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[发明专利]基板支承装置及其制造方法-CN201910957782.0有效
发明人： 李相起;李在京 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种基板支承装置及其制造方法，基板支承装置包括：底座，至少形成一个以上第一气体供给孔，以便供给温度调节气体；以及静电卡盘，设置于所述底座上并支承基板，并且至少形成一个以上第二气体供给孔，以便与所述第一气体供给孔连通，所述第二气体供给孔在烧结所述静电卡盘之前加工。
支承装置及其制造方法

[发明专利]静电吸盘和包括其的静电吸盘装置-CN202010041910.X有效
发明人： 李相起;森谷义明 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电吸盘，其通过静电力固定工作衬底。所述静电吸盘包括：介电板，其被构造为支撑所述工作衬底；底板，其被构造为支撑所述介电板；以及吸附电极，其插在所述介电板和所述底板之间，并且被构造为产生用于吸附所述工作衬底的静电力。所述介电板是蓝宝石板，所述底板由氧化铝陶瓷材料组成，所述吸附电极在‑200℃至400℃范围内具有20％或更小的电阻变化率，并且所述介电板和所述底板是通过所述吸附电极一体粘合的。
静电吸盘包括装置

[发明专利]基板处理设备-CN202211716253.X在审
发明人： 李相起;郑韶滢 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种用于处理基板的设备。根据实施方式的基板处理设备包括具有处理空间的外壳，在所述处理空间中处理基板；支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间中支撑基板；以及气体供应单元，所述气体供应单元向所述处理空间供应气体，其中在所述支撑单元内部形成传热流道、销孔和连接部分，所述传热流道向由支撑单元支撑的基板供应传热介质，所述销孔限定用于升降由支撑单元所支撑的基板的升降销的升降路径，并且所述连接部分使所述传热流道和所述销孔相互连通，并且所述连接部分包括多孔结构。
处理设备

[发明专利]基板支撑部件及包括该基板支撑部件的基板处理装置-CN201811195803.1有效
发明人： 李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板支撑部件及基板处理方法。根据本发明的一个实施例的基板支撑部件包括：气体流路，向所述基板背面供给气体，所述气体流路设置有气体流动限制部件，所述气体流动限制部件在所述气体流路中沿气体流动方向对气体流动进行不同流量的限制。根据本发明，因具有沿气体流动方向不同程度限制气体流动的气体流动限制部件，能够预防导热气体流路中产生电弧，并且最小化导热气体排气所需要的时间。
支撑部件包括处理装置

[发明专利]基板支承单元以及包括其的基板处理装置-CN202211360844.8在审
发明人：朴埈奭;郑哲镐;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：根据本发明，提供一种基板支承单元以及包括其的基板处理装置，所述基板支承单元包括底座部件；夹具部件，装载到所述底座部件上；以及中间层，位于所述底座部件和所述夹具部件之间，所述中间层包括：接合部，为了结合所述底座部件和所述夹具部件而在一部分区域形成。
支承单元以及包括处理装置

[发明专利]缓存单元及用于用该单元处理基板的装置和方法-CN201910782611.9有效
发明人：孙德铉;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明构思的实施方式提供用于储存基板的装置和方法。用于储存基板的缓存单元包括：壳体，其具有形成在一侧的入口和在内部的缓存空间；基板支撑单元，其在缓存空间中支撑一个或多个基板；压力调节单元，其调节缓存空间中的压力；以及控制器，其控制压力调节单元。压力调节单元包括：供气管路，其供应气体以用于对缓存空间加压；以及排气管路，其减小缓存空间中的压力。供气管路和排气管路中的至少一者包括多个管路。控制器控制压力调节单元以使缓存空间保持于在填充模式和排放模式中所选的一种模式，在填充模式下用气体填充缓存空间，在排放模式下排空缓存空间。
缓存单元用于处理装置方法

[发明专利]基板处理设备、基板支撑单元和基板处理方法-CN201910979189.6有效
发明人： 李相起;河刚来 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于处理基板的设备，包括：壳体，在该壳体中具有处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；处理气体供应单元，其将处理气体供应到处理空间中；以及等离子体源，其从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：支撑构件，在其上放置基板；加热构件，其加热被支撑在支撑构件上的基板；以及传热气体供应构件，其将传热气体供应到被支撑在支撑构件上的基板的背面。加热构件包括多个加热器，并且当俯视时，多个加热器加热被放置在支撑构件上的基板上的不同区域。支撑构件包括突起，该突起将支撑构件和被放置在支撑构件上的基板的背面之间的空间划分成多个气体区域，并且当俯视时，由加热构件加热的基板上的加热区域中的至少一个被划分为多个区域。
处理设备支撑单元方法

[发明专利]基板处理设备、其覆盖环及该覆盖环的制造方法-CN202111033375.4在审
发明人：金善一;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理设备、其覆盖环和该覆盖环的制造方法。公开了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：工艺腔室，在该工艺腔室内部中提供处理空间；支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将工艺气体供应至处理空间中；和等离子体源，其自工艺气体产生等离子体，支承单元包括：支承板，基板定位在支承板上；以及边缘环组合件，其围绕支承在支承板上的基板且在基板中形成等离子体，且边缘环组合件包括：聚焦环，其由第一材料形成，且在基板中形成等离子体的分布；以及设置在基板的区域中的覆盖环，该覆盖环在聚焦环的外侧上，由具有网状结构的第二材料形成，且包括通过将网状改质剂注入至网状结构的空白部位中提供的强化表面层。
处理设备覆盖制造方法

[发明专利]静电卡盘和其制造方法以及基板处理装置-CN202110521701.X在审
发明人：李济熙;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种静电卡盘和其制造方法以及基板处理装置。根据本发明的静电卡盘包括：电介质板，内置有电极而用于静电吸附基板；底座面板，配置于所述电介质板下方；以及加热单元，提供于所述底座面板，并能够独立加热基板的多个区域，从而能够分别独立控制基板的多个区域的温度，因此能够提高基板的温度均匀度。
静电卡盘制造方法以及处理装置

[发明专利]静电卡盘、基板处理装置以及基板处理方法-CN202110510580.9在审
发明人：高炫卓;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种静电卡盘、基板处理装置以及基板处理方法。本发明在上侧的卡盘主体和下侧的卡盘底座之间配置利用导热流体的导热层，只是将卡盘主体放置于卡盘底座上以卡盘主体与导热层物理接触，因此导热层在高温条件下也能够无损坏且稳定地执行导热，为了维护，能够将卡盘主体从卡盘底座容易地分离。
静电卡盘处理装置以及方法

[发明专利]具有静电卡盘的基板处理系统和静电卡盘的制造方法-CN202011007636.0在审
发明人：李东穆;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供了静电卡盘、静电卡盘的制造方法以及包括静电卡盘的基板处理系统，所述静电卡盘通过去除介电层的除DC电极和加热器电极之外的一部分并在其上沉积新的介电层而被制造为能够被重复使用。所述静电卡盘的制造方法包括：在使用静电卡盘之后，从静电卡盘的第一介电层去除其未形成有电极的上部的一部分的步骤；在去除了上部的一部分的第一介电层上沉积第二介电层的步骤；以及将第二介电层图案化使得静电卡盘能够被重复使用的步骤。
具有静电卡盘处理系统制造方法

[发明专利]聚焦环和包括其的基板处理装置-CN202010703388.7在审
发明人：李东穆;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供了聚焦环和具有该聚焦环的基板处理装置。基板处理装置包括工艺腔室、卡盘和聚焦环，其中：工艺腔室提供用于基板的工艺处理空间；卡盘支承基板；聚焦环布置为围绕卡盘的边缘，其中，聚焦环包括具有不同性质的多个层，并且多个层之间的接合表面形成为预先设定的规定图案。
聚焦包括处理装置

[发明专利]基板支承单元和包括其的基板处理系统-CN202010672731.6在审
发明人：郑韶滢;李相起 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：提供了一种在O形环的外侧设置坝构件以防止O形环被蚀刻的基板支承单元以及具有该基板支承单元的基板处理系统。基板处理系统包括：壳体；喷头，喷头设置在壳体的内部上侧，并且向壳体的内部引入用于蚀刻基板的工艺气体；以及支承单元，支承单元设置在壳体的内部下侧，并且包括用于安置基板的静电卡盘、支承静电卡盘的基座、以及设置在静电卡盘的侧表面上的聚焦环，其中支承单元包括：固定构件，将聚焦环固定到基座；密封构件，在聚焦环与基座之间密封固定构件的外周；以及坝构件，设置在密封构件的外侧，以用于防止工艺气体蚀刻密封构件。
支承单元包括处理系统

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201811277582.2在审
发明人：哈鲁琼·梅利基扬;安宗焕;具滋明;李相起;金荣斌;南信佑 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在其内部具有处理空间；支承单元，其配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为向处理空间中供应气体；以及等离子体产生单元，其配置为从气体产生等离子体，其中，该支承单元包括：静电卡盘，所述静电卡盘包括具有吸附基板的支承表面的上主体以及从上主体延伸至下侧的下主体，其中，下主体具有从上主体侧向延伸的延伸部；聚焦环，其设置在所述静电卡盘的延伸部上；以及金属环，其设置在所述静电卡盘的所述上主体与所述聚焦环之间并配置为控制所述基板的末端边缘中的等离子体。
静电卡盘上主体基板处理装置处理空间等离子体支承单元配置聚焦环下主体延伸部等离子体产生单元气体供应单元侧向延伸供应气体基板处理末端边缘气体产生吸附基板支承表面支承基板金属环基板腔室延伸

[发明专利]用于改造混凝土水槽的部件及方法-CN200880013386.2无效
发明人：金骐镇;安长熙;李相起 -专利权人：永盛产业株式会社
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： E03B11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于改造混凝土水槽的部件，所述部件包括：多个板体，其彼此间连续设置以便覆盖混凝土水槽的内表面；多个固定件，用于把多个板体固定到混凝土水槽的内表面；以及密封体，用于密封板体与板体之间的缝隙。本发明具有施工简单、固定牢固的优点，且能提供卓越的密封效果。
用于改造混凝土水槽部件方法

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