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- [发明专利]一种抑制高次模的芯片封装结构-CN202310000977.2有效
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刘伟;彭东亮;刘强;郭齐
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成都天成电科科技有限公司
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2023-01-03
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2023-03-21
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H01L23/485
- 本发明提供了一种抑制高次模的芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域,所述封装结构相对其中间平面对称设置,包括晶圆级封装部分,所述晶圆级封装部分包括从下到上依次设置的封装衬底、裸芯片、第一钝化层、RDL、第二钝化层、UBM及焊球,在所述中间平面位置设置信号输出电路,在所述第一钝化层上设置金属化通孔,所述金属化通孔相对所述中间平面呈对称分布,所述裸芯片上对应所述金属化通孔位置设置GSG焊盘,通过所述GSG焊盘及金属化通孔实现所述裸芯片与所述RDL电性能互连,在所述RDL上位于所述中间平面两侧的所述GSG焊盘之间设置开口避让。本技术方案解决了现有技术中如何在毫米波频带抑制高次模的技术问题。
- 一种抑制高次模芯片封装结构
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