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- [发明专利]半导体制造装置-CN201780048144.6有效
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木崎原稔郎;上野幸太;本堀勲;杉山训树
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剑桥过滤器有限公司
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2017-08-03
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2022-11-29
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H01L21/677
- 本发明提供一种能够简便地防止水分附着于EFEM内的晶片表面的半导体制造装置。半导体制造装置(1)具备：对晶片(90)进行处理的工艺设备(30)；供给晶片(90)并且收纳工艺处理完成后的晶片(90)的FOUP(40)；在FOUP(40)与工艺设备(30)之间移送晶片(90)的EFEM(10)；从上侧向EFEM10输送空气流(72)的风机过滤机组(20)；产生高频电力的超声波振荡器(52)；以及振子(54)，其基于由超声波振荡器(52)产生的高频电力产生超声波(80)，向由EFEM(10)输送的工艺处理完成后的晶片(90)施加超声波(80)。
- 半导体制造装置
- [发明专利]软X射线式静电去除装置-CN202080036060.2在审
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木崎原稔郎;上野幸太;吉田真;上杉宣之;饭田尚司
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近藤工业株式会社;日本剑桥过滤器株式会社
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2020-05-14
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2021-12-21
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H05F3/06
- 本发明提供一种以简单的构造使离子化空气的释放量增加的软X射线式静电去除装置。软X射线式静电去除装置(1)，包括：软X射线发生装置(90)，其产生软X射线(92)；容器(10)，其供通过软X射线而被离子化的离子化空气(100)从出口(12)流出；软X射线遮蔽板材(20)，其在容器的出口使用；以及绝缘层(50)，其将软X射线遮蔽板材和容器绝缘，软X射线遮蔽板材(20)包括：采用不使软X射线通过的材料形成的第1外层板材(30)、中间层板材(34)和第2外层板材(40)，在第1外层板材形成有离子化空气的供给口(32)，在中间层板材形成有离子化空气通路(38)，该离子化空气通路(38)具有与供给口连通的离子化空气流入开口(36)，在第2外层板材形成有与离子化空气通路连通的排出口(42)，软X射线遮蔽板材具有离子化空气通过部(44)，该离子化空气通过部(44)以使供给口、离子化空气通路及排出口连通的方式设置。
- 射线静电去除装置
- [发明专利]微环境方式半导体制造装置-CN03825753.X无效
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木崎原稔郎;河内山茂;冈田诚;上野幸太
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近藤工业株式会社;日本剑桥过滤器株式会社
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2003-02-27
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2006-01-11
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H01L21/68
- 在微环境方式半导体制造装置中，防止外气从半导体制造装置的开口部、与密闭容器的晶片出入口的间隙侵入、而使灰尘附着于上述密闭容器内的晶片。从具有过滤器单元(6a)的清洁空气喷出装置(1)，向取出装入晶片(73)的密闭容器(71)的出入口(74)、与安装于半导体制造装置(76)的前面板(77)的装载部(78)的开口部(98)之间的间隙(96)，喷出清洁空气，而形成气帘，该过滤器单元(6a)通过送气管(3)与空气供给装置(2)连接、且将圆筒状过滤器(10)连接成矩形框状，由此，当将密闭容器(71)的盖子(75)向半导体制造装置(76)内侧开启时，可以阻断通过密闭容器(71)的出入口(74)、与安装于半导体制造装置(76)的装载部(78)的开口部(98)之间的间隙(96)而侵入到密闭容器(71)的外气。
- 环境方式半导体制造装置
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