[发明专利]一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法有效
| 申请号： | 201911052876.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110797071B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张朝锋;宋炜哲;席隆宇;何少婷 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张海平 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法，包括：测试多子块NAND闪存器件找到包含缺陷的存储单元格的所有块和列，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目；按照缺陷数目对缺陷块以及缺陷列进行顺序排序；根据顺序排序的列表使用冗余来替换缺陷所在位置的数据行和数据列：使用冗余列将缺陷列进行修复，作为修复数据写入闪存使得替换生效；对缺陷块先使用虚拟冗余行将其替换，同一行包括多个子块的同一个行地址，每个子块使用该子块的冗余列替换该子块的列缺陷；然后需要将该缺陷块对应的块的地址写入闪存，并将缺陷块标记为坏块。该方法使得NAND闪存的修复算法更加简洁，从而使得整个流程更加高效，提高了测试设备的产出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多子块 nand 闪存 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：/n测试多子块NAND闪存器件找到包含缺陷的存储单元格的所有块和列，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目；/n根据缺陷数目由大到小的顺序进行排序；/n按照所述缺陷数的顺序进行修复：/n使用冗余列替换对应的缺陷列；/n对缺陷块先使用虚拟冗余行将其替换，同一行包括多个子块的同一个行地址，每个子块使用该子块的冗余列替换该子块的列缺陷。/n
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