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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210404911.5在审
发明人：邵光速;肖德元;邱云松;刘佑铭;蒋懿;苏星松;朱煜寒 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；于基底中形成若干平行间隔排布的且沿第一方向延伸的第一沟槽，以及相邻第一沟槽之间的初始有源区，初始有源区包括靠近第一沟槽底部的第一初始源漏区、远离第一沟槽底部的第二初始源漏区和位于第一初始源漏区和第二初始源漏区之间的初始沟道区；形成保护介质层，保护介质层覆盖第二初始源漏端的侧壁和初始沟道区的侧壁；减薄第一初始源漏区；于第一初始源漏区相对的两侧沉积导电材料层，以形成位线结构，位线结构沿第一方向延伸。上述半导体结构的制备方法，可以提高位线质量，减小位线结构与源漏区的接触电阻，降低RC延迟。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202111345286.3有效
发明人：邵光速;肖德元;邱云松;朱煜寒 -专利权人：长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中所述半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干个柱状有源区，若干个所述柱状有源区之间通过沿第一方向延伸的若干个第一沟槽以及沿第二方向延伸的若干个第一沟槽分隔开，所述第一沟槽和第二沟槽连通，且所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；位于所述第二沟槽底部的半导体衬底中的若干第三沟槽，所述第三沟槽向柱状有源区的底部凹陷，所述第三沟槽的底部表面高于所述第一沟槽的底部表面；位于所述若干第三沟槽中和所述若干柱状有源区底部的半导体衬底中的沿第一方向延伸的若干条金属硅化物位线。所述半导体器件的集成度以及金属硅化物位线的电学性能提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202010673713.X有效
发明人：廖楚贤;朱煜寒;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有分立的位线结构；在位线结构侧壁形成第一牺牲层；形成填充位线结构之间间隙的第一介质层；图形化第一介质层与第一牺牲层形成通孔，在沿位线结构延伸的方向上，通孔与剩余的第一介质层和第一牺牲层交替排布，通孔暴露出基底中的有源区以及位线结构侧壁；在通孔的侧壁形成第二牺牲层，并填充通孔形成接触插塞；于接触插塞上形成接触结构；去除第一牺牲层形成第一空气间隙，去除第二牺牲层形成第二空气间隙。
半导体结构形成方法

[发明专利]场效应晶体管结构及其制作方法-CN202110441625.1在审
发明人：杨彬;张丽霞;朱丽;朱煜寒;钱龙;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供一种场效应晶体管结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该场效应晶体管结构包括：衬底；导电层，形成于衬底上；第一介质层，形成于导电层的上表面；第一掺杂型半导体结构，形成于第一介质层的上表面；第二介质层，形成于第一掺杂型半导体结构的上表面；第二掺杂型半导体结构，形成于第二介质层的上表面；共享栅极结构，填充于第一介质层和第二介质层中，且环绕第一掺杂型半导体结构和第二掺杂型半导体结构，共享栅极结构与导电层接触。本公开可以缩小晶体管的占用空间。
场效应晶体管结构及其制作方法

[发明专利]场效应晶体管结构及其制作方法-CN202110442879.5在审
发明人：杨彬;张丽霞;朱丽;朱煜寒;钱龙;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种场效应晶体管结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该场效应晶体管结构包括：衬底；第一介质层，覆盖于衬底的上表面；第一掺杂型半导体结构，形成于第一介质层的上表面；第二介质层，形成于第一掺杂型半导体结构的上表面，第二介质层内嵌入有第一子掺杂型半导体结构；第二子掺杂型半导体结构，形成于第二介质层的上表面，第二子掺杂型半导体结构与第一子掺杂型半导体结构连接形成第二掺杂型半导体结构；共享栅极结构，填充于第一介质层和第二介质层中，且环绕第一掺杂型半导体结构和第二掺杂型半导体结构。本公开的场效应晶体管结构可以提高栅极的控制能力。
场效应晶体管结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202011056617.7在审
发明人：张魁;朱煜寒;刘杰;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括半导体基体、位线以及字线，半导体基体包括衬底和隔离结构，隔离结构位于衬底的上方，隔离结构用于隔离多个有源区，有源区的部分由衬底形成；位线位于衬底内，位线与有源区相连接；字线与有源区相交，且字线环绕有源区；其中，衬底为SOI衬底。半导体基体上的单元配置尺寸较小，即半导体结构的尺寸进一步减小，且埋入式位线的控制能力更强，以此改善半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制造方法-CN202010962377.0在审
发明人： 朱煜寒;廖楚贤;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，包括：字线；位于字线两侧的第一位线和第二位线以及第一存储结构和第二存储结构，第一位线和第二位线通过晶体管分别与第一存储结构和第二存储结构相连，第一位线的延伸方向与字线的延伸方向垂直。如此，能够在增大存储器的存储容量的同时，减少字线与第一位线的相互干扰，提高存储器的稳定性。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制造方法-CN202010963391.2在审
发明人： 朱煜寒;廖楚贤;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，包括：字线；位于字线两侧的第一位线和第二位线以及第一存储结构和第二存储结构，第一位线和第二位线通过晶体管分别与第一存储结构和第二存储结构相连，第一位线的延伸方向与字线的延伸方向的夹角为锐角或钝角。如此，字线两侧具有第一存储结构和第二存储结构，能够增大存储容量；字线的延伸方向与第一位线的延伸方向呈锐角或钝角的夹角，能够增大第一存储结构之间的间距，进而提高工艺窗口，增加产品良率。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202010674232.0在审
发明人：廖楚贤;朱煜寒;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有分立的位线结构；在位线结构侧壁形成第一牺牲层；形成填充相邻位线结构之间间隙的第一介质层；图形化第一介质层形成通孔，通孔暴露出基底中的有源区，且在沿位线结构延伸的方向上，通孔与剩余的第一介质层交替排布；在通孔的侧壁形成第二牺牲层，并填充通孔形成接触插塞；在接触插塞上形成接触结构；去除第一牺牲层形成第一空气间隙，去除第二牺牲层形成第二空气间隙。通过形成第一空气间隙和第二空气间隙，降低寄生电容的效果较好，且形成的空气间隙容易进行密封。
半导体结构形成方法

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