作用会改变导带底和价带顶的位置，改变禁带宽度和发光波长，从而通过调节双轴应力可调控同一铟组分的发光二极管实现红、绿、蓝光的发光，实现单一芯片的白光发射。
一种氮化物白光发光二极管

[实用新型]肾脏穿刺针-CN201120417299.2有效
发明人：武文斌;杨焕荣 -专利权人：武文斌
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肾脏穿刺针，属于医疗器械技术领域，包括针体、针柄和针芯，所述针体上设有用于持拿针体的手持装置，所述手持装置包括两个相互配合的的捏持部，所述针体夹持于所述两捏持部之间，所述两捏持部通过弹性部件连接在一起,采用这种结构后，使用者通过针体上的手持装置可以方便的持拿针体，防止针体从手中脱落，又由于所述针体夹持于所述两捏持部之间，两捏持部通过弹性部件连接在一起，这样两捏持部可以在针体上滑动，方便使用者找到合适的位置持拿，持拿时，只需捏紧两捏持部即可保证针体不会滑动。
肾脏刺针

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