“宋炜哲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]3D芯片的存储器修复方法及相关设备-CN202110303967.7有效
发明人：刘承林;宋炜哲 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请实施例通过提供一种3D芯片的存储器修复方法及相关设备，用于解决目前3D芯片的存储器修复率较低的问题。其中，上述方法包括：根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3D芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。
芯片存储器修复方法相关设备

[发明专利]一种测试装置以及测试方法-CN202310078055.3在审
发明人：张凯;殷鹏;宋炜哲;高旭东 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请提供一种测试装置及测试方法，测试装置包括转接卡和控制模块；其中，转接卡用于接入待测内存，响应于待测内存插入转接卡，转接卡输出脉冲信号；控制模块与转接卡可拆卸连接，基于脉冲信号确定转接卡的使用参数，以及基于使用参数确定是否更换转接卡。具体的，该测试装置能够检测转接卡的使用参数，准确管理转接卡的使用，量化评估转接卡的使用寿命，提高测试装置中转接卡的寿命管理能力。
一种测试装置以及方法

[实用新型]三维堆叠的存储芯片以及电子设备-CN202123159181.7有效
发明人：薛召召;宋炜哲 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种三维堆叠的存储芯片以及电子设备。该三维堆叠的存储芯片包括：第一动态存储阵列组件、第二动态存储阵列组件以及逻辑组件；其中，第一动态存储阵列组件包括第一超级块；响应于第一超级块为非失效块，第一超级块被配置为存储或输出优先级数据；第二动态存储阵列组件与第一动态存储阵列组件层叠连接，且第二动态存储阵列组件包括第二超级块，第二超级块与第一超级块具有相同的数据存储地址，响应于第二超级块为非失效块，第二超级块被配置为存储或输出优先级数据。该存储芯片的良率较高。
三维堆叠存储芯片以及电子设备

[发明专利]三维堆叠的存储芯片、数据读写方法以及电子设备-CN202111536468.9在审
发明人：薛召召;宋炜哲 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种三维堆叠的存储芯片、数据读写方法以及电子设备。该三维堆叠的存储芯片包括：第一动态存储阵列组件、第二动态存储阵列组件以及逻辑组件；其中，第一动态存储阵列组件包括第一超级块；响应于第一超级块为非失效块，第一超级块被配置为存储或输出优先级数据；第二动态存储阵列组件与第一动态存储阵列组件层叠连接，且第二动态存储阵列组件包括第二超级块，第二超级块与第一超级块具有相同的数据存储地址，响应于第二超级块为非失效块，第二超级块被配置为存储或输出优先级数据。该存储芯片的良率较高。
三维堆叠存储芯片数据读写方法以及电子设备

[发明专利]一种NAND闪存缺陷的修复方法-CN201911052089.5有效
发明人：张朝锋;宋炜哲;何少婷;席隆宇 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND闪存缺陷的修复方法，包括：测试NAND闪存器件找到包含缺陷的存储单元格的所有块和列，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目，按照缺陷数目对缺陷块以及缺陷列进行顺序排序；根据顺序排序的列表使用冗余来替换缺陷所在位置的数据行和数据列：使用冗余列将缺陷列进行修复，作为修复数据写入闪存使得替换生效；对缺陷块先使用虚拟冗余行将其替换，然后需要将该缺陷块对应的块的地址写入闪存，并将缺陷块标记为坏块。该方法使得NAND闪存的修复算法更加简洁，从而使得整个流程更加高效，提高了测试设备的产出。
一种 nand 闪存缺陷修复方法

[发明专利]一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法-CN201911052876.X有效
发明人：张朝锋;宋炜哲;席隆宇;何少婷 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法，包括：测试多子块NAND闪存器件找到包含缺陷的存储单元格的所有块和列，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目；按照缺陷数目对缺陷块以及缺陷列进行顺序排序；根据顺序排序的列表使用冗余来替换缺陷所在位置的数据行和数据列：使用冗余列将缺陷列进行修复，作为修复数据写入闪存使得替换生效；对缺陷块先使用虚拟冗余行将其替换，同一行包括多个子块的同一个行地址，每个子块使用该子块的冗余列替换该子块的列缺陷；然后需要将该缺陷块对应的块的地址写入闪存，并将缺陷块标记为坏块。该方法使得NAND闪存的修复算法更加简洁，从而使得整个流程更加高效，提高了测试设备的产出。
一种多子块 nand 闪存缺陷修复方法

[发明专利]优化电路设计的方法和装置-CN202110752760.8在审
发明人：柴泾睿;谈杰;宋炜哲;高旭东;殷鹏 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供了用于优化电路设计的方法和装置。所述方法和装置将至少两种效应下的漏源退化电流对于实际电路时钟信号延迟的影响纳入考虑。根据本发明的用于优化电路设计的方法和装置，在无需进行多次流片试生产的情况下能够验证电路设计中的不足之处，从而能够降低成本。此外，在无需进行多次流片试生产的情况下能够验证电路设计中的冗余程度是否足够，只需要进行仿真即可，从而能够缩短设计周期。
优化电路设计方法装置

[实用新型]一种自带整理功能的线缆-CN201120287728.9有效
发明人： 宋炜哲 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01B7/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自带整理功能的线缆，包括线缆本体，该线缆本体周壁沿长度方向设有多个扣接结构。在本实用新型的较佳实施种，所述扣接结构为榫接结构。本实用新型能够通过线缆四周的锁扣结构相互锁扣，方便线缆的整理。不同直径的线缆如果使用相同结构的锁扣结构，也能够实现不同直径的线缆相互锁扣。
一种整理功能线缆

[发明专利]一种自带整理功能的线缆-CN201110227058.6无效
发明人： 宋炜哲 -专利权人：西安华芯半导体有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01B7/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种自带整理功能的线缆，包括线缆本体，该线缆本体周壁沿长度方向设有多个扣接结构。在本发明的较佳实施种，所述扣接结构为榫接结构。本发明能够通过线缆四周的锁扣结构相互锁扣，方便线缆的整理。不同直径的线缆如果使用相同结构的锁扣结构，也能够实现不同直径的线缆相互锁扣。
一种整理功能线缆

1
共 9 条