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[发明专利]一种晶圆测试方法及系统-CN202210946885.9在审
发明人：王帆;周鑫;席隆宇;南洲 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆测试方法及系统，该晶圆测试方法包括：基于设置参数控制待测晶圆与探针接触，以对待测晶圆进行测试；获取测试参数；对测试参数进行分析，判断待测晶圆的测试结果是否异常；响应于是，调整设置参数，利用调整后的设置参数对其余待测晶圆进行测试。本申请通过对待测晶圆的测试参数进行分析，以判断待测晶圆的测试结果是否异常，在判断测试结果异常的情况下调整设置参数，进而实现对待测晶圆的测试优化。
一种测试方法系统

[发明专利]一种修复方法、装置及计算机存储介质-CN202010334104.1有效
发明人：王帆;黄华;席隆宇 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开一种修复方法，应用于动态随机存取存储器，通过定制独立修复单元，以独立修复单元的容量进行修复的配置，将DRAM的修复从芯片级拆分成独立修复单元级。对独立修复单元逐一进行修复计算，不产生不可修复的独立修复单元的修复方案，并将不可修复的独立修复单元对应的地址设置为不可访问，对可以修复的独立修复单元进行修复。进而，可修复的独立修复单元可继续使用，降低了生产成本，达到了节约生产成本的目的。
一种修复方法装置计算机存储介质

[发明专利]一种NAND闪存缺陷的修复方法-CN201911052089.5有效
发明人：张朝锋;宋炜哲;何少婷;席隆宇 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪存缺陷的修复方法，包括：测试NAND闪存器件找到包含缺陷的存储单元格的所有块和列，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目，按照缺陷数目对缺陷块以及缺陷列进行顺序排序；根据顺序排序的列表使用冗余来替换缺陷所在位置的数据行和数据列：使用冗余列将缺陷列进行修复，作为修复数据写入闪存使得替换生效；对缺陷块先使用虚拟冗余行将其替换，然后需要将该缺陷块对应的块的地址写入闪存，并将缺陷块标记为坏块。该方法使得NAND闪存的修复算法更加简洁，从而使得整个流程更加高效，提高了测试设备的产出。
一种 nand 闪存缺陷修复方法

[发明专利]一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法-CN201911052876.X有效
发明人：张朝锋;宋炜哲;席隆宇;何少婷 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法，包括：测试多子块NAND闪存器件找到包含缺陷的存储单元格的所有块和列，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目；按照缺陷数目对缺陷块以及缺陷列进行顺序排序；根据顺序排序的列表使用冗余来替换缺陷所在位置的数据行和数据列：使用冗余列将缺陷列进行修复，作为修复数据写入闪存使得替换生效；对缺陷块先使用虚拟冗余行将其替换，同一行包括多个子块的同一个行地址，每个子块使用该子块的冗余列替换该子块的列缺陷；然后需要将该缺陷块对应的块的地址写入闪存，并将缺陷块标记为坏块。该方法使得NAND闪存的修复算法更加简洁，从而使得整个流程更加高效，提高了测试设备的产出。
一种多子块 nand 闪存缺陷修复方法

[发明专利]一种DRAM芯片修复方法-CN201911062917.3有效
发明人：王帆;席隆宇 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种DRAM芯片修复方法，包括以下步骤：按照修复的限制条件对芯片的修复方案的优先级从高到低进行排序；对芯片修复按照修复方案的优先级依次进行，直至得到芯片的修复结果。本发明可以支持多修复方案并存，极大地缩短了DRAM的修复时间，进而减少了测试时间；同时由于多修复方案可以同时并存，芯片的品质也得到了提升。
一种 dram 芯片修复方法