[发明专利]一种改进深沟槽DRAM钨金属位线的CMP工艺窗的方法有效
| 申请号： | 200510026258.X | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1870247A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 廖国彰;姜海涛;仇圣棻;廖端泉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明采用新方法，通过在M0位线接触窗填充材料凹陷刻蚀阶段同时移除多晶硅层，解决了在深沟槽DRAM的内连线制作过程中，常规(M0)位线接触窗填充材料凹陷(ARC Recess)刻蚀，只考虑形成图案的形状，而在(M0)位线钨金属的化学机械研磨(CMP)之后随机产生多晶硅残留，影响钨金属研磨工艺窗的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 进深 沟槽 dram 金属 cmp 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改进深沟槽DRAM钨金属位线的CMP工艺窗的方法，包括形成字符线及其上的电介质层；刻蚀形成M0位线接触窗形成插塞；回填填充材料至接触窗以保护接触窗底层之硅芯片，凹陷刻蚀多余填充材料同时刻蚀去除多晶层，以使硅芯片表面平坦化，以利于后续定义M0位线图案；刻蚀形成M0位线图案；形成一阻障层于电介质层和接触窗上；形成一导电层于该阻障层上，并填入接触窗中以形成导体结构；移除部分该导电层和部分阻障层以暴露电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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