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[实用新型]可双面散热的功率元件-CN201921029807.2有效
发明人：吉炜;王炳辉;秦旭光 -专利权人： 惠州市乾野微纳电子有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可双面散热的功率元件，包括安装架及芯片，通过在芯片本体上直接设置多个电镀片，使得芯片本体可直接焊接在电路板上，从而代替了传统的方式是通过金属导线将芯片本体上的引脚邦定至铜框架的引脚上，再进行焊接封装；通过将芯片本体直接焊接在安装架上，避免在注塑封装时，在芯片本体上形成的塑料膜，使得芯片本体累积的热量可直接通过铜框架散发，从而有效地解决了芯片本体热量堆积产生短路的问题；同时，由于本申请不需要使用金属导线进行邦定，故解决了在处理过程中需要利用金属导线对芯片本体的引脚进行邦定，产生金属引线热量堆积问题，以及解决了在邦定点局部电流过大，导致芯片内部热量升高并堆积，烧坏芯片的问题。
双面散热功率元件

[发明专利]可双面散热的功率元件-CN201910594030.2在审
发明人：吉炜;王炳辉;秦旭光 -专利权人： 惠州市乾野微纳电子有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种可双面散热的功率元件，包括安装架及芯片，通过在芯片本体上直接设置多个电镀片，使得芯片本体可直接焊接在电路板上，从而代替了传统的方式是通过金属导线将芯片本体上的引脚邦定至铜框架的引脚上，再进行焊接封装；通过将芯片本体直接焊接在安装架上，避免在注塑封装时，在芯片本体上形成的塑料膜，使得芯片本体累积的热量可直接通过铜框架散发，从而有效地解决了芯片本体热量堆积产生短路的问题；同时，由于本申请不需要使用金属导线进行邦定，故解决了在处理过程中需要利用金属导线对芯片本体的引脚进行邦定，产生金属引线热量堆积问题，以及解决了在邦定点局部电流过大，导致芯片内部热量升高并堆积，烧坏芯片的问题。
芯片本体金属导线引脚功率元件热量堆积双面散热直接焊接安装架铜框架芯片烧坏电路板焊接封装金属引线直接设置注塑封装传统的塑料膜有效地电镀短路堆积升高散发申请

[实用新型]一种带有屏蔽栅的超结IGBT-CN201821366866.4有效
发明人：秦旭光;吉炜 -专利权人： 惠州市乾野微纳电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有屏蔽栅的超结IGBT，其包括半导体基板，元胞区以及终端保护区，半导体基板包括第二导电类型集电极区、第一导电类型场终止层和至少一层的第一导电类型外延层；元胞区包括若干个相互并联连接的元胞，其包括若干个元胞沟槽以及填充于元胞沟槽内的栅极导电多晶硅和屏蔽栅，元胞沟槽相对栅极导电多晶硅的槽口两侧和侧壁上设有第七氧化层，栅极导电多晶硅和屏蔽栅之间设有第五氧化层，元胞沟槽相对屏蔽栅的底部和侧壁上设有第四氧化层；第一导电类型外延层内还设置有P柱，P柱的一端连接第二导电类型阱层，另一端朝向第一导电类型场终止层延伸。本实用新型采用屏蔽栅结构，降低了米勒电容，从而降低开关损耗。
屏蔽栅第一导电类型元胞沟槽栅极导电多晶硅氧化层半导体基板本实用新型场终止层外延层元胞区侧壁超结导电类型阱终端保护区并联连接导电类型集电极区开关损耗米勒电容一端连接槽口元胞填充延伸

[发明专利]一种带有屏蔽栅的超结IGBT及其制造方法-CN201810968433.4在审
发明人：秦旭光;吉炜 -专利权人： 惠州市乾野微纳电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有屏蔽栅的超结IGBT及其制造方法，超结IGBT包括半导体基板，元胞区以及终端保护区，半导体基板包括第二导电类型集电极区、第一导电类型场终止层和至少一层的第一导电类型外延层；元胞区包括若干个相互并联连接的元胞，其包括若干个元胞沟槽以及填充于元胞沟槽内的栅极导电多晶硅和屏蔽栅，元胞沟槽相对栅极导电多晶硅的槽口两侧和侧壁上设有第七氧化层，栅极导电多晶硅和屏蔽栅之间设有第五氧化层，元胞沟槽相对屏蔽栅的底部和侧壁上设有第四氧化层；第一导电类型外延层内还设置有P柱，P柱的一端连接第二导电类型阱层，另一端朝向第一导电类型场终止层延伸。本发明采用屏蔽栅结构，降低了米勒电容，从而降低开关损耗。
屏蔽栅第一导电类型元胞沟槽栅极导电多晶硅氧化层超结半导体基板场终止层外延层元胞区侧壁导电类型阱终端保护区并联连接导电类型集电极区开关损耗米勒电容一端连接槽口元胞填充制造延伸