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[发明专利]一种磷化铟清洗用清洗液及其制备方法与清洗方法-CN202210069456.8有效
发明人：邓白鹭;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种磷化铟清洗用清洗液及其制备方法与清洗方法。磷化铟清洗用清洗液包括A组分和B组分，所述A组分包括以下重量份的原料：氨水6‑14份、双氧水16‑24份、脂肪醇聚乙烯醚1‑9份、羧甲基纤维素1‑9份、水450‑530份；所述B组分包括以下重量份的原料：硫酸6‑14份、双氧水6‑14份、二乙烯三胺五甲叉膦酸1‑9份、水490‑500份；其制备方法为：A组分的原料混合，制得A组分并包装,B组分的原料混合，制得B组分并包装。本申请的磷化铟清洗用清洗液可用于清洗半导体材料，其具有降低磷化铟粗糙度，提高产品质量的优点。
一种磷化清洗及其制备方法

[发明专利]一种磷化铟研磨工艺与磷化铟-CN202210034279.X有效
发明人：邢峥;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料加工技术领域，具体公开了一种磷化铟研磨工艺与磷化铟。一种磷化铟研磨工艺，包括以下步骤：S1.第一研磨：采用水磨的方法进行第一次研磨；S2.第二研磨：使用第一研磨液进行研磨，第一研磨液中包括第一研磨粒，第一研磨粒的粒径为8‑13μm；S3.第三研磨：使用第二研磨液进行研磨，第二研磨液中包括第二研磨粒，第二研磨粒的粒径为4‑6μm。本申请的磷化铟研磨工艺效率高，研磨去除效率可以达到3.35‑3.57μm/min；研磨效果好，经本申请研磨工艺研磨后的磷化铟的表面粗糙度达到0.35‑1.02μm，且研磨后对磷化铟表面损伤小，表面划痕率达到5.21‑5.86%。
一种磷化研磨工艺

[发明专利]一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片-CN202111592063.7有效
发明人：王亚坤;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体晶片加工领域，具体公开了一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片。所述半导体晶片的抛光方法是利用抛光设备、抛光液和抛光垫对研磨后的半导体晶片进行抛光。抛光液包括粗抛光液与精抛光液。所述粗抛光液的pH值为4‑5，二氧化硅的粒径为50‑80nm，所述精抛光液的pH值为6‑7，二氧化硅的粒径为20‑30nm。本申请中半导体晶片的粗糙度Ra≤0.2nm，平整度在5μm以内，弯曲度在4μm以内，翘曲度在2μm以内。通过本申请的抛光液，抛光设备与抛光垫的相互配合，保证磷化铟晶片表面质量的同时，提高生产效率，适用于批量化地生产。
一种半导体晶片抛光方法磷化

[发明专利]一种抛光液用磨料及磷化铟晶体精抛用抛光液及其制备方法-CN202111425677.6有效
发明人：王留刚;李海淼;高伟 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本申请涉及抛光液技术领域，具体公开了一种抛光液用磨料及磷化铟晶体精抛用抛光液及其制备方法。一种磷化铟晶体精抛用抛光液，包括以下组分：磨料、纳米氧化铝、硅酸钠、乳化剂、分散剂、水。其中该抛光液应用的磨料包括以下组分：纳米二氧化硅、有机硅玻璃树脂、硅烷偶联剂。该磨料的制备方法包括改性处理步骤、混合包覆步骤和分离干燥步骤，具体是利用硅烷偶联剂对纳米二氧化硅改性，并进一步通过偶联作用提高有机硅玻璃树脂包覆层的结合力，最后分离干燥后制得磨料成品。该磨料的硬度和粒径均适用于磷化铟用抛光液中，且对抛光液对磷化铟晶体的抛光效果有明显改善作用。
一种抛光磨料磷化晶体精抛用及其制备方法

[发明专利]材料表面雾的检测方法和装置-CN202110706036.1有效
发明人：高伟;刘宇;王志珍;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明提供一种检测材料表面雾的方法，包括以下步骤：任选地初检：对材料进行初检，获得表面无目视可见缺陷的材料；和表面雾检测：检测材料的表面雾；其中，在表面雾检测设备中，在接收光路中通过光学过滤器模组过滤掉所述材料的光致发光信号，使其不被探测器检测到。本发明还提供一种检测材料表面雾装置。本发明的检测表面雾的方法和装置，过滤掉了不期望的材料光致发光信号，从而能够更准确地获得材料表面雾检测结果。
材料表面检测方法装置

[发明专利]一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用-CN202210034280.2在审
发明人：邢峥;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本申请涉及磷化铟晶片加工领域，具体公开了一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用，所述磷化铟减薄腐蚀液包括如下重量份的原料：酸溶液6‑12份、氧化剂2‑6份、去离子水1‑6份；所述酸溶液由盐酸、硫酸制得，其添加的重量份如下：盐酸10‑15份、硫酸2‑6份；所述氧化剂由双氧水、高锰酸钾和重铬酸钾制得，其添加的重量份如下：双氧水15‑20份、高锰酸钾4‑8份、重铬酸钾4‑6份；本申请的磷化铟减薄腐蚀液具有提高晶片的研磨效率、保护晶片研磨面的效果。
一种磷化铟减薄腐蚀及其应用

[发明专利]一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法及应用-CN202210164149.8有效
发明人：梁超;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体晶片加工的技术领域，具体公开了一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法及应用。磷化铟晶片的超洁净清洗方法包括如下步骤：将磷化铟晶片经紫外光照射，用清洗液浸泡，洗涤；将处理后的磷化铟晶片于含有双氧水和氢氧化钾的混合溶液中浸泡，洗涤；将处理后的磷化铟晶片于含有盐酸和氢溴酸的混合溶液中浸泡，洗涤；将处理后的磷化铟晶片用超纯水洗涤后，于乙醇溶液中浸泡，洗涤；在微波和磁场共同作用下，将处理后的磷化铟晶片于等离子体中处理，洗涤，烘干后得到清洗后的磷化铟晶片。本申请的磷化铟晶片的超洁净清洗方法，通过各步骤之间的协同作用，具有减少磷化铟晶片表面杂质的优点。
一种磷化晶片洁净清洗方法应用

[发明专利]一种磷化铟晶片及其制备方法-CN202210164144.5在审
发明人：王亚坤;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料的领域，尤其涉及一种磷化铟晶片及其制备方法，磷化铟晶片制备方法包括如下操作步骤：S1、将磷化铟晶体表面涂覆一层保护液，切割成磷化铟晶片，切割完成后去除保护液；S2、将步骤S1处理后的磷化铟晶片依次进行粗研磨和细研磨；S3、将研磨后的磷化铟晶片进行减薄处理；S4、利用抛光液对减薄处理后的磷化铟晶片进行化学机械抛光，抛光液中包括氧化剂和磨料，化学机械抛光依次包括粗抛光和精抛光；S5、将化学机械抛光后的磷化铟晶片进行清洗，即得成品磷化铟晶片。采用本申请的方法制备磷化铟晶片，可降低磷化铟晶片的表面粗糙度。
一种磷化晶片及其制备方法

[发明专利]一种磷化铟晶片及其混合清洗工艺-CN202210029156.7有效
发明人：邓白鹭;李海淼 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本申请涉及磷化铟单晶衬底制备的技术领域，涉及一种磷化铟晶片及其混合清洗工艺，所述混合清洗工艺包括如下步骤：1）将抛光后的磷化铟晶片置于氮气与氟化氮的混合气体中，经过电场等离子化，对所述晶片表面进行冲洗；2）将所述晶片在含有H2O2的氨水溶液中浸泡晶片；3）将步骤2）得到的晶片浸泡在硫酸溶液中，然后通过去离子水进行洗涤；4）通过有机酸溶液浸泡步骤3）得到的晶片，并震荡处理，并通过去离子水清洗；5）将步骤4）得到的晶片在混合气体中进行干法清洗后，得到成品；步骤5）中的混合气体包括氮气、H2O2、HF、HCl、还原性气体；其具有较好的将磷化铟晶片表面进行清洁的优点。
一种磷化晶片及其混合清洗工艺

[发明专利]背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液-CN201710612344.1有效
发明人：王留刚;李海淼;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大维度为65微米，凹坑的最大深度为6.0微米。本发明还涉及该{100}磷化铟(InP)晶片的制备方法以及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片背面分布有凹坑，在外延生长中受热均匀，应用效果好。
背面有凹坑磷化晶片制法制备腐蚀

[发明专利]背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液-CN201710611710.1有效
发明人：王留刚;李海淼;朱颂义 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。本发明还涉及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的方法及所用腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片表面形貌规则，在外延生长中受热均匀，应用效果好。
背面橄榄形凹坑磷化晶片制法所用腐蚀

[发明专利]一种同时埋设多个土压力传感器的装置及方法-CN201711189972.X有效
发明人： 李海淼;孙阳;许乐炎;马志国;王华坤 -专利权人：河海大学;南京水汇能源科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： E02D1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时埋设多个土压力传感器的装置，包括若干节PVC套管、若干个土压力传感器、保护钢卡、高强螺栓和若干个接头管，PVC套管呈U形结构，土压力传感器的两端分别嵌入PVC套管的导槽内并用保护钢卡和高强螺栓进行固定，一节PVC套管内固定一个土压力传感器，每两节PVC套管之间通过接头管相接，若干个土压力传感器同时埋设于土体中并连接数据采集仪进行土压力测试。本发明提供的同时埋设多个土压力传感器的装置及方法，可在一个钻孔内同时埋设多个土压力传感器，埋设效率高，有效保护土压力传感器，降低受损率，使用寿命长，各工作部件成本低廉，实用性高，应用前景广阔。
一种同时埋设多个土压力传感器装置方法

[实用新型]含粉细砂地层中测斜管的安装装置-CN201821808430.6有效
发明人：杨峰;张晓明;孙维根;谭卫佳;王海东;刘勇;徐良兴;李强;张小刚;赵振;丁小龙;辜丽君;杨志海;吕强;左亮;李海淼;程玖 -专利权人：中铁四局集团有限公司;南京市市政工程质量安全监督站;河海大学;长江水利委员会水文局长江下游水文水资源勘测局
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： E02D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含粉细砂地层中测斜管的安装装置，包括内径大于测斜管的外径的套管，使用时，所述套管伸入于粉细砂地层上钻出的导向孔内，测斜管伸入所述套管内，所述装置还包括用于将水送入测斜管的水管。本实用新型能够避免塌孔，解决了在含有粉细砂的地层中测斜管的埋置难题，使测斜管准确就位，可以达到预定深度。而且本发明方法简单、经济、实用，在类似工程施工领域具有相当的借鉴价值，为工程中现场监测作用的发挥提供了重要的技术保证。
测斜管粉细砂地层套管本实用新型安装装置伸入工程施工技术保证现场监测导向孔粉细砂就位地层埋置塌孔水管送入

[发明专利]用于矩形顶管顶进施工全过程模拟的试验装置-CN201710128188.1有效
发明人：孙阳;李嘉伦;顾祯雪;王华坤;季小梅;李海淼;翟秋 -专利权人：河海大学;南京水汇能源科技有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于矩形顶管顶进施工全过程模拟的试验装置，包括试验箱、管节系统、加载系统、注浆系统以及测试系统，试验箱内填充土体，若干平行的所述管节系统通过试验箱两对侧壁上的方孔贯穿试验箱内部，每对所述方孔之间安装有导向轨，所述管节系统包括相互连接的导向机头和顶进管节，所述导向机头为一两端开口的方形钢管，所述导向机头设置有供导向轨穿过的导轨槽。本发明所提供的一种用于矩形顶管顶进施工全过程模拟的试验装置，装置简单，可操作性强，模拟多种工况时，试验装置构件可重复利用，兼容性强，试验装置本身最大限度的符合了工程实际情况，获取的试验数据可靠性高。
用于矩形顶管顶进施工全过程模拟试验装置

[实用新型]一种吹填砂施工围堰及泄水口结构-CN201821808427.4有效
发明人：张霖;钱军;胡松涛;张晓明;杨峰;孙维根;刘威;李强;张小刚;赵振;丁小龙;辜丽君;杨志海;吕强;左亮;李海淼;程玖 -专利权人：中铁四局集团有限公司;南京市市政工程质量安全监督站;河海大学;长江水利委员会水文局长江下游水文水资源勘测局
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： E02D19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吹填砂施工围堰及泄水口结构，包括围堰和设置在围堰上的一处以上的泄水口结构，所述泄水口结构包括预留在所述围堰上的排水口以及设置在所述排水口内的用于阻挡所述围堰内的吹填砂经所述排水口排出的且可令水通过的挡砂机构。本实用新型可以在向围堰内吹填散砂时，经由挡砂机构将内部的水排出，从而防止对围堰的压力过大，解决了吹填砂施工过程中容易出现薄弱段以及流砂过多的问题，而且本实用新型经济实用，能够节约施工成本，提高施工效率，在类似工程施工领域据用相当的借鉴价值，为吹填砂的施工提供了重要的技术保证。
围堰吹填砂泄水口本实用新型施工围堰工程施工技术保证经济实用排水口排施工成本施工过程施工效率排水口吹填流砂水排预留排水阻挡节约施工

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