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[实用新型]一种直插式大功率整流桥-CN202221482913.8有效
发明人：邹新艺 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及整流桥领域，特别是涉及一种直插式大功率整流桥，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干上层芯片、若干下层芯片；所述第一中框架延的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚，所述第三中框架的一端延伸设有第三引脚，所述第四中框架的一端延伸设有第四引脚；所述若干上层芯片、若干下层芯片分别连接于所述第一中框架；所述若干上层芯片、若干下层芯片分别连接于所述第三中框架、第四中框架；若干所述上层芯片连接有若干连接上引线，若干所述下层芯片连接有若干连接下引线。本实用新型提供一种低功耗、高效能的直插式大功率整流桥。
一种直插式大功率整流

[实用新型]一种低压MOS器件-CN202221575646.9有效
发明人：王焕东 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及MOS器件领域，特别是涉及一种低压MOS器件，包括壳体、分别设于所述壳体内部的第一承载框架、第二承载框架、第三承载框架、低压MOS芯片及双向ESD芯片；所述低压MOS芯片设于所述第一承载框架；所述第一承载框架的一端延伸设有若干第一引脚；所述第二承载框架的一端延伸设有若干第二引脚；所述第三承载框架的一端延伸设有若干第三引脚；所述低压MOS芯片设于所述第一承载框架；所述双向ESD芯片设于所述第三承载框架。本实用新型提供一种栅极‑源极间有ESD保护功能优异、使用寿命长的低压MOS器件。
一种低压 mos 器件

[实用新型]一种单面双芯组装的SMA二极管器件-CN202221674471.7有效
发明人：王太阳 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管器件领域，特别是涉及一种单面双芯组装的SMA二极管器件，包括壳体、分别设于所述壳体内部的第一连接框架、第二连接框架、若干芯片；所述第一连接框架的一端延伸设有第一引脚；所述第二连接框架的一端设有第二引脚；所述若干芯片设置于所述第二连接框架的上方。本实用新型提供一种紧凑、高效能的单面双芯组装的SMA二极管器件。
一种单面组装 sma 二极管器件

[实用新型]一种双面四芯组装的SMB二极管器件-CN202221672541.5有效
发明人：王太阳 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管器件领域，特别是涉及一种双面四芯组装的SMB二极管器件，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一连接框架、第二连接框架、若干芯片；所述第一连接框架的一端连接有第一连接盘，所述第一连接盘背离所述第一连接框架的一端延伸设有第一引脚；所述第二连接框架的一端延伸设有第二引脚；所述若干芯片分别设于所述第二连接框架的上下两侧。本实用新型提供一种高效能、可靠性好的双面四芯组装的SMB二极管器件。
一种双面组装 smb 二极管器件

[实用新型]一种双面两芯组装的SMA二极管器件-CN202221672485.5有效
发明人：邹新艺 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管器件领域，特别是涉及一种双面两芯组装的SMA二极管器件，包括壳体、分别设于所述壳体内部的第一连接框架、第二连接框架、第一芯片及第二芯片；所述第一芯片设于所述第一连接框架的上方；所述第二芯片设于所述第二连接框架的上方；所述第一芯片与第二芯片呈叠放设置。本实用新型提供一种紧凑、抗浪涌能力较强的双面两芯组装的SMA二极管器件。
一种双面组装 sma 二极管器件

[发明专利]一种贴片式大功率整流桥-CN202210631416.8在审
发明人：王焕东 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及整流桥领域，特别是涉及一种贴片式大功率整流桥，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干芯片；所述第一中框架的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚；所述第三中框架通过第一连接引脚线连接有第三引脚，所述第四中框架通过第二连接引脚线连接有第四引脚；所述若干芯片分别设于所述第一中框架、第二中框架的上方及下方。本发明提供一种低功耗、高效能的贴片式大功率整流桥。
一种贴片式大功率整流

[实用新型]具备温度保护功能的整流桥堆-CN202120039270.9有效
发明人：王太阳 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及整流桥堆技术领域，具体涉及一种具备温度保护功能的整流桥堆，包括壳体、安装于所述壳体上的引脚模组、与所述引脚模组连接的连接模组、及安装于所述壳体内的电源模组、线路板和温度保护模组；所述壳体成型有第一容置腔和第二容置腔；所述电源模组和所述线路板位于所述第一容置腔内；所述温度保护模组位于所述第二容置腔内；所述温度保护模组包括驱动件、安装于所述壳体内壁的并与所述驱动件驱动连接的接触件、及安装于所述接触件底部并与所述连接模组抵接的触点。本实用新型解决了传统的整流桥堆的功能单一，整流桥堆会因过流和过热导致内部元件烧毁，影响整流桥堆的使用寿命等问题。
具备温度保护功能整流

[实用新型]高强度快速恢复桥式整流器-CN202120075885.7有效
发明人：王太阳 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及整流器领域，特别是涉及一种高强度快速恢复桥式整流器，包括壳体、设置于所述壳体内部的芯片、分别连接于所述芯片两端的第一引脚和第二引脚、分别连接于所述第二引脚和芯片的连接片，所述壳体依次包括基材层、分别设于所述基材层两侧的第一缓冲夹层和第二缓冲夹层、设于所述第一缓冲夹层上方的第一加强层及设于所述第二缓冲夹层下方的第二加强层；所述第一引脚的一端设有与所述芯片相连的支撑区，所述支撑区通过第一粘结层与所述芯片连接；所述第二引脚的一端设有焊接区，所述第二引脚通过焊接区连接于所述连接片。本实用新型提供一种小巧、使用强度高的高强度快速恢复桥式整流器。
强度快速恢复整流器

[实用新型]基于碳化硅的整流二极管-CN202120081780.2有效
发明人：邹新艺 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及整流二极管领域，特别是涉及一种基于碳化硅的整流二极管，包括封装壳体、同轴串联并设于所述封装壳体内部的若干碳化硅芯片、分别插接于所述封装壳体两端的第一引脚及第二引脚；所述封装壳体从内至外依次包括第一玻璃纤维层、第一胶水层、基体层、第二胶水层以及第二玻璃纤维层；所述封装壳体的表面均匀开设有若干散热孔；所述第一引脚、第二引脚的位于所述封装壳体内部的一端均连接有铜片。本实用新型提供一种耐散热效果好、高强度的基于碳化硅的整流二极管。
基于碳化硅整流二极管

[实用新型]一种集成化封装二极管-CN202120081808.2有效
发明人：王焕东 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管领域，特别是涉及一种集成化封装二极管，包括外壳体、设于所述外壳体下方的基底板、分别设置于所述外壳体两侧的正极引脚和负极引脚、分别连接于所述正极引脚和负极引脚并固定于所述基底板的封装芯片；所述外壳体的内表面设有散热板，所述散热板包括若干规则排列的散热件；所述散热件的侧面还设有若干散热孔；所述外壳体从内至外依次包括第一散热层、第一金属屏蔽板层、第二金属屏蔽板层及第二散热层。本实用新型提供一种便于散热的集成化封装二极管。
一种集成化封装二极管

[实用新型]防尘型整流二极管-CN202120039599.5有效
发明人：邹新艺 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种防尘型整流二极管，包括壳体、安装于所述壳体内的二极管本体、安装于所述壳体内并与所述二极管本体连接的固定装置、与所述二极管本体连接的散热装置、及安装于所述壳体内并与所述散热装置对应设置的防尘装置；所述防尘装置包括贴设于所述壳体内壁的过滤网、与所述过滤网连接的至少两组的振动件、及与所述振动件连接并伸出所述壳体的吸附件。本实用新型解决了传统的二极管的功能单一，长时间工作使用容易进入灰尘，进而影响二极管的工作效率等问题。
防尘整流二极管

[实用新型]高效散热型整流二极管-CN202120039654.0有效
发明人：王焕东 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种高效散热型整流二极管，包括保护罩、位于所述保护罩内的二极管本体、安装于所述二极管本体并位于所述保护罩内的散热装置、及安装于所述二极管远离所述散热装置的一侧的支撑装置；所述散热装置包括导热组件、与所述导热组件连接的散热组件；所述支撑装置包括第一支撑组件及安装与所述第一支撑组件两侧的第二支撑组件；所述散热组件包括安装于所述导热组件上的散热鳍片、及与所述散热鳍片连接的散热风扇。本实用新型解决了传统的二极管的结构复杂，功能单一，长时间工作温度升高明显，大电流工作会使温度明显升高，影响二极管的性能和使用寿命等问题。
高效散热整流二极管

[实用新型]一种基于插装结构的超薄整流器-CN201920338375.7有效
发明人：王焕东;陈红英;王威;王焕忠;王鸿宇;王海宇;林俊杰;甘文林 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及整流器领域，特别是涉及一种基于插装结构的超薄整流器，包括壳体、设置在壳体上部的上盖，所述上盖两侧内壁分别设置有卡槽，所述上盖还包括有缓冲层，所述壳体两侧分别设置有第一卡柱，所述壳体底部设置有一个安装座，所述壳体下方两侧分别设置有第二卡柱，所述安装座上两侧分别设置有U型部，所述壳体厚度设置为0.2～0.5mm。本实用新型提供一种组装便捷、满足薄型化产品发展以及实用性强的基于插装结构的超薄整流器。
整流器壳体插装结构上盖本实用新型安装座卡柱产品发展厚度设置壳体两侧壳体上部两侧内壁薄型化缓冲层卡槽组装

[实用新型]一种对折式插装结构及其二极管-CN201920336202.1有效
发明人：王焕东;陈红英;王威;王焕忠;王鸿宇;王海宇;林俊杰;甘文林 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管领域，特别是涉及一种对折式插装结构，包括对折式壳体、第一引脚、第二引脚、第一引脚安装部和第二引脚安装部，所述对折式壳体内壁设置有缓冲层，所述对折式壳体还包括左安装部和右安装部，所述左安装部一端通过活动销与右安装部一端活动连接，所述左安装部和右安装部的下部均设置有卡合部，所述第一引脚安装部和第二引脚安装部的一端上方均开设有卡合槽，所述第一引脚安装部的另一端设置有插柱，所述第二引脚安装部的另一端设置有插槽。本实用新型提供一种装配稳固性好、减震保护性优异和和实用性强的对折式插装结构及其二极管。
引脚对折式二极管插装结构右安装部左安装部本实用新型一端设置壳体减震活动连接壳体内壁缓冲层活动销卡合部卡合槽稳固性插槽插柱装配

[实用新型]一种具备抗干扰功能的二极管-CN201920338376.1有效
发明人：王焕东;陈红英;王威;王焕忠;王鸿宇;王海宇;林俊杰;甘文林 -专利权人： 广东慧芯电子科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管领域，特别是涉及一种具备抗干扰功能的二极管，包括壳体、正极引脚、负极引脚和控制元件，所述壳体内壁设置有抗干扰屏蔽层，所述正极引脚和负极引脚一端分别设置在壳体底部两侧，所述正极引脚和负极引脚分别与控制元件电连接，所述壳体上部设置有若干个散热沟槽，所述散热沟槽内侧开设有通风孔。本实用新型提供一种适于电磁环境使用、使用寿命长的具备抗干扰功能的二极管。
二极管抗干扰功能负极引脚正极引脚本实用新型控制元件散热沟槽壳体抗干扰屏蔽层电磁环境壳体内壁壳体上部使用寿命电连接通风孔

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